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公开(公告)号：CN114026189A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080046236.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105 , B24B37/04
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种研磨液组合物，其能够确保氧化硅膜的研磨速度，并且提高研磨选择性。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、水溶性高分子(成分B)、阴离子性缩合物(成分C)、及水系介质，成分B是包含下述式(I)所表示的结构单元b1的聚合物。
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公开(公告)号：CN102108281B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201010585992.0
申请日：2010-12-13
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 山口哲史
CPC classification number: G11B5/8404 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液组合物，其是镀覆有Ni-P的铝合金基板用的研磨液组合物，其含有研磨材、酸、氧化剂、杂环芳香族化合物、脂肪族胺化合物或脂环式胺化合物、以及水，所述杂环芳香族化合物的杂环内含有2个以上的氮原子，所述脂肪族胺化合物或脂环式胺化合物的分子内含有2～4个氮原子，所述研磨液组合物的pH为3.0以下。本发明还涉及使用了上述研磨液组合物的磁盘基板的制造方法以及被研磨基板的研磨方法。
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公开(公告)号：CN102108281A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010585992.0
申请日：2010-12-13
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 山口哲史
CPC classification number: G11B5/8404 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液组合物，其是镀覆有Ni-P的铝合金基板用的研磨液组合物，其含有研磨材、酸、氧化剂、杂环芳香族化合物、脂肪族胺化合物或脂环式胺化合物、以及水，所述杂环芳香族化合物的杂环内含有2个以上的氮原子，所述脂肪族胺化合物或脂环式胺化合物的分子内含有2～4个氮原子，所述研磨液组合物的pH为3.0以下。本发明还涉及使用了上述研磨液组合物的磁盘基板的制造方法以及被研磨基板的研磨方法。
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公开(公告)号：CN1923943A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610108436.8
申请日：2006-08-02
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 山口哲史
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，以及使用该研磨液组合物的基板的研磨方法。所述研磨液组合物含有二氧化硅、酸、表面活性剂和水，其中(a)25℃时酸在水中的溶解度大于等于1g/100g饱和水溶液，(b)表面活性剂为以通式(1)或(2)所示的磺酸或其盐，且(c)研磨液组合物的pH值为特定范围。该研磨液组合物例如适合用于磁盘、光盘、光磁盘等盘状记录介质用的基板的研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102863943B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210334863.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 山口哲史
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种硬盘用基板用研磨液组合物，该研磨液组合物含有二氧化硅、酸、表面活性剂和水，其中(a)25℃时酸在水中的溶解度大于等于1g/100g饱和水溶液，(b)表面活性剂为以下述通式(1)所示的磺酸或其盐，且(c)研磨液组合物的pH值为0～4，所述表面活性剂的含量为0.005～2重量％，通式(1)中，R表示碳原子数为6～20的全氟烃基，X表示从芳香烃的芳香环去掉2个氢原子后的残基，n表示0或1。本发明还提供使用上述研磨液组合物来研磨、制造基板的方法以及降低基板的端面下垂的方法。R-(O)n-X-SO3H (1)。
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公开(公告)号：CN101063031B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710101113.0
申请日：2007-04-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/84
Abstract: 本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种，其中，对于上述二氧化硅粒子，用将透射型电子显微镜观察测定得到的所述二氧化硅粒子的最大径作为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再乘以100所得到的值为100—130的范围。
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公开(公告)号：CN102209765A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144360.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B29/00 , B24B37/044 , B24B37/048 , C01B33/14 , C03C19/00 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。
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公开(公告)号：CN112753095B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980062898.6
申请日：2019-09-18
Applicant: 花王株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。
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公开(公告)号：CN114026189B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202080046236.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105 , B24B37/04
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种研磨液组合物，其能够确保氧化硅膜的研磨速度，并且提高研磨选择性。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、水溶性高分子(成分B)、阴离子性缩合物(成分C)、及水系介质，成分B是包含下述式(I)所表示的结构单元b1的聚合物。
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