-
公开(公告)号：CN111599860B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910125919.6
申请日：2019-02-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管，其包括基板。基板具有延伸于第一方向的多个沟槽在该基板的顶部。栅极结构线是在该基板上延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽。第一掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第一侧，跨过该多个沟槽。第二掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第二侧，跨过该多个沟槽。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599860A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910125919.6
申请日：2019-02-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管，其包括基板。基板具有延伸于第一方向的多个沟槽在该基板的顶部。栅极结构线是在该基板上延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽。第一掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第一侧，跨过该多个沟槽。第二掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第二侧，跨过该多个沟槽。
-
公开(公告)号：CN113629146B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010473080.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括一半导体基底、一栅极结构、一漂移区、一漏极区以及一隔离结构。栅极结构设置于半导体基底上。漂移区设置于半导体基底中且部分设置于栅极结构的一侧。漏极区设置于漂移区中。隔离结构至少部分设置于漂移区中，且隔离结构的一部分设置于栅极结构与漏极区之间。隔离结构的一顶部包括一平面，且隔离结构的一底部包括一曲面。
-
公开(公告)号：CN114975609A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110207876.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法，其中该横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管包含一半导体基底，一阱区设置于半导体基底中，一基体区设置于阱区中，一第一栅极电极设置于半导体基底上，一源极电极设置在第一栅极电极的一侧，其中源极电极包含一源极接触区和多个插栓，并且插栓和源极接触区相连，插栓延伸插入半导体基底中，一第一漏极电极设置在第一栅极电极相对源极电极的另一侧。
-
公开(公告)号：CN114914298A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110175890.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极区、漏极区以及多个场板。栅极结构设置于半导体基底上，源极区与漏极区设置于半导体基底中且分别位于栅极结构在一第一方向上的两相对侧。多个场板设置于半导体基底上，且各场板部分位于栅极结构之上且部分位于栅极结构与漏极区之间。栅极结构与多个场板中的至少一个电连接，且源极区与多个场板中的至少一个电连接。
-
公开(公告)号：CN113629146A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010473080.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括一半导体基底、一栅极结构、一漂移区、一漏极区以及一隔离结构。栅极结构设置于半导体基底上。漂移区设置于半导体基底中且部分设置于栅极结构的一侧。漏极区设置于漂移区中。隔离结构至少部分设置于漂移区中，且隔离结构的一部分设置于栅极结构与漏极区之间。隔离结构的一顶部包括一平面，且隔离结构的一底部包括一曲面。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.031 seconds)
