公开(公告)号：CN116349423A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180067132.4

申请日：2021-08-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·A·克拉姆皮特 ,  S·D·利奥史密斯 ,  M·J·金 ,  L·M·克拉姆皮特 ,  J·霍普金斯 ,  K·Y·泰特斯 ,  I·V·恰雷 ,  M·J·巴克利 ,  A·查杜鲁 ,  P·纳塔拉詹 ,  R·W·林赛

IPC: H10B41/10

Abstract: 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含位于衬底上方的第一叠组及位于所述第一叠组上方的第二叠组，及延伸穿过所述第一及第二叠组的支柱。所述第一叠组包含第一存储器单元、与所述第一存储器单元相关联的第一控制栅极，及耦合到所述第一控制栅极的第一导电路径。所述第二导电路径包含位于所述衬底上方的所述设备的第一层级上的第二导电垫。所述第二叠组包含第二存储器单元、与所述第二存储器单元相关联的第二控制栅极，及耦合到所述第二控制栅极的第二导电路径。所述第二导电路径包含位于所述设备的第二层级上的第二导电垫。所述第一及第二导电垫在与从所述第一叠组到所述第二叠组的方向垂直的方向上具有长度。