公开(公告)号：CN112713148A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011146701.8

申请日：2020-10-23

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·A·克朗皮特 ,  R·W·林赛 ,  C·R·里奇 ,  S·D·利奥史密斯 ,  M·J·金 ,  L·M·克拉姆皮特

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/1157

Abstract: 本申请涉及包含堆叠数据线的半导体装置。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一种包含第一导电触点；第二导电触点；多层导电材料，其彼此上下堆叠并且位于所述第一和第二导电触点上方；多层介电材料，其与所述多层导电材料交错，所述多层导电材料和所述多层介电材料形成材料堆叠；第一导电结构，其位于所述材料堆叠的第一侧上并且接触所述第一导电触点和所述多层导电材料中的第一层导电材料；和第二导电结构，其位于所述材料堆叠的第二侧上并且接触所述第二导电触点和所述多层导电材料中的第二层导电材料。

公开(公告)号：CN118198072A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311726036.3

申请日：2023-12-14

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·A·克朗皮特 ,  R·W·林赛 ,  L·M·克拉姆皮特

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

Abstract: 本公开涉及一种工程化半导体衬底。提供半导体装置组合件。所述半导电装置组合件包含具有含有工程化部分及半导电部分的衬底的半导体裸片。所述工程化部分包含以下一或多者：烧结材料、波纹材料、压缩以形成固体结构的定向材料股、压缩以形成固体结构的材料层，或经布置以形成一或多个平面桁架的材料。所述半导电部分直接粘附到所述工程化部分。将电介质材料层安置在所述半导电部分处，且将电路系统安置在所述电介质材料层处。这样做，可组装具成本效益且机械坚固的半导体装置。

公开(公告)号：CN116349423A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180067132.4

申请日：2021-08-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·A·克拉姆皮特 ,  S·D·利奥史密斯 ,  M·J·金 ,  L·M·克拉姆皮特 ,  J·霍普金斯 ,  K·Y·泰特斯 ,  I·V·恰雷 ,  M·J·巴克利 ,  A·查杜鲁 ,  P·纳塔拉詹 ,  R·W·林赛

IPC: H10B41/10

Abstract: 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含位于衬底上方的第一叠组及位于所述第一叠组上方的第二叠组，及延伸穿过所述第一及第二叠组的支柱。所述第一叠组包含第一存储器单元、与所述第一存储器单元相关联的第一控制栅极，及耦合到所述第一控制栅极的第一导电路径。所述第二导电路径包含位于所述衬底上方的所述设备的第一层级上的第二导电垫。所述第二叠组包含第二存储器单元、与所述第二存储器单元相关联的第二控制栅极，及耦合到所述第二控制栅极的第二导电路径。所述第二导电路径包含位于所述设备的第二层级上的第二导电垫。所述第一及第二导电垫在与从所述第一叠组到所述第二叠组的方向垂直的方向上具有长度。