公开(公告)号：CN113380953A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110759016.0

申请日：2021-07-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 迟力峰 ,  黄丽珍 ,  王滋 ,  薛娣

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速，具有普适性，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN107991353A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711216696.1

申请日：2017-11-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 迟力峰 ,  黄丽珍 ,  王滋 ,  朱晓飞

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明涉及一种NO2化学电阻式气体传感器，包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、表面修饰层、活性敏感层以及源漏电极，表面修饰层的材质为含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式为H2N-(CH2)n-SiCl3，H2N-(CH2)n-Si(OCH3)3或H2N-(CH2)n-Si(OC2H5)3，其中，n＝3-18，活性敏感层的材质为有机半导体。本发明还提供了一种上述NO2化学电阻式气体传感器的制备方法：在基底表面形成平整的绝缘层，然后使含端氨基的硅烷化合物在绝缘层表面进行自组装，形成表面修饰层；在表面修饰层上沉积活性敏感层，在活性敏感层上沉积源漏电极，形成NO2化学电阻式气体传感器。本发明的气体传感器对NO2表现出快速的响应和快速的回复特点，响应灵敏度很高，最低检测限可以达到ppb级别。

公开(公告)号：CN113380953B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110759016.0

申请日：2021-07-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 迟力峰 ,  黄丽珍 ,  王滋 ,  薛娣

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速，具有普适性，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN107991353B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201711216696.1

申请日：2017-11-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 迟力峰 ,  黄丽珍 ,  王滋 ,  朱晓飞

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明涉及一种NO2化学电阻式气体传感器，包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、表面修饰层、活性敏感层以及源漏电极，表面修饰层的材质为含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式为H2N‑(CH2)n‑SiCl3，H2N‑(CH2)n‑Si(OCH3)3或H2N‑(CH2)n‑Si(OC2H5)3，其中，n＝3‑18，活性敏感层的材质为有机半导体。本发明还提供了一种上述NO2化学电阻式气体传感器的制备方法：在基底表面形成平整的绝缘层，然后使含端氨基的硅烷化合物在绝缘层表面进行自组装，形成表面修饰层；在表面修饰层上沉积活性敏感层，在活性敏感层上沉积源漏电极，形成NO2化学电阻式气体传感器。本发明的气体传感器对NO2表现出快速的响应和快速的回复特点，响应灵敏度很高，最低检测限可以达到ppb级别。

公开(公告)号：CN116828868A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310534145.9

申请日：2023-05-12

Applicant: 苏州大学

Inventor： 黄丽珍 ,  迟力峰 ,  薛娣 ,  王滋 ,  龚伟杰 ,  张莹莹

IPC: H10K30/00 ,  H10K30/20 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种负光导晶体管器件及其制备方法。该负光导晶体管器件包括依次设置的基底、绝缘层、有机异质结构光敏层以及源漏电极，所述有机异质结构光敏层包括p型半导体光敏层和n型半导体光敏层。本发明提出了利用界面调控构建具有双极输运的异质结构来实现负光导效应的通用器件构型，在该器件构型中通过合适的异质结构材料组合可以在多个材料体系中可控地实现负光导效应。制备方法简单快速、具有普适性。