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公开(公告)号：CN117641913A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311121617.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包含堆叠结构，所述堆叠结构包括通过介电槽结构彼此分离的块且各自包含按层布置的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列。所述块中的至少一个包括体育场式结构，所述体育场式结构包括相对阶梯结构，每一阶梯结构具有包括所述层的边缘的梯级；以及填充沟槽，其竖直上覆于所述块中的所述至少一个的所述体育场式结构的水平边界且在所述水平边界内。所述填充沟槽包含：介电衬里材料，其处于所述体育场式结构的所述相对阶梯结构上及两个桥接区的内侧壁上；以及至少一个介电结构，其掺杂有碳和硼中的一或多个，所述至少一个介电结构处于所述介电衬里材料上，所述至少一个介电结构与所述体育场式结构的所述梯级水平重叠。
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公开(公告)号：CN113994480A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080044197.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与控制栅极层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸。所述控制栅极层级包括导电区。所述导电区包含至少三种不同材料。电荷存储区邻近所述控制栅极层级。电荷阻挡区在所述电荷存储区与所述导电区之间。
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公开(公告)号：CN110010611A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811569295.9
申请日：2018-12-21
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及导电结构、在导电结构上具有垂直堆叠的存储器单元的组合件及形成导电结构的方法。一些实施例包含一种集成电路的导电结构。所述导电结构包含上部主部分，其中所述上部主部分具有被配置为容器的第一导电组成部分。所述容器具有底部及从所述底部向上延伸的一对侧壁。所述容器的内部区位于所述底部上方且位于所述侧壁之间。所述上部主部分包含被配置为块体的第二导电组成部分，所述块体填充所述容器的所述内部区。所述第二导电组成部分与所述第一导电组成部分具有不同的组成。一或多个导电突起部结合到所述上部主部分且从所述上部主部分向下延伸。一些实施例包含包括位于导电结构上方的存储器单元的组合件。一些实施例包含形成导电结构的方法。
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公开(公告)号：CN119300351A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411429387.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件。一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。
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公开(公告)号：CN110504270B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910409476.3
申请日：2019-05-16
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种集成式组合件，其包括具有与第二区域相邻的第一区域的绝缘块体。所述第一区域与所述第二区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种集成式组合件，其具有竖直延伸的沟道材料柱，并且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构包含与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。绝缘块体沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。所述绝缘块体具有在下部区域上方的上部区域。所述下部区域与所述上部区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108573975B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810195278.7
申请日：2018-03-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524
Abstract: 本申请案涉及导电组件及存储器组合件。一些实施例包含一种存储器组合件，其具有紧接于导电源极的存储器单元。沟道材料沿所述存储器单元延伸且与所述导电源极电耦合。所述导电源极在绝缘材料上方且包含直接靠着所述绝缘材料的粘着材料。所述粘着材料包括金属、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属硅化物、金属碳化物、金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物中的一或多者。所述导电源极包含在所述粘着材料上方且直接靠着所述粘着材料的含金属材料。所述含金属材料基本上由金属组成。所述导电源极包含在所述含金属材料上方且直接靠着所述含金属材料的含金属及氮材料，且包含在所述含金属及氮材料上方的导电掺杂半导体材料。
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公开(公告)号：CN115700033A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040499.7
申请日：2021-07-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明涉及一种用于形成集成电路系统的方法，其包括形成包括竖直交替的第一阶层和第二阶层的堆叠。所述堆叠在其中包括腔，所述腔包括阶梯结构。用绝缘体材料对所述腔的侧壁和所述阶梯结构的梯级进行加衬。在所述腔中从所述绝缘体材料径向地向内形成绝缘性材料。从所述腔移除所述绝缘性材料的上部部分以在所述腔的底部中在所述阶梯结构之上留下所述绝缘性材料。在所述移除之后，在所述腔中在所述绝缘性材料上方形成绝缘材料。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN111816566B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010273027.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/538 , H10B12/00
Abstract: 本发明涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有位于导电基底结构上方的绝缘质量块的集成组合件。导电互连件穿过所述绝缘质量块延伸到所述导电基底结构的上部表面。所述导电互连件包含围绕所述互连件的外横向周边延伸的导电衬里。所述导电衬里包含氮与第一金属的组合。所述导电衬里横向环绕容器形导电结构。所述容器形导电结构包含第二金属。导电插塞位于所述容器形导电结构内。一些实施例包含在集成组合件内形成导电互连件的方法。
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公开(公告)号：CN113711355A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080028697.7
申请日：2020-03-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11565
Abstract: 一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。电荷存储区与所述字线层级相邻。电荷阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。
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公开(公告)号：CN113454770A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201980092714.0
申请日：2019-12-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768 , C23C14/04 , C23C16/04
Abstract: 本发明描述用于形成半导体装置的多层导电结构的方法。形成包括金属及额外成分的晶种层，所述额外成分与所述金属组合抑制形成在所述晶种层之上的所述金属的填料层的成核。可使用硅掺杂或合金化钨以形成所述晶种层，其中钨填料经形成在所述晶种层之上。
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