公开(公告)号：CN116364530A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211621042.8

申请日：2022-12-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 赵旼熙 ,  李炅珉 ,  姜元荣 ,  金康卨 ,  金兑根

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上；通过使该处理液中的溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到该基板上，从该基板去除该固化的液膜；以及将冲洗液供应到该基板上。

公开(公告)号：CN118116835A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311425650.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金康卨 ,  金兑根 ,  崔俊熙 ,  李炅珉 ,  金容准

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 公开了一种基板处理装置，该基板处理装置允许化学液体深入地渗透到基板的图案之间的间隙中。该基板处理装置包括：壳体，具有限定在壳体中的处理空间，在处理空间中处理基板；基板支撑件，安装在处理空间中以便能够围绕旋转轴旋转，并且被配置为支撑基板；化学液体供应装置，设置在基板支撑件的顶部上，并且被配置为向支撑在基板支撑件上的基板的上表面喷射化学液体；以及控制器，被配置为向基板支撑件反复地施加指示不同转速的第一旋转控制信号和第二旋转控制信号，以便产生涂覆在基板上的化学液体的惯性行为。

公开(公告)号：CN115642118A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210826532.5

申请日：2022-07-13

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金康卨 ,  安熙满

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供了一种基板处理设备，包括：处理容器，所述处理容器中具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑并旋转所述基板；以及液体供应单元，所述液体供应单元用于将液体供应到所述基板上，其中所述支撑单元包括：主体，在所述主体上安置所述基板；以及支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体，并且所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，并且在所述中心部分中形成真空孔，并且在所述边缘部分中形成凹槽。

公开(公告)号：CN119905388A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411492814.1

申请日：2024-10-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔俊熙 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  李炅珉 ,  金容准 ,  朴炯洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明公开了一种基板加工方法、制造方法和基板加工装置。具体公开了一种加工基板的方法，该方法包括：将包含挥发性成分的涂覆液体供应到基板的顶表面以形成清洁膜的涂覆操作；以及加工清洁膜的清洁膜加工操作，其中，该清洁膜加工操作包括：在形成在基板上的清洁膜中产生裂纹以形成膜裂片的裂纹形成操作；以及通过挥发膜裂片中包含的挥发性成分来使膜裂片从基板的顶表面分层的分层操作。

公开(公告)号：CN118073228A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311477784.2

申请日：2023-11-08

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金容准 ,  金兑根 ,  崔俊熙 ,  金康卨 ,  李炅珉

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供了能够允许液体化学品深深地渗透到基板的图案中的基板处理设备及基板处理方法，基板处理设备包括：壳体，用于形成处理基板的处理空间；基板支承部，安装在处理空间中以围绕旋转轴线旋转，并且设置成支承基板；液体化学品供应部，设置在基板支承部的上方，以朝向由基板支承部支承的基板的上表面喷出液体化学品；以及喷出部，设置在处理空间的一侧，以向基板上喷出具有与液体化学品的温度不同的温度的传热介质。

公开(公告)号：CN116206972A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210944623.9

申请日：2022-08-08

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李炅珉 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  赵旼熙 ,  姜元荣

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了将用于剥离基板上的涂膜的剥离液同时提供到基板的整个表面以处理基板的基板处理装置及方法。所述基板处理方法包括以下步骤：利用第一喷嘴向基板上喷出第一液体，并且利用第一液体形成捕集有微粒的涂膜；利用第二喷嘴向基板上喷射第二液体，并且利用第二液体从基板剥离涂膜；以及利用第三喷嘴向基板上喷出第三液体，并且利用第三液体从基板上去除涂膜，其中，在剥离的步骤中，向基板的整个表面同时喷射第二液体。

公开(公告)号：CN117259325A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310729837.9

申请日：2023-06-20

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严成勳 ,  金康卨 ,  孙永俊 ,  崔圣烈

IPC: B08B3/12 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于清洗基板的背面的设备可以包括清洗组件，该清洗组件可以包括容纳清洗液的清洗液提供部和向清洗液施加超声波使得从清洗液提供部朝向基板的背面形成清洗液的柱的超声波提供部。可以通过使清洗液的柱与基板的背面接触来清洗基板的背面。

公开(公告)号：CN116387180A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211527736.5

申请日：2022-11-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 姜元荣 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  李炅珉 ,  赵旼熙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供一种半导体工艺系统及基板处理方法。所述半导体工艺系统包括：台，其在腔室内用于放置基板；以及处理液供给装置，其向所述基板上提供含有溶剂和溶质的处理液，其中，所述处理液供给装置在从所述基板的中心向外周面移动的同时向所述基板上提供所述处理液。

公开(公告)号：CN120033063A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411682140.1

申请日：2024-11-22

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金容准 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  崔俊熙 ,  李炅珉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种处理衬底的方法，所述方法包括：通过向旋转的衬底供应处理溶液来处理衬底以在所述衬底上形成液膜的液体处理操作；在所述液体处理操作之后，将气体排放到所述衬底并从所述衬底去除所述液膜的上层的气体处理操作；以及在所述气体处理操作之后，去除所述衬底上的所述液膜的下层的液膜去除操作。

公开(公告)号：CN118197954A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311681572.6

申请日：2023-12-08

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李炅珉 ,  金兑根 ,  金康卨

IPC: H01L21/67 ,  F16L39/00

Abstract: 本发明涉及一种处理液排放组件和处理液排放方法，并且所述处理液排放组件包括：排出歧管，所述排出歧管连接到基底处理设备的至少一个排放管线，并且被配置为限定预定容纳空间以临时容纳处理液；以及排出管，所述排出管连接到所述容纳空间的底表面，其中，所述排出管在排出歧管的所述容纳空间中限定具有预定高度的水平差，并且所述排出管从所述容纳空间的所述底表面朝向所述容纳空间的上侧突出所述预定高度以限定临时容纳所述处理液的缓冲空间。