公开(公告)号：CN118116835A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311425650.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金康卨 ,  金兑根 ,  崔俊熙 ,  李炅珉 ,  金容准

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 公开了一种基板处理装置，该基板处理装置允许化学液体深入地渗透到基板的图案之间的间隙中。该基板处理装置包括：壳体，具有限定在壳体中的处理空间，在处理空间中处理基板；基板支撑件，安装在处理空间中以便能够围绕旋转轴旋转，并且被配置为支撑基板；化学液体供应装置，设置在基板支撑件的顶部上，并且被配置为向支撑在基板支撑件上的基板的上表面喷射化学液体；以及控制器，被配置为向基板支撑件反复地施加指示不同转速的第一旋转控制信号和第二旋转控制信号，以便产生涂覆在基板上的化学液体的惯性行为。

公开(公告)号：CN120033063A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411682140.1

申请日：2024-11-22

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金容准 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  崔俊熙 ,  李炅珉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种处理衬底的方法，所述方法包括：通过向旋转的衬底供应处理溶液来处理衬底以在所述衬底上形成液膜的液体处理操作；在所述液体处理操作之后，将气体排放到所述衬底并从所述衬底去除所述液膜的上层的气体处理操作；以及在所述气体处理操作之后，去除所述衬底上的所述液膜的下层的液膜去除操作。

公开(公告)号：CN118116834A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311390926.1

申请日：2023-10-25

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔俊熙 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  李炅珉 ,  金容准

IPC: H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  B08B13/00

Abstract: 公开了一种允许化学液体深层地渗透到基底的图案之间的间隙中的基底处理设备和基底处理方法。所述基底处理设备包括：室，具有限定在所述室中的处理空间，在所述处理空间中处理基底；卡盘，安装在所述处理空间中并配置成支撑所述卡盘上的所述基底；化学液体供应部，形成在所述卡盘上方并配置成朝向被支撑在所述卡盘上的所述基底的上表面供应化学液滴；以及加压器，形成在所述卡盘上方并配置成对供应在所述基底的所述上表面上的所述化学液滴加压，使得受压的所述化学液滴填充形成在所述基底上的图案之间的间隙。

公开(公告)号：CN119905388A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411492814.1

申请日：2024-10-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔俊熙 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  李炅珉 ,  金容准 ,  朴炯洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明公开了一种基板加工方法、制造方法和基板加工装置。具体公开了一种加工基板的方法，该方法包括：将包含挥发性成分的涂覆液体供应到基板的顶表面以形成清洁膜的涂覆操作；以及加工清洁膜的清洁膜加工操作，其中，该清洁膜加工操作包括：在形成在基板上的清洁膜中产生裂纹以形成膜裂片的裂纹形成操作；以及通过挥发膜裂片中包含的挥发性成分来使膜裂片从基板的顶表面分层的分层操作。

公开(公告)号：CN118073228A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311477784.2

申请日：2023-11-08

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金容准 ,  金兑根 ,  崔俊熙 ,  金康卨 ,  李炅珉

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供了能够允许液体化学品深深地渗透到基板的图案中的基板处理设备及基板处理方法，基板处理设备包括：壳体，用于形成处理基板的处理空间；基板支承部，安装在处理空间中以围绕旋转轴线旋转，并且设置成支承基板；液体化学品供应部，设置在基板支承部的上方，以朝向由基板支承部支承的基板的上表面喷出液体化学品；以及喷出部，设置在处理空间的一侧，以向基板上喷出具有与液体化学品的温度不同的温度的传热介质。