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公开(公告)号：CN103633139B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201210303455.1
申请日：2012-08-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，其包含有一基底、至少一设置于该基底上的绝缘结构、一设置于该基底上的栅极、以及一源极区域与一漏极区域，设置于该栅极两侧的该基底内。该绝缘结构内包含有一凹槽，而该栅极则包含一设置于该基底表面上的第一栅极部分，以及一设置于该凹槽内的第二栅极部分，且该第二栅极部分由该第一栅极部分向下延伸。
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公开(公告)号：CN100382209C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN02159059.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 李秋德
CPC classification number: H01L28/75
Abstract: 一种金属-绝缘层-金属电容结构及其制作方法。电容结构包含一金属层；一位于金属层上方的合金层，合金层是由一第一金属与金属层两者反应所形成的化合物所构成；一位于合金层上方的金属氧化物层，金属氧化物层是一由第一金属剩余部分氧化所形成的氧化物所构成的绝缘层；以及一位于金属氧化物层上方的上垫层；金属层为一双镶嵌结构中的铜导线，第一金属对金属层的金属具有良好的固态溶解度。具有克服传统制作方法中铜离子扩散的问题，进而确保电容结构的电性功能及产品可靠度的功效。
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公开(公告)号：CN1225780C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN02158907.0
申请日：2002-12-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作热熔丝的方法，该半导体基底的表面至少定义有一热熔丝区域以及一接垫区域，本发明方法先于该半导体基底表面依序形成一厚度约为12k的导电层以及一钝化层，接着蚀刻该热熔丝区域上部分的该钝化层以及该导电层，并使该热熔丝区域上的该导电层厚度剩约5k；最后再于该半导体基底表面形成一介电层，并蚀刻该接垫区域上部分的该介电层以及该钝化层，直至该导电层表面；本发明可在不增加任何金属沉积制程的情况下，同时于半导体晶片上制备较厚的铝接垫以及较薄的热熔丝，以避免热熔丝在进行激光切割时，发生铝层太厚无法切断的情形，而且铝接垫的厚度仍维持在原本金属层的厚度，故有效提高封装时良好的焊接性。
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公开(公告)号：CN110504326A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810473287.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。欧姆接面，包含一接面区域位于第一阱中，以及一第二电极接触接面区域。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。
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公开(公告)号：CN100524786C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510092414.2
申请日：2005-08-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 李秋德
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器，包括光感测元件、至少一晶体管、第一介电层、环柱反射层、第二介电层、保护层、材料层、透明材料层、滤光膜以及聚光元件。光感测元件配置于衬底的光感测区中，而晶体管配置于衬底的晶体管区上且与光感测元件电性连接。第一介电层配置于衬底上且覆盖晶体管与光感测元件，而环柱反射层配置于光感测区的第一介电层上。第二介电层配置于环柱反射层外侧的第一介电层上，保护层配置于第二介电层上，而材料层配置于环柱反射层内侧的第一介电层上。透明材料层配置于材料层、保护层与环柱反射层上，滤光膜配置于透明材料层上，聚光元件配置于对应至光感测区的滤光膜上。环柱反射层由多个环柱导体结构串联组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1467815A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN02158907.0
申请日：2002-12-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作热熔丝的方法，该半导体基底的表面至少定义有一热熔丝区域以及一焊垫压域，本发明方法先于该半导体基底表面依序形成一厚度约为12k的导电层以及一保护层，接着蚀刻该热熔丝区域上部分的该保护层以及该导电层，并使该热熔丝区域上的该导电层厚度剩约5k；最后再于该半导体基底表面形成一介电层，并蚀刻该焊垫区域上部分的该介电层以及该保护层，直至该导电层表面；本发明可在不增加任何金属沉积制程的情况下，同时于半导体晶片上制备较厚的铝焊垫以及较薄的热熔丝，以避免热熔丝在进行激光切割时，发生铝层太厚无法切断的情形，而且铝焊垫的厚度仍维持在原本金属层的厚度，故有效提高构装时良好的焊接性。
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公开(公告)号：CN1464529A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02123313.6
申请日：2002-06-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 李秋德
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种在一基底上制作焊垫的方法，该基底包括有一第一介电层及至少一第一导电层。首先于该基底表面形成一第二导电层，接着进行一热处理制作工艺(heattreatment process)，以于该第一及第二导电层中形成一第三导电层，同时完全氧化剩余的该第二导电层成一第二介电层。最后形成一第三介电层，并去除位于该第一导电层上方的各该介电层。
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公开(公告)号：CN111599860B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910125919.6
申请日：2019-02-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管，其包括基板。基板具有延伸于第一方向的多个沟槽在该基板的顶部。栅极结构线是在该基板上延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽。第一掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第一侧，跨过该多个沟槽。第二掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第二侧，跨过该多个沟槽。
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公开(公告)号：CN106328507B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201510336284.6
申请日：2015-06-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件的制作方法为，首先提供一基底，然后形成一掺杂区于基底中，形成一热氧化层于基底及掺杂区上，去除热氧化层以形成一第一凹槽，形成一外延层于基底上并填入第一凹槽内，以及形成一栅极介电层于外延层中。
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公开(公告)号：CN111599860A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910125919.6
申请日：2019-02-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管，其包括基板。基板具有延伸于第一方向的多个沟槽在该基板的顶部。栅极结构线是在该基板上延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽。第一掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第一侧，跨过该多个沟槽。第二掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第二侧，跨过该多个沟槽。
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