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公开(公告)号：CN116349423A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180067132.4
申请日：2021-08-30
Applicant: 美光科技公司
Inventor： D·A·克拉姆皮特 , S·D·利奥史密斯 , M·J·金 , L·M·克拉姆皮特 , J·霍普金斯 , K·Y·泰特斯 , I·V·恰雷 , M·J·巴克利 , A·查杜鲁 , P·纳塔拉詹 , R·W·林赛
IPC: H10B41/10
Abstract: 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含位于衬底上方的第一叠组及位于所述第一叠组上方的第二叠组，及延伸穿过所述第一及第二叠组的支柱。所述第一叠组包含第一存储器单元、与所述第一存储器单元相关联的第一控制栅极，及耦合到所述第一控制栅极的第一导电路径。所述第二导电路径包含位于所述衬底上方的所述设备的第一层级上的第二导电垫。所述第二叠组包含第二存储器单元、与所述第二存储器单元相关联的第二控制栅极，及耦合到所述第二控制栅极的第二导电路径。所述第二导电路径包含位于所述设备的第二层级上的第二导电垫。所述第一及第二导电垫在与从所述第一叠组到所述第二叠组的方向垂直的方向上具有长度。
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公开(公告)号：CN116058099A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180043999.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种形成微电子装置的方法包括形成堆叠结构。导柱结构经形成为竖直延伸穿过所述堆叠结构。至少一个沟槽和额外沟槽经形成为大体上竖直延伸穿过所述堆叠结构。所述额外沟槽中的每一者包括具有第一宽度的第一部分，以及在所述第一部分的水平边界处且具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二部分。介电结构形成于所述至少一个沟槽和所述额外沟槽内。所述介电结构包括接近所述额外沟槽中的至少一些的所述第一部分的所述水平边界的至少一个倾斜部分。所述至少一个倾斜部分以与第一方向和横向于所述第一方向的第二方向成锐角的方式延伸。还描述了微电子装置和电子系统。
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公开(公告)号：CN115485840A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180028647.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11575 , H01L27/11568 , H01L21/8234 , G06F3/06
Abstract: 本发明提供一种电子装置，其包括邻近于源极的下部叠组及上部叠组。所述下部叠组及所述上部叠组中的每一者包括交错导电材料及介电材料的层级。所述下部叠组及所述上部叠组中的每一者还包括阵列区域及一或多个非阵列区域。存储器支柱位于所述阵列区域的所述下部叠组及所述上部叠组中，且所述存储器支柱经配置以可操作地耦合到所述源极。虚设支柱位于所述一或多个非阵列区域的所述上部叠组中，且所述虚设支柱经配置以与所述源极电隔离。另一导电材料位于所述一或多个非阵列区域的所述上部叠组及所述下部叠组中。还公开额外电子装置及形成电子装置的相关系统及方法。
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公开(公告)号：CN113903745A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110755882.2
申请日：2021-07-05
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及具有下凹导电结构的微电子装置以及相关方法和系统。微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构具有以层布置的绝缘结构和导电结构的垂直交替的序列。导电接触结构延伸穿过堆叠结构。绝缘材料位于所述导电接触结构和所述堆叠结构的所述层之间。在所述堆叠结构的下层部分中，所述多个导电结构中的一个导电结构具有在一对所述导电接触结构之间延伸第一宽度的部分。在所述下层部分上方的所述堆叠结构的一部分中，所述多个导电结构的另一导电结构具有在所述一对导电接触结构之间延伸第二宽度的另一部分。所述第二宽度大于所述第一宽度。还公开了相关的方法和电子系统。
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公开(公告)号：CN113643994B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110934095.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请涉及用于凸块下金属结构的套环及相关联的系统和方法。一种半导体裸片包含：半导体材料，其具有固态组件；及互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料。凸块下金属UBM结构形成于所述半导体材料上方且电耦合到对应互连件。套环包围所述UBM结构的侧表面的至少一部分，且焊接材料安置于所述UBM结构的顶面上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331656B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202010768639.X
申请日：2020-08-03
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本专利申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成堆叠结构，所述堆叠结构包括以层布置的竖直交替的绝缘结构和另外的绝缘结构。所述层中的每个层单独地包括所述绝缘结构之一和所述另外的绝缘结构之一。形成第一沟槽，所述第一沟槽部分竖直延伸穿过所述堆叠结构。所述第一沟槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一宽度，所述第二部分位于所述第一部分的水平边界处并且具有比所述第一宽度大的第二宽度。在所述第一沟槽内形成介电结构。所述介电结构包括接近所述沟槽的所述第一部分的所述水平边界的基本上无空隙区段。还描述了微电子装置和电子系统。
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公开(公告)号：CN118215297A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410305909.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及一种形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统。形成微电子装置的方法包括形成堆叠结构。导柱结构经形成为竖直延伸穿过所述堆叠结构。至少一个沟槽和额外沟槽经形成为大体上竖直延伸穿过所述堆叠结构。所述额外沟槽中的每一者包括具有第一宽度的第一部分，以及在所述第一部分的水平边界处且具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二部分。介电结构形成于所述至少一个沟槽和所述额外沟槽内。所述介电结构包括接近所述额外沟槽中的至少一些的所述第一部分的所述水平边界的至少一个倾斜部分。所述至少一个倾斜部分以与第一方向和横向于所述第一方向的第二方向成锐角的方式延伸。还描述了微电子装置和电子系统。
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公开(公告)号：CN113795918B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202080033542.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/27 , H10B43/35 , H10B41/35 , H10B41/27 , H01L23/522 , H01L21/311
Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。
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公开(公告)号：CN114388523A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111141861.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及具有凹入导电结构的电子装置及相关方法和系统。所述电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的竖直交替的绝缘结构和导电结构；导柱，其竖直延伸穿过所述堆叠结构；以及屏障材料，其上覆于所述堆叠结构。所述电子装置包括延伸穿过所述屏障材料并进入所述堆叠结构的上部层部分的第一绝缘材料和横向邻近所述第一绝缘材料且横向邻近所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述导电结构中的至少一些的第二绝缘材料。所述第二绝缘材料的至少一部分与所述屏障材料竖直对准。
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公开(公告)号：CN114121985A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110994856.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种形成集成组件的方法。在导电结构上方形成横向交替的第一牺牲材料和第二牺牲材料，且接着在所述牺牲材料上方形成竖直交替的第一层级和第二层级的堆叠。所述第一层级包含第一材料且所述第二层级包含绝缘第二材料。使沟道材料开口形成为延伸穿过所述堆叠且穿过条带中的至少一些。在所述沟道材料开口内形成沟道材料柱。使狭缝形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述牺牲材料。用第一导电材料替换所述第一牺牲材料，且接着用第二导电材料替换所述第二牺牲材料。用第三导电材料替换所述堆叠的所述第一材料中的至少一些。一些实施例包含集成组件。
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