一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107968151A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201610915278.0

    申请日:2016-10-20

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: H01L51/0545 H01L51/0529

    Abstract: 本发明公开了一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法,所述纳米复合体晶体管存储器所述存储器包括一柔性基底、一栅电极、一栅绝缘层、一电荷存储层、一隧穿绝缘层、一半导体层以及一源漏电极。其中所述电荷存储层采用由两种或两种以上材料制备的纳米复合体制成,可以有效增加电荷存储密度,性能优于其中单一材料单独作为电荷存储层的性能。所述纳米复合体晶体管存储器的制备方法工艺简单,生产成本较低。

    金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法

    公开(公告)号:CN102554244A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210062310.7

    申请日:2012-03-12

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法,步骤为先将碳材料纳米载体通过超声充分分散到离子液体溶液中,得到碳材料载体-离子液体的悬浊液;再将该悬浊液转移到容器中,通过磁控溅射的方法向悬浊液中溅射各种不同的金属靶材,此时得到离子液体-碳材料-金属纳米颗粒的混合溶液;最后通过高速离心和利用丙酮或无水乙醇等有机溶剂将离子液体洗净,即可得到通过自组装形成的金属纳米颗粒-碳材料载体的纳米复合物。本发明通过自组装过程能够制备出高质量的各种金属纳米颗粒与碳材料形成的复合物,金属纳米颗粒的大小可以通过选择不同的离子液体来进行控制,金属纳米颗粒的密度可以通过改变溅射条件来进行控制。(见最后一段文字和图片)本发明可控性好,不需要添加额外的还原剂,且无副产品产生。

    一种紫外辐射剂量监测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114784190A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210270566.0

    申请日:2022-03-18

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明所述的紫外辐射剂量监测器,下电极作为辅助电极协同器件工作,用于控制有机半导体层和绝缘层中的电场;绝缘层阻隔了下电极与有机光致变色材料‑聚合物复合膜层的联通,避免在上电极组间沟道内的载流子流至下电极;上电极组控制有机光致变色材料‑聚合物复合膜层和有机半导体层的电场;有机光致变色材料‑聚合物复合膜层作为介电层,器件工作时,遇紫外光照射,有机光致变色材料结构等性质改变,存储电荷,使上电极组间的传输电流发生改变,而在波长大于紫外线的光照下,或在黑暗条件下,电流不发生改变,上电极之间沟道电流的变化与紫外辐射剂量一一对应,可直接反映紫外辐射的累积量。

    一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法

    公开(公告)号:CN107978603A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201610914897.8

    申请日:2016-10-20

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法,所述薄膜晶体管存储器采用双栅结构,在半导体薄膜两侧设置两个独立电荷存储层,并且通过编程施加一定的栅极、漏极电压,使电子或空穴分别注入上、下电荷存储层,在单个薄膜晶体管存储器中存储2位4值信息。采用所述薄膜晶体管存储器多值存储方法对编程后阈值电压分布及电荷保持能力的要求与普通单个器件存储1位信息的薄膜晶体管存储器相同,并且多值存储的实现不以牺牲器件的可靠性与稳定性为代价,适用于当前的薄膜晶体管存储器,具有较强的可行性。

    一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器

    公开(公告)号:CN110718633A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201911089437.6

    申请日:2019-11-08

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器,包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿-碳纳米管体异质结薄膜、电极层以及封装层;其中,所述钙钛矿-碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管。本发明的基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器,利用碳纳米管的高载流子迁移率与宽谱吸收特性,将钙钛矿的吸收光谱拓宽至近红外范围,同时提升了钙钛矿薄膜结晶质量及载流子迁移率,克服了溶液法制备的多晶钙钛矿薄膜在近红外范围内吸收低与载流子迁移率低的关键应用瓶颈。本发明所述的钙钛矿-碳纳米管体异质结结构可显著增加用于电荷分离的界面面积,使得光响应度得到了大幅度提升。

    一种紫外辐射剂量监测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114784190B

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202210270566.0

    申请日:2022-03-18

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明所述的紫外辐射剂量监测器,下电极作为辅助电极协同器件工作,用于控制有机半导体层和绝缘层中的电场;绝缘层阻隔了下电极与有机光致变色材料‑聚合物复合膜层的联通,避免在上电极组间沟道内的载流子流至下电极;上电极组控制有机光致变色材料‑聚合物复合膜层和有机半导体层的电场;有机光致变色材料‑聚合物复合膜层作为介电层,器件工作时,遇紫外光照射,有机光致变色材料结构等性质改变,存储电荷,使上电极组间的传输电流发生改变,而在波长大于紫外线的光照下,或在黑暗条件下,电流不发生改变,上电极之间沟道电流的变化与紫外辐射剂量一一对应,可直接反映紫外辐射的累积量。

    金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法

    公开(公告)号:CN102554244B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201210062310.7

    申请日:2012-03-12

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法,步骤为先将碳材料纳米载体通过超声充分分散到离子液体溶液中,得到碳材料载体-离子液体的悬浊液;再将该悬浊液转移到容器中,通过磁控溅射的方法向悬浊液中溅射各种不同的金属靶材,此时得到离子液体-碳材料-金属纳米颗粒的混合溶液;最后通过高速离心和利用丙酮或无水乙醇等有机溶剂将离子液体洗净,即可得到通过自组装形成的金属纳米颗粒-碳材料载体的纳米复合物。本发明通过自组装过程能够制备出高质量的各种金属纳米颗粒与碳材料形成的复合物,金属纳米颗粒的大小可以通过选择不同的离子液体来进行控制,金属纳米颗粒的密度可以通过改变溅射条件来进行控制。本发明可控性好,不需要添加额外的还原剂,且无副产品产生。

    一种透明柔性参比电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN118641600A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410810742.4

    申请日:2024-06-21

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于先进材料技术,具体为电极制备,涉及一种透明柔性参比电极及其制备方法。本发明在透明柔性基底上的功能层表面的微纳网格沟槽内形成银层,然后在银层表面形成氯化银层;然后在氯化银层表面制备阳离子选择性薄膜,得到透明柔性参比电极。本发明银/氯化银电极制备方案采用(电)化学氯化方法或分步刮涂法,实现表层氯化银+底层银纳米颗粒的构型。本发明所获得的参比电极在保证柔性透明的同时,可以有效减缓参比电极内部氯离子的流失,保证内部氯离子浓度处于较高状态,使得内部的氯化银颗粒不容易出现分解,具有优异的电位稳定性。

    一种柔性薄膜记忆晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117597018A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311513923.2

    申请日:2023-11-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种柔性薄膜记忆晶体管及其制备方法,属于薄膜晶体管技术领域。本发明柔性薄膜记忆晶体管的结构从下至上依次为:柔性衬底、栅电极、栅介质层、半导体复合膜层和源漏电极组;所述半导体复合膜层采用半导体与含金属离子的盐复合制成。相比于两端忆阻器,由于额外的第三端栅极,柔性薄膜记忆晶体管的忆阻强度可通过施加栅极电压进行更大范围的调控。且基于离子转移界面可对界面处的离子重新再分布,从而实现电阻的连续可调,这点对于模拟神经形态功能尤为重要。基于有机材料的优势,其工艺制备方法简单,可大面积制备,制备温度低于60℃,与柔性衬底兼容性好。

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