-
公开(公告)号：CN113394224B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110259233.3
申请日：2021-03-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、阶梯结构、导电衬垫结构和导电接触结构。所述堆叠结构包括布置于层次中的竖直交替的导电结构和绝缘结构。所述层次中的每一个分别包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个。所述阶梯结构具有包括所述堆叠结构的所述层次中的至少一些的边缘的台阶。所述导电衬垫结构处于所述阶梯结构的所述台阶上并且包括贝塔相钨。所述导电接触结构处于所述导电衬垫结构上。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
-
公开(公告)号：CN112652627B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202011050056.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，方法包括形成包括垂直交替第一层及第二层的堆叠。使水平伸长沟槽形成到堆叠中以形成横向间隔存储器块区域。跨横向地在存储器块区域中的横向紧邻者之间且纵向地沿着横向紧邻者的沟槽形成桥材料。桥材料包括纵向交替第一及第二区域。使桥材料的第一区域不同于桥材料的第二区域而离子植入以在蚀刻过程中改变第一或第二区域中的一者相对于另一者的相对蚀刻速率。使第一及第二区域经受蚀刻过程以相对于第一及第二区域中的一者选择性地蚀除另一者以形成跨横向地在横向紧邻存储器块区域之间且沿着横向紧邻存储器块区域纵向间隔的沟槽延伸的桥。揭示独立于方法的其它实施例及结构。
-
公开(公告)号：CN110504270B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910409476.3
申请日：2019-05-16
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种集成式组合件，其包括具有与第二区域相邻的第一区域的绝缘块体。所述第一区域与所述第二区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种集成式组合件，其具有竖直延伸的沟道材料柱，并且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构包含与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。绝缘块体沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。所述绝缘块体具有在下部区域上方的上部区域。所述下部区域与所述上部区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。
-
公开(公告)号：CN112397520A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010810979.4
申请日：2020-08-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/768
Abstract: 本申请涉及一种包括包含触点通孔及导电线的结构的设备、相关方法及存储器装置。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
-
公开(公告)号：CN115623781A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210802300.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B41/27 , H10B41/35 , H10B43/27 , H10B43/35 , H01L29/792 , H01L29/788
Abstract: 本申请案涉及晶体管及包括存储器单元串的存储器电路系统。包括存储器单元串的存储器电路系统包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。电荷通道材料在所述导电层级中位于所述沟道材料串的横向外部。存储材料在所述导电层级中位于所述电荷通道材料的横向外部。AlOq、ZrOq及HfOq中的至少一者在所述导电层级中位于所述存储材料的横向外部。(a)及(b)中的至少一者在所述导电层级中位于AlOq、ZrOq及HfOq中的所述至少一者的横向外部，其中，(a)：MoOxNy，其中“x”及“y”中的每一者是从0到4.0；及(b)：MoMz，其中“M”为W、第7族金属及第8族金属中的至少一者；“z”大于0且小于1.0。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121977A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110993203.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本公开涉及一种包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法。一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法包括在下堆叠的正上方形成上堆叠。所述下堆叠包括竖直交替的下第一层面和下第二层面。所述上堆叠包括竖直交替的上第一层面和上第二层面。下沟道开口延伸穿过所述下第一层面和所述下第二层面。所述下沟道开口在其中具有牺牲材料。所述下第二层面的上部或所述上第二层面的下部包括硅氧原子比大于0.5的非化学计量二氧化硅。在所述下部的上第二层面上方的所述上第二层面的较高部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅。
-
公开(公告)号：CN112436012A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010825265.0
申请日：2020-08-17
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 胡怡 , R·M·阿卜杜勒拉哈曼 , N·比利克 , D·比林斯利 , 柏振宇 , J·M·卡什 , M·J·金 , A·李 , D·诺伊迈耶 , W·Y·吴 , Y·K·朴 , C·蒂瓦里 , 王宜平 , L·威廉森 , 张晓松
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长。公开包含方法的额外实施例。
-
公开(公告)号：CN116018891A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180049928.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；以及另一堆叠结构，其竖直上覆于所述堆叠结构且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级的其它层，所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的导电性更大的导电性。还描述了相关存储器装置、电子系统和方法。
-
公开(公告)号：CN115497950A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211246360.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/768
Abstract: 本申请涉及包括包含触点通孔及导电线的结构的设备和相关方法。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
-
公开(公告)号：CN113937105A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110782933.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括位于下部堆叠上方的上部堆叠。所述下部堆叠包括竖直交替的下部导电层和下部绝缘层。所述上部堆叠包括竖直交替的上部导电层和上部绝缘层。中间层竖直地位于所述上部堆叠与所述下部堆叠之间。所述中间层至少主要是多晶硅并且具有与所述中间层正上方的所述上部导电层和所述上部绝缘层的组成不同的组成以及与所述中间层正下方的所述下部导电层和所述下部绝缘层的组成不同的组成。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述上部堆叠、所述中间层和所述下部堆叠。公开了其它结构和方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.023 seconds)
