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公开(公告)号：CN115000316B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210710946.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K50/16 , H10K50/115 , H10K71/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种双电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法与应用。本发明为了在不损失最大亮度的前提下解决量子点发光二极管中的正向老化现象，提出一种以SnO2纳米颗粒和ZnO纳米颗粒构成双电子传输层的量子点发光二极管器件的制备方法。其中SnO2纳米颗粒与量子点发光层直接接触，用于阻隔发光层向ZnO的电荷转移。ZnO纳米颗粒层与SnO2纳米颗粒层和阴极接触，用于保障高效电子注入。不同于传统QLED，本发明制备的量子点发光二极管器件能充分抑制正向老化，明显提升QLED的贮存稳定性、器件的电流和最大亮度。
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公开(公告)号：CN114314645B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210025997.0
申请日：2022-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种分散在醇类溶剂中的二氧化锡纳米颗粒的制备方法及应用，属于纳米材料技术领域。所述制备方法为：(1)将氯化锡和碱溶于乙醇溶液中，加热反应并恒温，反应产物固液分离并取固相，固相溶于醇类溶剂中，得到二氧化锡‑醇分散液；(2)向步骤(1)中所得二氧化锡‑醇分散液加入季铵碱，搅拌反应，得到所述二氧化锡纳米颗粒。本发明所得二氧化锡纳米颗粒为提升光电器件的稳定性提供了新鲜的路径，拓宽了SnO2的应用范围，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN115000316A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210710946.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种双电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法与应用。本发明为了在不损失最大亮度的前提下解决量子点发光二极管中的正向老化现象，提出一种以SnO2纳米颗粒和ZnO纳米颗粒构成双电子传输层的量子点发光二极管器件的制备方法。其中SnO2纳米颗粒与量子点发光层直接接触，用于阻隔发光层向ZnO的电荷转移。ZnO纳米颗粒层与SnO2纳米颗粒层和阴极接触，用于保障高效电子注入。不同于传统QLED，本发明制备的量子点发光二极管器件能充分抑制正向老化，明显提升QLED的贮存稳定性、器件的电流和最大亮度。
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公开(公告)号：CN114314645A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210025997.0
申请日：2022-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种分散在醇类溶剂中的二氧化锡纳米颗粒的制备方法及应用，属于纳米材料技术领域。所述制备方法为：(1)将氯化锡和碱溶于乙醇溶液中，加热反应并恒温，反应产物固液分离并取固相，固相溶于醇类溶剂中，得到二氧化锡‑醇分散液；(2)向步骤(1)中所得二氧化锡‑醇分散液加入季铵碱，搅拌反应，得到所述二氧化锡纳米颗粒。本发明所得二氧化锡纳米颗粒为提升光电器件的稳定性提供了新鲜的路径，拓宽了SnO2的应用范围，具有重要的实用价值。
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