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公开(公告)号：CN103119122A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045169.3
申请日：2011-09-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供能够减少研磨后的被研磨物的表面粗糙度及颗粒的研磨液组合物的制造方法。本发明涉及研磨液组合物的制造方法，其具有如下工序：将含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的被处理二氧化硅分散液，用包含过滤助剂的过滤器进行过滤处理的工序，其中，利用汞压入法测定的所述过滤助剂的平均细孔径为0.1～3.5μm。
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公开(公告)号：CN100404634C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200310124640.5
申请日：2003-12-25
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种抛光液组合物，其为含有水和硅石粒子的、用于存储器硬盘所用基板的抛光液组合物，对通过透射式电子显微镜(TEM)观察前述硅石粒子测定得到的该硅石粒子的粒径(nm)从小粒径侧开始的累积体积频率(%)进行绘图得到的该硅石粒子的粒径对累积体积频率图中，粒径40～100nm范围内的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(1)：V≥0.5×R+40(1)。本发明的抛光液组合物特别适用于存储器硬盘所用基板等精密元件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN101173160A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710169501.2
申请日：2003-07-31
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种研磨液组合物，含有研磨材、水、和有机酸或其盐，其剪切速度1500s－1时的在25℃的特定粘度为1.0－2.0MPa·s；一种端面下垂降低剂，由具有用下式表示(粘度降低量＝基准研磨液组合物的粘度－含有端面下垂降低剂的研磨液组合物的粘度)的粘度降低量为0.01MPa·s以上的粘度降低作用的布朗斯台德酸或其盐构成，其中，基准研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份及水79重量份构成，含有端面下垂降低剂的研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份、水78.9重量份及端面下垂降低剂0.1重量份构成，粘度是指在剪切速度1500s－1、25℃下的粘度。前述研磨液组合物或端面下垂降低剂组合物可很好地用于精密部件用基板等的研磨。
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公开(公告)号：CN1197930C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN01812907.2
申请日：2001-06-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本发明提供了被抛光物的表面上不产生表面缺陷、提高抛光速度、且降低表面粗糙度的抛光液组合物和被抛光基板的抛光方法。[1]抛光液组合物，它含有水、磨料、中间氧化铝、碳原子数在4个以上且没有OH基的多元羧酸或其盐，且中间氧化铝的含量相对于100重量份的磨料为1～90重量份；和[2]被抛光基板的抛光方法，它是在抛光时抛光液组合物是前述[1]抛光液组合物的条件下对被抛光基板进行抛光。
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公开(公告)号：CN1443231A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN01812907.2
申请日：2001-06-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本发明提供了被抛光物的表面上不产生表面缺陷、提高抛光速度、且降低表面粗糙度的抛光液组合物和被抛光基板的抛光方法。[1]抛光液组合物，它含有水、磨料、中间氧化铝、碳原子数在4个以上且没有OH基的多元羧酸或其盐，且中间氧化铝的含量相对于100重量份的磨料为1～90重量份；和[2]被抛光基板的抛光方法，它是在抛光时抛光液组合物是前述[1]抛光液组合物的条件下对被抛光基板进行抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1307279C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200410049278.4
申请日：2004-06-09
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及基板的制造方法、基板的研磨方法，及减少基板微小表面波纹的方法，所述方法包括用含有研磨材料和水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。本发明还涉及减少擦伤的方法，所述方法包括用含有研磨材料、氧化剂、酸、其盐或其混合物及水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。基板的制造方法可以用于记忆硬盘的最终研磨和半导体元件的研磨。
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公开(公告)号：CN1295293C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410004018.5
申请日：2004-02-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物，包含在水基介质中的硅石微粒，其中所述硅石微粒满足用透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的该硅石微粒的数基平均粒径与数基标准偏差之间的特定关系，且其中在该硅石微粒的粒径60～120nm范围内累积体积频度与粒径之间满足一种特定关系；一种记忆硬盘用基板的微小起伏降低方法，包含用该研磨液组合物对记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；一种记忆硬盘用基板的制造方法，包含用该研磨液组合物对镀Ni-P的记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；该方法适合用于记忆硬盘用基板等精密部件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN1572858A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049278.4
申请日：2004-06-09
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及基板的制造方法、基板的研磨方法，及减少基板微小表面波纹的方法，所述方法包括用含有研磨材料和水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。本发明还涉及减少擦伤的方法，所述方法包括用含有研磨材料、氧化剂、酸、其盐或其混合物及水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。基板的制造方法可以用于记忆硬盘的最终研磨和半导体元件的研磨。
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公开(公告)号：CN1475541A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03152471.0
申请日：2003-07-31
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , Y10T428/32
Abstract: 一种研磨液组合物，含有研磨材、水、和有机酸或其盐，其剪切速度1500s－1时的在25℃的特定粘度为1.0－2.0MPa·s；一种倒棱降低剂，由具有用下式表示(粘度降低量＝基准研磨液组合物的粘度－含有倒棱降低剂的研磨液组合物的粘度)的粘度降低量为0.01MPa·s以上的粘度降低作用的布朗斯台德酸或其盐构成，其中，基准研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份及水79重量份构成，含有倒棱降低剂的研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份、水78.9重量份及倒棱降低剂0.1重量份构成，粘度是指在剪切速度1500s－1、25℃下的粘度。前述研磨液组合物或倒棱降低剂组合物可很好地用于精密部件用基板等的研磨。
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公开(公告)号：CN1239983A
公开(公告)日：1999-12-29
申请号：CN97180544.X
申请日：1997-12-03
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K5/04 , C10M171/00 , C10M169/04 , C10N40/30
CPC classification number: C10M169/04 , C09K5/045 , C09K2205/24 , C10M111/04 , C10M171/008 , C10M2207/281 , C10M2207/282 , C10M2207/283 , C10M2207/286 , C10M2207/30 , C10M2207/304 , C10M2209/104 , C10M2209/105 , C10M2209/107 , C10M2211/022 , C10M2211/06 , C10N2220/02 , C10N2240/00 , C10N2240/22 , C10N2240/30 , C10N2240/50 , C10N2240/52 , C10N2240/54 , C10N2240/56 , C10N2240/58 , C10N2240/60 , C10N2240/66
Abstract: 本发明公开了一种在25℃具有不小于1×1013Ω.cm的体积电阻的制冷油，其含有(a)酯基油，和(b)式(1)：R1O(EO)m(PO)nR2表示的化合物。在上述式中，R1是具有1—36个碳原子的烃基；R2是氢原子、含有1—36个碳原子的烃基或含有1—24个碳原子的酰基；EO是氧化乙烯基团；PO是氧化丙烯基团；和m是0—50的数，和n是0—50的数，其条件是m和n的和为1—100。在制冷油中基于100重量份(a)，(b)的数量为2—25重量份。一种用于制冷机械的工作流体组合物，其含有上述制冷油和一种或多种氢氟烃。
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