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公开(公告)号：CN116828868A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310534145.9
申请日：2023-05-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种负光导晶体管器件及其制备方法。该负光导晶体管器件包括依次设置的基底、绝缘层、有机异质结构光敏层以及源漏电极，所述有机异质结构光敏层包括p型半导体光敏层和n型半导体光敏层。本发明提出了利用界面调控构建具有双极输运的异质结构来实现负光导效应的通用器件构型，在该器件构型中通过合适的异质结构材料组合可以在多个材料体系中可控地实现负光导效应。制备方法简单快速、具有普适性。
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公开(公告)号：CN108854118A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810869611.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种小剂量有机材料提纯方法及提纯设备，本发明的提纯方法包括如下步骤：将待提纯的有机源材料置于蒸发源中，将蒸发源安装在收集室上方，样品收集台设于收集室内部且位于蒸发源出口正下方，将收集室中的挡板调整至蒸发源出口和样品收集台之间；调整收集室内的真空度达到10‑9Pa以内；对蒸发源中的有机源材料进行加热，控制加热温度低于目标分子的蒸发/升华温度；调整挡板的位置使蒸发源的出口正对样品收集台，控制蒸发源中有机源材料的加热温度不低于目标分子的蒸发/升华温度，样品收集台上集得的即为已提纯的有机源材料，上述提纯方法可实现对质量小于5g的小剂量有机源材料的高效提纯。
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公开(公告)号：CN107991353A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711216696.1
申请日：2017-11-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种NO2化学电阻式气体传感器，包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、表面修饰层、活性敏感层以及源漏电极，表面修饰层的材质为含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式为H2N-(CH2)n-SiCl3，H2N-(CH2)n-Si(OCH3)3或H2N-(CH2)n-Si(OC2H5)3，其中，n＝3-18，活性敏感层的材质为有机半导体。本发明还提供了一种上述NO2化学电阻式气体传感器的制备方法：在基底表面形成平整的绝缘层，然后使含端氨基的硅烷化合物在绝缘层表面进行自组装，形成表面修饰层；在表面修饰层上沉积活性敏感层，在活性敏感层上沉积源漏电极，形成NO2化学电阻式气体传感器。本发明的气体传感器对NO2表现出快速的响应和快速的回复特点，响应灵敏度很高，最低检测限可以达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN113380953B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110759016.0
申请日：2021-07-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速，具有普适性，易于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864039B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110464112.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体器件原位电学性能监测设备，包括：真空腔体，提供器件制备及原位监测的真空环境；蒸发源，提供器件制备的原材料；检测组件，包括用于实现原位电学检测的探针、设置在真空腔体外的探针座和带动探针座移动的探针移动台，探针座与真空腔体之间设置有真空波纹管，探针安装在所述探针座上并穿过真空波纹管插入到真空腔体内。可视组件，用于观察位于真空腔体内的探针的位置，调节探针移动台使探针移动到原位电学监测点；监测仪器，与检测组件连接，获取检测组件的检测数据。本发明能够在有机半导体薄膜制备的过程中，实时原位测量有机半导体薄膜的电学信号，获得电学信号随薄膜厚度或异质结类型的实时演变。
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公开(公告)号：CN107991353B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201711216696.1
申请日：2017-11-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种NO2化学电阻式气体传感器，包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、表面修饰层、活性敏感层以及源漏电极，表面修饰层的材质为含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式为H2N‑(CH2)n‑SiCl3，H2N‑(CH2)n‑Si(OCH3)3或H2N‑(CH2)n‑Si(OC2H5)3，其中，n＝3‑18，活性敏感层的材质为有机半导体。本发明还提供了一种上述NO2化学电阻式气体传感器的制备方法：在基底表面形成平整的绝缘层，然后使含端氨基的硅烷化合物在绝缘层表面进行自组装，形成表面修饰层；在表面修饰层上沉积活性敏感层，在活性敏感层上沉积源漏电极，形成NO2化学电阻式气体传感器。本发明的气体传感器对NO2表现出快速的响应和快速的回复特点，响应灵敏度很高，最低检测限可以达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN113380953A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110759016.0
申请日：2021-07-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速，具有普适性，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112864039A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110464112.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体器件原位电学性能智能监测设备，包括：真空腔体，提供器件制备及原位监测的真空环境；蒸发源，提供器件制备的原材料；检测组件，包括用于实现原位电学检测的探针、设置在真空腔体外的探针座和带动探针座移动的探针移动台，探针座与真空腔体之间设置有真空波纹管，探针安装在所述探针座上并穿过真空波纹管插入到真空腔体内。可视组件，用于观察位于真空腔体内的探针的位置，调节探针移动台使探针移动到原位电学监测点；监测仪器，与检测组件连接，获取检测组件的检测数据。本发明能够在有机半导体薄膜制备的过程中，实时原位测量有机半导体薄膜的电学信号，获得电学信号随薄膜厚度或异质结类型的实时演变。
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公开(公告)号：CN208660396U
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201821236940.0
申请日：2018-08-02
Applicant: 苏州大学
IPC: B01D3/10
Abstract: 本实用新型涉及提纯设备技术领域，具体涉及一种小剂量有机材料提纯设备，包括收集室、用以盛装待提纯有机源材料且出口设于所述收集室内部的蒸发源、设于所述蒸发源出口正下方的样品收集台、位置可调整的设于所述收集室内的挡板、用以对所述蒸发源进行加热的第一加热装置、用以对所述样品收集台进行加热的第二加热装置以及用以对所述收集室内部进行抽真空的真空提供系统，本实用新型的提纯设备结构简单，操作方便，可以实现对质量小于5g的小剂量有机源材料的高效提纯。
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