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公开(公告)号：CN107541707B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710478264.1
申请日：2017-06-21
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 伊藤昭彦
Abstract: 本发明提供一种即便不使用冷却单元也可抑制电子零件的温度上升并进行微米级的成膜的成膜装置、成膜制品的制造方法及电子零件的制造方法。包括：腔室，其为供溅射气体导入的容器；搬送部，设置在腔室内，以圆周的轨迹循环搬送工件；以及成膜处理部，具有通过溅射而使成膜材料堆积于由搬送部循环搬送的工件来进行成膜的溅射源，并且具有对利用溅射源使工件成膜的成膜部位加以划分的划分部。划分部是为了对各成膜处理部加以划分而配置，以使得圆周的轨迹中，在成膜中的成膜部位以外的区域经过的轨迹比在成膜中的成膜部位经过的轨迹更长。
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公开(公告)号：CN107946286B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710893463.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/67 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。
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公开(公告)号：CN107541707A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710478264.1
申请日：2017-06-21
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 伊藤昭彦
Abstract: 本发明提供一种即便不使用冷却单元也可抑制电子零件的温度上升并进行微米级的成膜的成膜装置、成膜制品的制造方法及电子零件的制造方法。包括：腔室，其为供溅射气体导入的容器；搬送部，设置在腔室内，以圆周的轨迹循环搬送工件；以及成膜处理部，具有通过溅射而使成膜材料堆积于由搬送部循环搬送的工件来进行成膜的溅射源，并且具有对利用溅射源使工件成膜的成膜部位加以划分的划分部。划分部是为了对各成膜处理部加以划分而配置，以使得圆周的轨迹中，在成膜中的成膜部位以外的区域经过的轨迹比在成膜中的成膜部位经过的轨迹更长。
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公开(公告)号：CN115874152B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211101105.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括：腔室(1)，能够使内部为真空；成膜部(4a～4d、4f、4g)，具有包含成膜材料的靶材(61)，在所述腔室内，通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜；隔断构件(9)，与靶材(61)空开间隔地配置，形成用于利用成膜部(4a～4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S)，并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断；以及抑制部(104)，设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间，并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。
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公开(公告)号：CN111850471A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010325508.4
申请日：2020-04-23
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，其可低成本且高效率地形成氢化硅膜。所述成膜装置包括：搬送部(30)，具有循环搬送工件(10)的旋转台(31)；成膜处理部(40)，具有包含硅材料的靶(42)、及对被导入靶(42)与旋转台(31)之间的溅射气体(G1)进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅射而在工件(10)形成硅膜；以及氢化处理部(50)，具有导入含有氢气的工艺气体(G2)的工艺气体导入部(58)、及对工艺气体(G2)进行等离子体化的等离子体产生器，对已形成在工件(10)的硅膜进行氢化，搬送部(30)以使工件(10)交替地穿过成膜处理部(40)与氢化处理部(50)的方式进行搬送。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108220882B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201711281075.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜装置。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有粘着性的粘着面，另一面具备不具有粘着性的非粘着面；及密接片，一面具备密接于非粘着面的具有粘着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有粘着性的第2密接面，粘着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少跨及与贴附区域对应的非粘着面的区域的整体而密接。
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公开(公告)号：CN111850471B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010325508.4
申请日：2020-04-23
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，其可低成本且高效率地形成氢化硅膜。所述成膜装置包括：搬送部(30)，具有循环搬送工件(10)的旋转台(31)；成膜处理部(40)，具有包含硅材料的靶(42)、及对被导入靶(42)与旋转台(31)之间的溅射气体(G1)进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅射而在工件(10)形成硅膜；以及氢化处理部(50)，具有导入含有氢气的工艺气体(G2)的工艺气体导入部(58)、及对工艺气体(G2)进行等离子体化的等离子体产生器，对已形成在工件(10)的硅膜进行氢化，搬送部(30)以使工件(10)交替地穿过成膜处理部(40)与氢化处理部(50)的方式进行搬送。
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公开(公告)号：CN115874152A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211101105.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括：腔室(1)，能够使内部为真空；成膜部(4a～4d、4f、4g)，具有包含成膜材料的靶材(61)，在所述腔室内，通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜；隔断构件(9)，与靶材(61)空开间隔地配置，形成用于利用成膜部(4a～4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S)，并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断；以及抑制部(104)，设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间，并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。
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公开(公告)号：CN108220882A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711281075.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜装置。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有粘着性的粘着面，另一面具备不具有粘着性的非粘着面；及密接片，一面具备密接于非粘着面的具有粘着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有粘着性的第2密接面，粘着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少跨及与贴附区域对应的非粘着面的区域的整体而密接。
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公开(公告)号：CN107946286A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710893463.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/67 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。
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