公开(公告)号：CN1235268C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN00815450.3

申请日：2000-08-29

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·艾姆 ,  R·S·斯波茜里 ,  M·A·克劳德尔

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC classification number: B23K26/0622 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/066 ,  G03F7/70041 ,  G03F7/70725 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04

Abstract: 揭示了将非晶硅(542)薄膜样本(170)加工成多晶硅(540)薄膜的方法。在一种较佳装置例中，一种方法包括步骤：产生一个序列的受激准分子激光脉冲(164)；将该序列中每个受激准分子激光(110)脉冲调节成一预定流量；按一预定平面均化该序列中每个已调节的激光脉冲；用二维狭缝图案(220)遮蔽该序列中每个均化的流量受控激光脉冲的一部分，以产生流量受控的直线定形细光束脉冲序列，在狭缝图案中的每条狭缝应足够窄，以避免在由细光束照射的硅薄膜样本上相应于该狭缝的区域内引起成核现象；用流量受控的狭缝定形细光束序列照射非晶硅薄膜，由此将相应于定形细光束脉冲序列中的每个流量受控的定形细光束脉冲的部分非晶硅熔化。

公开(公告)号：CN1387675A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN00815450.3

申请日：2000-08-29

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·艾姆 ,  R·S·斯波茜里 ,  M·A·克劳德尔

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC classification number: B23K26/0622 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/066 ,  G03F7/70041 ,  G03F7/70725 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04

Abstract: 揭示了将非晶硅(542)薄膜样本(170)加工成多晶硅(540)薄膜的方法。在一种较佳装置例中,一种方法包括步骤:产生一个序列的受激准分子激光脉冲(164);将该序列中每个受激准分子激光(110)脉冲调节成一预定流量;按一预定平面均化该序列中每个已调节的激光脉冲;用二维狭缝图案(220)遮蔽该序列中每个均化的流量受控激光脉冲的一部分,以产生流量受控的直线定形细光束脉冲序列,在狭缝图案中的每条狭缝应足够窄,以避免在由细光束照射的硅薄膜样本上相应于该狭缝的区域内引起成核现象;用流量受控的狭缝定形细光束序列照射非晶硅薄膜,由此将相应于定形细光束脉冲序列中的每个流量受控的定形细光束脉冲的部分非晶硅熔化。