公开(公告)号：CN107968151A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201610915278.0

申请日：2016-10-20

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王穗东 ,  高旭 ,  徐建龙 ,  董彬 ,  刘杰 ,  张精宇

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0529

Abstract: 本发明公开了一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法，所述纳米复合体晶体管存储器所述存储器包括一柔性基底、一栅电极、一栅绝缘层、一电荷存储层、一隧穿绝缘层、一半导体层以及一源漏电极。其中所述电荷存储层采用由两种或两种以上材料制备的纳米复合体制成，可以有效增加电荷存储密度，性能优于其中单一材料单独作为电荷存储层的性能。所述纳米复合体晶体管存储器的制备方法工艺简单，生产成本较低。