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公开(公告)号：CN109545641B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811105255.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，工艺腔室在其内部具有处理空间；支承单元，支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，气体供应单元配置将处理气体供应至处理空间；以及等离子体生成单元，等离子体生成单元配置为由处理空间中的气体生成等离子体。其中，等离子体生成单元包括：高频电源；高频天线，将电流从高频电源施加至高频天线；和附加天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。
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公开(公告)号：CN109545641A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811105255.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，工艺腔室在其内部具有处理空间；支承单元，支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，气体供应单元配置将处理气体供应至处理空间；以及等离子体生成单元，等离子体生成单元配置为由处理空间中的气体生成等离子体。其中，等离子体生成单元包括：高频电源；高频天线，将电流从高频电源施加至高频天线；和附加天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116315602A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211482422.8
申请日：2022-11-24
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供一种在等离子体处理工艺中可以更广泛地控制蚀刻率的天线构造体以及包括其的等离子体处理设备。根据本发明的一侧面的用于形成等离子体的天线构造体包括：馈电线，被施加RF(Radio Frequency)信号；以及线圈部件，包括隔着一定间隔在上下方向上隔开的多个单位线圈。
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公开(公告)号：CN110828275A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910725903.9
申请日：2019-08-07
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 一种基板处理装置包括：腔室，腔室中具有在其中处理基板的空间；支承腔室中的基板的支承单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括：高频电源；连接至高频电源的一端的第一天线；与第一天线并联连接的第二天线；以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括：设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器；与第二天线并联连接的第二电容器；以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。
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公开(公告)号：CN113690123B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110545351.0
申请日：2021-05-19
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。
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公开(公告)号：CN116313718A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211483502.5
申请日：2022-11-24
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的实施例提供用于迅速的阻抗匹配的阻抗匹配电路及具备其的供电装置以及等离子体处理设备。根据本发明的阻抗匹配电路包括：并联电容器阵列，与生成RF(radio frequency)信号的RF电源并联连接；以及串联电容器阵列，与所述RF电源串联连接，所述并联电容器阵列或者所述串联电容器阵列包括机械式真空可变电容器以及与所述机械式真空可变电容器并联连接的电子式开关电容器模组。
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公开(公告)号：CN113690123A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110545351.0
申请日：2021-05-19
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。
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