公开(公告)号：CN114026189A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080046236.2

申请日：2020-06-19

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 菅原将人 ,  山口哲史 ,  工藤功辉

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种研磨液组合物，其能够确保氧化硅膜的研磨速度，并且提高研磨选择性。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、水溶性高分子(成分B)、阴离子性缩合物(成分C)、及水系介质，成分B是包含下述式(I)所表示的结构单元b1的聚合物。

公开(公告)号：CN116507688A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180079804.3

申请日：2021-11-12

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 菅原将人 ,  山口哲史

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明的一个方式提供一种可提升氧化硅膜研磨中的研磨选择性的氧化硅膜用研磨液组合物。本发明的一个方式涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、水溶性阴离子性缩合物(成分B)、及水系介质，且成分B是包含下述式(I)所表示的单体(结构单体b1)及下述式(II)所表示的单体(结构单体b2)的单体的共缩合物，成分B中的结构单体b1相对于结构单体b1与结构单体b2的合计的摩尔比(％)大于30％。

公开(公告)号：CN112753095B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201980062898.6

申请日：2019-09-18

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 土居阳彦 ,  山口哲史 ,  菅原将人 ,  盛池孝直 ,  井上将来

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。

公开(公告)号：CN114026189B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202080046236.2

申请日：2020-06-19

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 菅原将人 ,  山口哲史 ,  工藤功辉

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种研磨液组合物，其能够确保氧化硅膜的研磨速度，并且提高研磨选择性。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、水溶性高分子(成分B)、阴离子性缩合物(成分C)、及水系介质，成分B是包含下述式(I)所表示的结构单元b1的聚合物。

公开(公告)号：CN112753095A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062898.6

申请日：2019-09-18

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 土居阳彦 ,  山口哲史 ,  菅原将人 ,  盛池孝直 ,  井上将来

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。