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公开(公告)号：CN114314645A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210025997.0
申请日：2022-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种分散在醇类溶剂中的二氧化锡纳米颗粒的制备方法及应用，属于纳米材料技术领域。所述制备方法为：(1)将氯化锡和碱溶于乙醇溶液中，加热反应并恒温，反应产物固液分离并取固相，固相溶于醇类溶剂中，得到二氧化锡‑醇分散液；(2)向步骤(1)中所得二氧化锡‑醇分散液加入季铵碱，搅拌反应，得到所述二氧化锡纳米颗粒。本发明所得二氧化锡纳米颗粒为提升光电器件的稳定性提供了新鲜的路径，拓宽了SnO2的应用范围，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN116437700A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310480393.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种高空穴注入效率的发光器件及其制备方法，属于发光器件技术领域。本发明的高空穴注入效率的发光器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、界面功能层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；空穴注入层的材料为功函数大于5.1eV的材料；界面功能层的材料的最高占据分子轨道HOMO能级比空穴传输层的材料深0.2eV以上，光学带隙大于2.6eV。本发明的发光器件通过在高功函的电极和空穴传输层之间引入具有合适电子能级和能级无序度的界面功能层降低甚至消除电极‑有机半导体之间的费米能级钉扎，有效的降低发光器件中空穴注入势垒，抑制界面处载流子积累，提升空穴注入效率，提升发光量子效率和亮度，提升发光器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN111004472A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911287981.1
申请日：2019-12-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有分相结构的环氧树脂预聚物及其制备方法与应用，以环氧树脂、酸酐、多元胺以及促进剂等为原料，制备不同环氧树脂预聚体系；利用不同预聚体系间的界面反应控制形成具有相分离结构的热固性环氧树脂固化材料，由于固化树脂体系中相分离结构的存在，使得该环氧树脂固化物具有优异的力学性能，同时具有良好的形状记忆性能。
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公开(公告)号：CN119894229A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311351292.9
申请日：2023-10-18
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/11 , H10K50/12 , H10K71/20 , H10K71/10
Abstract: 本发明属于电致发光器件领域，具体涉及一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件。本发明通过配体交换技术对氧化物纳米颗粒进行长链配体包覆，使其表面由亲水属性转变为亲油属性，使该氧化物纳米颗粒可通过溶液涂布法在有机物或氧化物基底成膜，并可通过纳米压印、转印工艺实现高质量图案化。本发明可以解决传统阻挡层由于拾取率低、阻挡层自发光和难以与发光量子点溶液浸润等原因难以克服的漏电流和像元间串扰问题。本发明通过对纳米压印过程中的剥离速率及压力精确控制，可以有效提高阻挡层图案的完整度及调控膜厚。
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公开(公告)号：CN115000316B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210710946.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K50/16 , H10K50/115 , H10K71/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种双电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法与应用。本发明为了在不损失最大亮度的前提下解决量子点发光二极管中的正向老化现象，提出一种以SnO2纳米颗粒和ZnO纳米颗粒构成双电子传输层的量子点发光二极管器件的制备方法。其中SnO2纳米颗粒与量子点发光层直接接触，用于阻隔发光层向ZnO的电荷转移。ZnO纳米颗粒层与SnO2纳米颗粒层和阴极接触，用于保障高效电子注入。不同于传统QLED，本发明制备的量子点发光二极管器件能充分抑制正向老化，明显提升QLED的贮存稳定性、器件的电流和最大亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113237639B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110730954.8
申请日：2021-06-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种光二极管的测试装置，其包括激发模块，包括光源组件、斩波器、聚焦消色差透镜和函数发生器；信号收集模块，包括两个信号通道、处理器和用于承载待测器件的样品台，所述两个信号通道沿待测器件空间对称，所述两个信号通道中均包括信号收集组件。本发明光二极管的测试装置针对现有电致吸收光谱技术无法在正向偏压下测量光二极管的问题，通过在信号收集模块中引入平衡差分测量从而成功避免了光二极管电致发光对测试信号的干扰，从而成功实现在光二极管正向偏置情况下的电致吸收光谱测量。并为研究主动式电致发光器件的内部局域电场、内建电场和衰减机理等问题提供了有效地表征手段，具有重要实用价值。
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公开(公告)号：CN113237639A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110730954.8
申请日：2021-06-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种光二极管的测试装置，其包括激发模块，包括光源组件、斩波器、聚焦消色差透镜和函数发生器；信号收集模块，包括两个信号通道、处理器和用于承载待测器件的样品台，所述两个信号通道沿待测器件空间对称，所述两个信号通道中均包括信号收集组件。本发明光二极管的测试装置针对现有电致吸收光谱技术无法在正向偏压下测量光二极管的问题，通过在信号收集模块中引入平衡差分测量从而成功避免了光二极管电致发光对测试信号的干扰，从而成功实现在光二极管正向偏置情况下的电致吸收光谱测量。并为研究主动式电致发光器件的内部局域电场、内建电场和衰减机理等问题提供了有效地表征手段，具有重要实用价值。
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公开(公告)号：CN119907598A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311358937.1
申请日：2023-10-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/10
Abstract: 本发明涉及一种具有微纳像元的量子点电致发光器件的制备方法，属于发光器件技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤，S1、在第一电极上依次旋涂空穴注入层和空穴传输层，真空气相沉积界面层，旋涂阻隔层并退火干燥处理；S2、将预处理的PDMS凸印章黏附在阻隔层上，PDMS凸印章的凸起部分与阻隔层完全接触并退火干燥处理，后将PDMS凸印章移走，形成图案化缺失区域；S3、向图案化缺失区域填充发光材料，形成微纳像元；S4、在上述样品上旋涂电子传输层并退火干燥处理，蒸镀第二电极，得到器件。本发明的制备方法改善了阻隔层的图案化质量，显著降低像元间电学串扰，抑制漏电流引起的电致发光效率损失，提升后续填入阻隔层缺失区域的发光量子点图案化质量。
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公开(公告)号：CN119907396A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311358316.3
申请日：2023-10-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K50/115 , H10K85/10 , H10K101/30
Abstract: 本发明涉及一种交流驱动的量子点电致发光器件，属于发光器件技术领域。本发明的器件包括第一隧穿异质结层、发光层、第二隧穿异质结层；第一隧穿异质结层包括隧穿层A和隧穿层B；第二隧穿异质结层包括隧穿层C、隧穿层D和隧穿层E；隧穿层A和隧穿层D的材料独立地为功函数大于5.1eV的n型导电高分子材料和/或n型金属氧化物半导体材料；隧穿层B和隧穿层E的材料独立地为最高占据分子轨道HOMO能级在‑5.0eV至‑6.0eV之间的p型材料；隧穿层C的材料为最低占据分子轨道LUMO能级在‑2.5eV至‑4.5eV的n型电子传输材料。本发明的器件有效解决载流子注入相关的器件衰减、缓解电荷注入不平衡、器件工作电压过高以及发光强度不足的问题。
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公开(公告)号：CN116828883A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310756484.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K50/115 , H10K71/00 , H10K101/40
Abstract: 本发明属于电致发光器件领域，具体涉及一种具有发光层无序度梯度的量子点电致发光器件。包括依次设置的衬底，器件阳极，空穴注入层，空穴传输层，量子点发光层，电子传输层，器件阴极；量子点发光层由多个胶体纳米晶单层自组装膜堆叠构成，每个单层自组装膜的电子态密度分布平均能量和纳米晶平均尺寸相同，且每个单层自组装膜的最高占据态轨道和最低未占据态轨道的电子态密度分布宽度和纳米晶尺寸分布宽度沿着衬底的法线方向随着与空穴传输层‑量子点层界面的距离的增加而单调减小，并最终趋于常值。该方案突破了基于能级匹配理论提升空穴注入的方案，通过无序度梯度渐变降低空穴传输层和量子点层之间的空穴注入势垒，提升器件发光性能。
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