公开(公告)号：CN104242845B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201410277692.4

申请日：2014-06-20

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： C·L·辉 ,  G·R·卡里奥

IPC: H03F3/70

CPC classification number: H04N5/378 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4406

Abstract: 本发明涉及增益测距电荷放大器。系统可以包括像素阵列、选择器、采样器和转换器。所述像素阵列可以生成输出信号，所述输出信号代表入射到像素阵列上的辐射线。选择器可以选择一个输出信号。采样器可以对所选的输出信号采样。转换器可以基于所选的输出信号来生成数字信号。采样器可以包括电荷积分器，所述电荷积分器通过选择第一反馈电容以获得第一样本以及在获得第一样本之后选择第二反馈电容以获得第二样本来补偿选择器的寄生电容。第一反馈电容可以大于第二反馈电容。

公开(公告)号：CN104242845A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410277692.4

申请日：2014-06-20

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： C·L·辉 ,  G·R·卡里奥

IPC: H03F3/70

CPC classification number: H04N5/378 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4406

Abstract: 本发明涉及增益测距电荷放大器。系统可以包括像素阵列、选择器、采样器和转换器。所述像素阵列可以生成输出信号，所述输出信号代表入射到像素阵列上的辐射线。选择器可以选择一个输出信号。采样器可以对所选的输出信号采样。转换器可以基于所选的输出信号来生成数字信号。采样器可以包括电荷积分器，所述电荷积分器通过选择第一反馈电容以获得第一样本以及在获得第一样本之后选择第二反馈电容以获得第二样本来补偿选择器的寄生电容。第一反馈电容可以大于第二反馈电容。