公开(公告)号：CN105552227B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201610073835.9

申请日：2016-02-03

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨湛 ,  黄栋梁 ,  陈涛 ,  刘会聪 ,  王蓬勃 ,  张略 ,  金国庆 ,  孙立宁

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种鳍式碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，所述场效应晶体管包括基底、位于基底上的源极和漏极、及位于基底上源极和漏极之间的栅极，所述源极、漏极和栅极上并排黏着有若干用作场效应晶体管导电沟槽的碳纳米管，所述碳纳米管呈三维鳍式设置。本发明将晶体管的源极、漏极和栅极设计为立式电极结构，节省了基底的平面面积，缩小了晶体管尺寸，增加了芯片上晶体管的数量，能够提高芯片的性能；采用多根碳纳米管作为导电沟槽，能够获得比单根碳纳米管更高的电流密度，提高了晶体管的性能。

公开(公告)号：CN105552227A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610073835.9

申请日：2016-02-03

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨湛 ,  黄栋梁 ,  陈涛 ,  刘会聪 ,  王蓬勃 ,  张略 ,  金国庆 ,  孙立宁

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0048 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明公开了一种鳍式碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，所述场效应晶体管包括基底、位于基底上的源极和漏极、及位于基底上源极和漏极之间的栅极，所述源极、漏极和栅极上并排黏着有若干用作场效应晶体管导电沟槽的碳纳米管，所述碳纳米管呈三维鳍式设置。本发明将晶体管的源极、漏极和栅极设计为立式电极结构，节省了基底的平面面积，缩小了晶体管尺寸，增加了芯片上晶体管的数量，能够提高芯片的性能；采用多根碳纳米管作为导电沟槽，能够获得比单根碳纳米管更高的电流密度，提高了晶体管的性能。

公开(公告)号：CN205582971U

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201620106354.9

申请日：2016-02-03

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨湛 ,  黄栋梁 ,  陈涛 ,  刘会聪 ,  王蓬勃 ,  张略 ,  金国庆 ,  孙立宁

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本实用新型公开了一种鳍式碳纳米管场效应晶体管，所述场效应晶体管包括基底、位于基底上的源极和漏极、及位于基底上源极和漏极之间的栅极，所述源极、漏极和栅极上并排黏着有若干用作场效应晶体管导电沟槽的碳纳米管，所述碳纳米管呈三维鳍式设置。本实用新型将晶体管的源极、漏极和栅极设计为立式电极结构，节省了基底的平面面积，缩小了晶体管尺寸，增加了芯片上晶体管的数量，能够提高芯片的性能；采用多根碳纳米管作为导电沟槽，能够获得比单根碳纳米管更高的电流密度，提高了晶体管的性能。