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公开(公告)号：CN1685088A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822488.7
申请日：2003-08-19
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Inventor： J·S·艾姆
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/067 , G03F7/70041 , G03F7/70725 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/78675
Abstract: 提出一种处理薄膜样品和薄膜结构的工艺与系统。具体地说，束发生器(110)能被控制成以预定的重复频率发射连续的辐射束脉冲(164)，各辐射束脉冲经遮蔽而形成第一组和第二组小束用于撞击薄膜样品(170)，其强度足以至少部分熔化薄膜样品片段的受辐射部分。薄膜样品片段一特定部分受辐射束脉冲第一脉冲的第一小束辐射而熔化特定部分的第一区，该第一区被至少部分熔化，在各相邻的第一区之间留下第一未辐射区，并被允许再固化结晶。在第一小束辐射了特定部分后，该特定部分再被辐射束脉冲第二脉冲的第二小束辐射而熔化其第二区，第二区被至少部分熔化，在各相邻的第二区之间留下第二未辐射区，并被允许再固化结晶。第一与第二受辐射和再固化区在薄膜样品片段内相互混合。此外，第一区对应于第一像素，第二区对应于第二像素。
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公开(公告)号：CN100459041C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03822483.6
申请日：2003-08-19
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Inventor： J·S·艾姆
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/78651
Abstract: 本发明提供处理薄膜样本(170)的处理和系统。更特别地，可以控制光束发生器(110)发射至少一个光束脉冲(111)。然后遮蔽所述光束脉冲(111)来产生至少一个经遮蔽的光束脉冲(164)，再用它来照射薄膜样本(170)的至少一个部分(510)。用至少一个经遮蔽的光束脉冲(164)以足够使这样的部分(510)结晶的强度照射薄膜样本(170)的部分(510)。允许薄膜样本(170)的此部分(510)结晶，它在结晶后由第一个区域(518)和第二个区域(515)组成。在结晶后，第一个区域(518)包括第一组晶粒，第二个区域(515)包括第二组晶粒，第一组晶粒的至少一个特性不同于第二组晶粒的至少一个特性。第一个区域(518)包围第二个区域(515)，并配置为允许在与其间隔一段距离处提供薄膜晶体管(TFT)(610)的活跃区域(618)。
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公开(公告)号：CN1330797C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN02816797.X
申请日：2002-08-27
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Abstract: 制作一种有均匀微结构的多晶硅薄膜晶体管的方法。一种示例的方法要求接纳一个有晶粒结构的多晶硅薄膜，该结构至少在一个第一方向上是周期性的，并且在接纳的薄膜上放置一个或多个薄膜晶体管的至少一些部分(410，420)，因此它们相对于该薄膜的周期性结构倾斜。
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公开(公告)号：CN1757093A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN03819047.8
申请日：2003-08-19
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Inventor： J·S·艾姆
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , H01L21/02 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/324 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/10 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明提供了一种高生产量系统和在低温下沉积到衬底上的薄膜半导体的再结晶工艺。用激光光束照射薄膜半导体工件来熔化和再结晶暴露在激光光束的表面目标区域。使用图形掩模，使激光光束成形为一个或多个波束。掩模图形具有合适的尺寸和方向来图形化激光光束照射，使得由波束对准的区域具有传导到半导体再结晶的尺寸和方向。在高速条件下工件沿着相对应激光光束的线性路径机械地平移来处理工件的表面。位置灵敏的触发激光可被用于产生激光脉冲，来熔化和再结晶电动平台上平移的工件时精确地位于工件表面上的半导体材料。
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公开(公告)号：CN1685474A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822483.6
申请日：2003-08-19
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Inventor： J·S·艾姆
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/78651
Abstract: 本发明提供处理薄膜样本(170)的处理和系统。更特别地，可以控制光束发生器(110)发射至少一个光束脉冲(111)。然后掩模所述光束脉冲(111)来产生至少一个经掩模的光束脉冲(164)，再用它来照射薄膜样本(170)的至少一个部分(510)。用至少一个经掩模的光束脉冲(164)以足够使这样的部分(510)结晶的强度照射薄膜样本(170)的部分(510)。允许薄膜样本(170)的此部分(510)结晶，它在结晶后由第一个区域(518)和第二个区域(515)组成。在结晶后，第一个区域(518)包括第一组晶粒，第二个区域(515)包括第二组晶粒，第一组晶粒的至少一个特性不同于第二组晶粒的至少一个特性。第一个区域(518)包围第二个区域(515)，并配置为允许在与其间隔一段距离处提供薄膜晶体管(TFT)(610)的活跃区域(618)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1547626A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816797.X
申请日：2002-08-27
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
IPC: C30B13/00
Abstract: 制作一种有均匀微结构的多晶硅薄膜晶体管的方法。一种示例的方法要求接纳一个有晶粒结构的多晶硅薄膜，该结构至少在一个第一方向上是周期性的，并且在接纳的薄膜上放置一个或多个薄膜晶体管的至少一些部分(410，420)，因此它们相对于该薄膜的周期性结构倾斜。
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公开(公告)号：CN100447941C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN03822407.0
申请日：2003-08-19
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Inventor： J·S·艾姆
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10T117/1024 , Y10T117/1076
Abstract: 本发明提供用于处理薄膜样本(如半导体薄膜)的处理和系统以及薄膜结构。特别地，可以控制光束发生器发射至少一个光束脉冲。使用该光束脉冲，以足够的强度照射薄膜样本的至少一部分来贯穿整个厚度完全熔化这部分样本，且该光束脉冲具有预定的形状。允许再固化这部分薄膜样本，且再固化的至少一部分由第一个区域和第二个区域组成。当再固化时，第一个区域包括大晶粒，而第二个区域具有通过成核作用形成的区域。第一个区域包围第二个区域，且其晶粒结构不同于第二个区域的晶粒结构。配置第二个区域以便在其上提供电子设备的活跃区域。
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公开(公告)号：CN100336941C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03822488.7
申请日：2003-08-19
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Inventor： J·S·艾姆
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/067 , G03F7/70041 , G03F7/70725 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/78675
Abstract: 提出一种处理薄膜样品和薄膜结构的工艺与系统。具体地说，束发生器(110)能被控制成以预定的重复频率发射连续的辐射束脉冲(164)，各辐射束脉冲经遮蔽而形成第一组和第二组小束用于撞击薄膜样品(170)，其强度足以至少部分熔化薄膜样品片段的受辐射部分。薄膜样品片段一特定部分受辐射束脉冲第一脉冲的第一小束辐射而熔化特定部分的第一区，该第一区被至少部分熔化，在各相邻的第一区之间留下第一未辐射区，并被允许再固化结晶。在第一小束辐射了特定部分后，该特定部分再被辐射束脉冲第二脉冲的第二小束辐射而熔化其第二区，第二区被至少部分熔化，在各相邻的第二区之间留下第二未辐射区，并被允许再固化结晶。第一与第二受辐射和再固化区在薄膜样品片段内相互混合。此外，第一区对应于第一像素，第二区对应于第二像素。
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公开(公告)号：CN1774791A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03822407.0
申请日：2003-08-19
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
Inventor： J·S·艾姆
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10T117/1024 , Y10T117/1076
Abstract: 本发明提供用于处理薄膜样本(如半导体薄膜)的处理和系统以及薄膜结构。特别地，可以控制光束发生器发射至少一个光束脉冲。使用该光束脉冲，以足够的强度照射薄膜样本的至少一部分来贯穿整个厚度完全熔化这部分样本，且该光束脉冲具有预定的形状。允许再固化这部分薄膜样本，且再固化的至少一部分由第一个区域和第二个区域组成。当再固化时，第一个区域包括大晶粒，而第二个区域具有通过成核作用形成的区域。第一个区域包围第二个区域，且其晶粒结构不同于第二个区域的晶粒结构。配置第二个区域以便在其上提供电子设备的活跃区域。
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公开(公告)号：CN1235268C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN00815450.3
申请日：2000-08-29
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
CPC classification number: B23K26/0622 , B23K26/0626 , B23K26/066 , G03F7/70041 , G03F7/70725 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
Abstract: 揭示了将非晶硅(542)薄膜样本(170)加工成多晶硅(540)薄膜的方法。在一种较佳装置例中，一种方法包括步骤：产生一个序列的受激准分子激光脉冲(164)；将该序列中每个受激准分子激光(110)脉冲调节成一预定流量；按一预定平面均化该序列中每个已调节的激光脉冲；用二维狭缝图案(220)遮蔽该序列中每个均化的流量受控激光脉冲的一部分，以产生流量受控的直线定形细光束脉冲序列，在狭缝图案中的每条狭缝应足够窄，以避免在由细光束照射的硅薄膜样本上相应于该狭缝的区域内引起成核现象；用流量受控的狭缝定形细光束序列照射非晶硅薄膜，由此将相应于定形细光束脉冲序列中的每个流量受控的定形细光束脉冲的部分非晶硅熔化。
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