公开(公告)号：CN119907598A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202311358937.1

申请日：2023-10-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈崧 ,  周洛禾 ,  孙旭昊

IPC: H10K71/00 ,  H10K50/115 ,  H10K50/10

Abstract: 本发明涉及一种具有微纳像元的量子点电致发光器件的制备方法，属于发光器件技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤，S1、在第一电极上依次旋涂空穴注入层和空穴传输层，真空气相沉积界面层，旋涂阻隔层并退火干燥处理；S2、将预处理的PDMS凸印章黏附在阻隔层上，PDMS凸印章的凸起部分与阻隔层完全接触并退火干燥处理，后将PDMS凸印章移走，形成图案化缺失区域；S3、向图案化缺失区域填充发光材料，形成微纳像元；S4、在上述样品上旋涂电子传输层并退火干燥处理，蒸镀第二电极，得到器件。本发明的制备方法改善了阻隔层的图案化质量，显著降低像元间电学串扰，抑制漏电流引起的电致发光效率损失，提升后续填入阻隔层缺失区域的发光量子点图案化质量。

公开(公告)号：CN119894229A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202311351292.9

申请日：2023-10-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈崧 ,  孙旭昊 ,  周洛禾

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/11 ,  H10K50/12 ,  H10K71/20 ,  H10K71/10

Abstract: 本发明属于电致发光器件领域，具体涉及一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件。本发明通过配体交换技术对氧化物纳米颗粒进行长链配体包覆，使其表面由亲水属性转变为亲油属性，使该氧化物纳米颗粒可通过溶液涂布法在有机物或氧化物基底成膜，并可通过纳米压印、转印工艺实现高质量图案化。本发明可以解决传统阻挡层由于拾取率低、阻挡层自发光和难以与发光量子点溶液浸润等原因难以克服的漏电流和像元间串扰问题。本发明通过对纳米压印过程中的剥离速率及压力精确控制，可以有效提高阻挡层图案的完整度及调控膜厚。