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公开(公告)号：CN114784190B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210270566.0
申请日：2022-03-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所述的紫外辐射剂量监测器，下电极作为辅助电极协同器件工作，用于控制有机半导体层和绝缘层中的电场；绝缘层阻隔了下电极与有机光致变色材料‑聚合物复合膜层的联通，避免在上电极组间沟道内的载流子流至下电极；上电极组控制有机光致变色材料‑聚合物复合膜层和有机半导体层的电场；有机光致变色材料‑聚合物复合膜层作为介电层，器件工作时，遇紫外光照射，有机光致变色材料结构等性质改变，存储电荷，使上电极组间的传输电流发生改变，而在波长大于紫外线的光照下，或在黑暗条件下，电流不发生改变，上电极之间沟道电流的变化与紫外辐射剂量一一对应，可直接反映紫外辐射的累积量。
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公开(公告)号：CN114784190A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210270566.0
申请日：2022-03-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所述的紫外辐射剂量监测器，下电极作为辅助电极协同器件工作，用于控制有机半导体层和绝缘层中的电场；绝缘层阻隔了下电极与有机光致变色材料‑聚合物复合膜层的联通，避免在上电极组间沟道内的载流子流至下电极；上电极组控制有机光致变色材料‑聚合物复合膜层和有机半导体层的电场；有机光致变色材料‑聚合物复合膜层作为介电层，器件工作时，遇紫外光照射，有机光致变色材料结构等性质改变，存储电荷，使上电极组间的传输电流发生改变，而在波长大于紫外线的光照下，或在黑暗条件下，电流不发生改变，上电极之间沟道电流的变化与紫外辐射剂量一一对应，可直接反映紫外辐射的累积量。
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公开(公告)号：CN107978603A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610914897.8
申请日：2016-10-20
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L27/11524 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法，所述薄膜晶体管存储器采用双栅结构，在半导体薄膜两侧设置两个独立电荷存储层，并且通过编程施加一定的栅极、漏极电压，使电子或空穴分别注入上、下电荷存储层，在单个薄膜晶体管存储器中存储2位4值信息。采用所述薄膜晶体管存储器多值存储方法对编程后阈值电压分布及电荷保持能力的要求与普通单个器件存储1位信息的薄膜晶体管存储器相同，并且多值存储的实现不以牺牲器件的可靠性与稳定性为代价，适用于当前的薄膜晶体管存储器，具有较强的可行性。
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公开(公告)号：CN117597018A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311513923.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性薄膜记忆晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域。本发明柔性薄膜记忆晶体管的结构从下至上依次为：柔性衬底、栅电极、栅介质层、半导体复合膜层和源漏电极组；所述半导体复合膜层采用半导体与含金属离子的盐复合制成。相比于两端忆阻器，由于额外的第三端栅极，柔性薄膜记忆晶体管的忆阻强度可通过施加栅极电压进行更大范围的调控。且基于离子转移界面可对界面处的离子重新再分布，从而实现电阻的连续可调，这点对于模拟神经形态功能尤为重要。基于有机材料的优势，其工艺制备方法简单，可大面积制备，制备温度低于60℃，与柔性衬底兼容性好。
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