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公开(公告)号：CN110702141B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201910613546.7
申请日：2019-07-09
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Inventor： W·A·克拉克
IPC: G01C25/00
Abstract: 本公开涉及用于自检MEMS惯性传感器的方法和系统。描述微机电系统(MEMS)惯性传感器的自检技术。一些技术涉及测试惯性传感器特性，例如加速度计对加速度的灵敏度和陀螺仪对角运动的灵敏度。可以通过向MEMS惯性传感器提供模拟诸如加速度或角速率的刺激的测试信号并检查传感器的输出来执行测试。这种自检的功效可受到虚假信号的影响，这些信号可存在于传感器环境中并可影响传感器的输出。因此，本文描述的自检技术涉及检测任何这种虚假信号的存在，并在检测到它们的存在时丢弃自检结果。在一些实施方案中，可以使用通过将MEMS惯性传感器的响应与基本上正交的参考信号与测试信号混频而获得的信号来检测虚假信号的存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110702141A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910613546.7
申请日：2019-07-09
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Inventor： W·A·克拉克
IPC: G01C25/00
Abstract: 本公开涉及用于自检MEMS惯性传感器的方法和系统。描述微机电系统(MEMS)惯性传感器的自检技术。一些技术涉及测试惯性传感器特性，例如加速度计对加速度的灵敏度和陀螺仪对角运动的灵敏度。可以通过向MEMS惯性传感器提供模拟诸如加速度或角速率的刺激的测试信号并检查传感器的输出来执行测试。这种自检的功效可受到虚假信号的影响，这些信号可存在于传感器环境中并可影响传感器的输出。因此，本文描述的自检技术涉及检测任何这种虚假信号的存在，并在检测到它们的存在时丢弃自检结果。在一些实施方案中，可以使用通过将MEMS惯性传感器的响应与基本上正交的参考信号与测试信号混频而获得的信号来检测虚假信号的存在。
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公开(公告)号：CN110749316A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910665997.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本公开涉及用于在低频噪声存在下感测角运动的系统和方法。描述使用微机电系统(MEMS)陀螺仪来感测角运动的系统和方法。这些系统和方法可用于在存在低频噪声的情况下感测角运动，低频噪声可以是低于1KHz的噪声。在用于感测角运动的系统中，低频噪声可引起占空比抖动，这可影响感测信号的解调并导致角运动估计的误差。本文描述的系统和方法通过依赖于双边沿相位检测技术解决了这个问题，该技术涉及在理想化的50％占空比情况下感测谐振器信号的上升沿和下降沿何时偏离它们的预期值。为了防止在双边沿相位检测中形成纹波，否则可影响感测信号的解调，可以使用开关。当接收到纹波时，开关可以保持在非导通状态。
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公开(公告)号：CN110749316B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910665997.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本公开涉及用于在低频噪声存在下感测角运动的系统和方法。描述使用微机电系统(MEMS)陀螺仪来感测角运动的系统和方法。这些系统和方法可用于在存在低频噪声的情况下感测角运动，低频噪声可以是低于1KHz的噪声。在用于感测角运动的系统中，低频噪声可引起占空比抖动，这可影响感测信号的解调并导致角运动估计的误差。本文描述的系统和方法通过依赖于双边沿相位检测技术解决了这个问题，该技术涉及在理想化的50％占空比情况下感测谐振器信号的上升沿和下降沿何时偏离它们的预期值。为了防止在双边沿相位检测中形成纹波，否则可影响感测信号的解调，可以使用开关。当接收到纹波时，开关可以保持在非导通状态。
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公开(公告)号：CN109477856B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201780044705.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 描述微机电系统(MEMS)加速度计。MEMS加速度计可以包括检查质量块，其被配置为感测平行于检查质量块的平面的方向上的加速度，以及多个补偿结构。检验质量块可以通过弹簧连接到一个或多个锚。补偿结构可以通过与各个锚的刚性地连接耦合到MEMS加速度计的基板。补偿结构可包括形成一个或多个横向补偿电容器的至少一个补偿电极。补偿电容器可以被配置为感测补偿结构连接的锚的位移。
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公开(公告)号：CN109477856A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044705.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 描述微机电系统(MEMS)加速度计。MEMS加速度计可以包括检查质量块，其被配置为感测平行于检查质量块的平面的方向上的加速度，以及多个补偿结构。检验质量块可以通过弹簧连接到一个或多个锚。补偿结构可以通过与各个锚的刚性地连接耦合到MEMS加速度计的基板。补偿结构可包括形成一个或多个横向补偿电容器的至少一个补偿电极。补偿电容器可以被配置为感测补偿结构连接的锚的位移。
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