公开(公告)号：CN116437700A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310480393.X

申请日：2023-04-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈崧 ,  孙晓娟

IPC: H10K50/17 ,  H10K50/15 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种高空穴注入效率的发光器件及其制备方法，属于发光器件技术领域。本发明的高空穴注入效率的发光器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、界面功能层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；空穴注入层的材料为功函数大于5.1eV的材料；界面功能层的材料的最高占据分子轨道HOMO能级比空穴传输层的材料深0.2eV以上，光学带隙大于2.6eV。本发明的发光器件通过在高功函的电极和空穴传输层之间引入具有合适电子能级和能级无序度的界面功能层降低甚至消除电极‑有机半导体之间的费米能级钉扎，有效的降低发光器件中空穴注入势垒，抑制界面处载流子积累，提升空穴注入效率，提升发光量子效率和亮度，提升发光器件的工作寿命。

公开(公告)号：CN116828883A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310756484.1

申请日：2023-06-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈崧 ,  唐峰 ,  孙晓娟 ,  李欣蕊

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/00 ,  H10K101/40

Abstract: 本发明属于电致发光器件领域，具体涉及一种具有发光层无序度梯度的量子点电致发光器件。包括依次设置的衬底，器件阳极，空穴注入层，空穴传输层，量子点发光层，电子传输层，器件阴极；量子点发光层由多个胶体纳米晶单层自组装膜堆叠构成，每个单层自组装膜的电子态密度分布平均能量和纳米晶平均尺寸相同，且每个单层自组装膜的最高占据态轨道和最低未占据态轨道的电子态密度分布宽度和纳米晶尺寸分布宽度沿着衬底的法线方向随着与空穴传输层‑量子点层界面的距离的增加而单调减小，并最终趋于常值。该方案突破了基于能级匹配理论提升空穴注入的方案，通过无序度梯度渐变降低空穴传输层和量子点层之间的空穴注入势垒，提升器件发光性能。