用于测量磁场方向的方法和设备

    公开(公告)号:CN111819454A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201980018727.3

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明涉及一种用于测量外部磁场的磁场方向的方法,该方法具有步骤:将样品(2)引入(S1)到外部磁场中,其中样品(2)具有缺陷,所述缺陷预先规定样品(2)的相对应的取向方向;在样品(2)的区域中产生(S2)交变磁场,所述交变磁场具有预先规定的或者可预先规定的磁场方向;测量(S3)由于样品(2)与交变磁场的相互作用引起的自旋共振效应;和在使用所测量的自旋共振效应和使用交变磁场的磁场方向相对于样品(2)的取向方向的定向的情况下,测定(S4)外部磁场的磁场方向。

    具有悬浮结构的半导体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN105940295B

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201480075003.X

    申请日:2014-12-02

    Abstract: 一种半导体气体传感器器件包括衬底、由所述衬底支撑的导电层、非适合种晶层、以及多孔气体感测层部分。所述非适合种晶层由第一材料形成,并包括由所述导电层支撑的第一支撑部分、由所述导电层支撑的第二支撑部分、以及从所述第一支撑部分延伸到所述第二支撑部分且悬浮在所述导电层之上的悬浮种晶部分。所述多孔气体感测层部分由第二材料形成,并直接由所述非适合种晶层与所述导电层电连通地支撑。所述第一材料和所述第二材料形成非适合的材料对。

    用于测量磁场方向的方法和设备

    公开(公告)号:CN111819454B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201980018727.3

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明涉及一种用于测量外部磁场的磁场方向的方法,该方法具有步骤:将样品(2)引入(S1)到外部磁场中,其中样品(2)具有缺陷,所述缺陷预先规定样品(2)的相对应的取向方向;在样品(2)的区域中产生(S2)交变磁场,所述交变磁场具有预先规定的或者可预先规定的磁场方向;测量(S3)由于样品(2)与交变磁场的相互作用引起的自旋共振效应;和在使用所测量的自旋共振效应和使用交变磁场的磁场方向相对于样品(2)的取向方向的定向的情况下,测定(S4)外部磁场的磁场方向。

    传感器装置、用于校准传感器装置的方法和用于检测测量参量的方法

    公开(公告)号:CN109219756A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201780035460.X

    申请日:2017-05-03

    Abstract: 本发明涉及一种传感器装置(800)。该传感器装置(800)具有:具有至少一个缺陷的晶体(810)。该传感器装置(800)还具有用于用激励光(210)照射晶体(810)的光源(820)。该传感器装置(800)还具有至少一个用于给晶体(810)加载微波的微波天线(830)。该传感器装置(800)还具有用于探测晶体(810)的荧光信号(220)的至少一个信号特性的探测装置(840、850、855)。该传感器装置(800)还具有施加装置(860、870、880),其被构造用于将用于产生微波的微波信号和用于生成内部磁场的磁场信号施加到至少一个微波天线(830)上,其中能够利用所述内部磁场加载晶体(810)。

    用于定位对象的方法和装置

    公开(公告)号:CN108983217A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810546750.7

    申请日:2018-05-31

    CPC classification number: G01S13/74 G01S13/75

    Abstract: 本发明涉及一种用于使用可移动的发送接收设备来定位对象的方法,其中,所述对象具有无源的转答器,所述方法具有步骤:将所述发送接收设备移动到多个测量位置中,在所述多个测量位置中,所述发送接收设备的方位位置和/或空间取向不同,其中在每个测量位置中,发送接收设备发送测量信号,如果转答器接收到测量信号,则所述对象的转答器发送响应信号,所述发送接收设备接收所述响应信号或记录响应信号的缺失,并且所述发送接收设备确定关于相应于所述测量位置的所述发送接收设备的方位位置的和/或所述发送接收设备的空间取向的测量位置信息;并且考虑接收到的或被记录为缺失的响应信号和所述相应的测量位置信息来定位所述对象。

    具有悬浮结构的半导体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN105940295A

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201480075003.X

    申请日:2014-12-02

    Abstract: 一种半导体气体传感器器件包括衬底、由所述衬底支撑的导电层、非适合种晶层、以及多孔气体感测层部分。所述非适合种晶层由第一材料形成,并包括由所述导电层支撑的第一支撑部分、由所述导电层支撑的第二支撑部分、以及从所述第一支撑部分延伸到所述第二支撑部分且悬浮在所述导电层之上的悬浮种晶部分。所述多孔气体感测层部分由第二材料形成,并直接由所述非适合种晶层与所述导电层电连通地支撑。所述第一材料和所述第二材料形成非适合的材料对。

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