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公开(公告)号：CN116367550A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211663907.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及包含顶盖结构的微电子装置以及相关电子系统和方法。一种微电子装置包含：源极堆叠；源极接触件，其竖直地邻近于所述源极堆叠；半导体材料，其竖直地邻近于所述源极接触件；交替的导电材料和介电材料的层级，其竖直地邻近于所述半导体材料；介电结构，其在狭槽结构内且延伸穿过所述微电子装置的所述层级到所述微电子装置的所述源极接触件；氧化物顶盖结构，其横向地在所述半导体材料与所述介电结构之间；以及支柱，其延伸穿过所述层级、所述半导体材料和所述源极接触件且延伸到所述源极堆叠中。还公开了相关电子系统和方法。
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公开(公告)号：CN116326236A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180069228.4
申请日：2021-10-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/35
Abstract: 一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块单独地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层级和导电层级。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级和所述导电层级。虚拟支柱延伸穿过所述绝缘层级和所述导电层级。所述导电层级中的最下部导电层级包括导电材料和虚拟区材料，所述虚拟区材料在所述导电材料旁边且具有与所述导电材料不同的组合物。所述沟道材料串延伸穿过所述最下部导电层级的所述导电材料。所述虚拟支柱延伸穿过所述最下部导电层级的所述虚拟区材料。公开了其它实施例，包含方法。
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公开(公告)号：CN116156889A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211456092.5
申请日：2022-11-21
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·D·格林利 , A·麦克蒂尔 , R·J·克莱因 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , 李晓 , A·N·斯卡伯勒 , 陈洁薇 , 刘乃铭 , 罗双强 , S·博尔萨里 , J·M·梅尔德里姆 , 胡申
Abstract: 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述存储器块中的所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串。穿阵列通孔TAV区包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的TAV构造。所述TAV构造个别地包括径向外绝缘内衬和在所述绝缘内衬的径向内侧的导电芯。所述绝缘内衬包括具有相对彼此不同的组合物的径向内绝缘材料和径向外绝缘材料。所述径向外绝缘材料处于径向外凹部中，所述径向外凹部相对于第二层处于第一层中。所述径向内绝缘材料沿着所述绝缘层和所述导电层竖向地延伸。公开了其它实施例，包含方法。
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公开(公告)号：CN115720448A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210990846.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括导体层上方交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串。所述沟道材料串直接电耦合到所述导体层的导体材料。紧靠在所述导电层中的最下部导电层上方的所述绝缘层包括上部第一绝缘材料上方的下部第一绝缘材料和上部第二绝缘材料。所述上部第二绝缘材料与所述下部第一绝缘材料具有不同组成。居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115707239A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210930837.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及集成包括含有存储器单元串的存储器阵列的集成电路系统，并且涉及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括形成将包括竖直交替的导电层和绝缘层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述下部部分包括所述导电层中的多个下部导电层和所述绝缘层中的多个下部绝缘层。所述下部绝缘层包括绝缘材料。所述下部导电层包括具有与所述绝缘材料的组合物不同的组合物的牺牲性材料。所述牺牲性材料被替换为传导材料。在所述牺牲性材料的所述替换之后，所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的导电层和绝缘层形成在所述下部部分上方。
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公开(公告)号：CN117440686A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311697995.7
申请日：2021-05-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：在衬底上形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组成。在所述下部部分中形成水平伸长线，所述线个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间。所述线包括牺牲材料。所述线个别地包括纵向沿着其的在所述第一层中的最下部第一层中的横向相对突起部。在所述下部部分和所述线上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，且形成沟道材料串，所述沟道材料串延伸穿过所述上部部分中的所述第一层和所述第二层到所述下部部分。
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公开(公告)号：CN113675203B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110516495.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：在衬底上形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组成。在所述下部部分中形成水平伸长线，所述线个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间。所述线包括牺牲材料。所述线个别地包括纵向沿着其的在所述第一层中的最下部第一层中的横向相对突起部。在所述下部部分和所述线上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，且形成沟道材料串，所述沟道材料串延伸穿过所述上部部分中的所述第一层和所述第二层到所述下部部分。
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公开(公告)号：CN117296465A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280033473.4
申请日：2022-04-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B41/35
Abstract: 一种存储器阵列包括个别地包括包含交替的绝缘阶层及导电阶层的垂直堆叠的横向隔开的存储器块。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘阶层及所述导电阶层。所述横向隔开的存储器块在所述导电阶层的下导电阶层中包括靠近所述横向隔开的存储器块的横向外侧沿着所述横向隔开的存储器块纵向延伸的元素形式金属。金属硅化物或金属锗化合物在所述下导电阶层中直接抵靠所述元素形式金属的横向内侧且在所述下导电阶层中沿着所述横向隔开的存储器块纵向延伸。所述金属硅化物或所述金属锗化合物的金属相同于所述元素形式金属的金属。公开其它实施例，包含方法。
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公开(公告)号：CN115623782A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210833172.1
申请日：2022-07-14
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及一种包括存储器单元串的存储器阵列及一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层级。横向间隔的存储器块区域个别地包括包含直接形成于所述导体层级上方的交替第一层级及第二层级的垂直堆叠。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述第一层级及所述第二层级。所述第一层级中的下者包括牺牲材料。水平伸长的狭槽在所述存储器块区域中的个别者中形成穿过所述第一及第二层级到所述牺牲材料以在所述个别存储器块区域中形成横向间隔的子块区域。所述牺牲材料通过所述水平伸长的狭槽从所述下第一层级各向同性地蚀刻。
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