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公开(公告)号：CN101186660A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710160087.9
申请日：2001-05-31
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
Abstract: 所选择的单阴离子膦配位体的过渡金属配合物，还包括选择的族15或16(IUPAC)元素，并与族3到11(IUPAC)过渡金属或镧系金属配位，是诸如乙烯和α－烯烃的烯烃的(共)聚合反应，以及这种烯烃与含有极性基团的烯烃的共聚反应的聚合反应催化剂。中性和单阴离子二齿配位体的这些和其他镍配合物在较高乙烯压力和惊人的高温下与乙烯和极性共聚单体，特别是丙烯酸酯共聚反应，得到良好的极性共聚单体掺入和良好的聚合物产率。这些共聚物通常具有独特的结构并在本文中描述。
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公开(公告)号：CN1214054C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01817583.X
申请日：2001-10-16
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
IPC: C08F232/08 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/09
CPC classification number: C08F232/08 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395
Abstract: 一种含氟聚合物，其由至少一种选自乙烯、α-烯烃、1，1’-二基取代的烯烃、乙烯醇、乙烯基醚和1，3-二烯的间隔基团以及含有具有结构-C(Rf)(Rf’)ORb的官能团的降冰片烷基制备，其中，Rf和Rf’是1-约10个碳原子的相同或不同的氟代烷基，或者在一起成为(CF2)n，其中n为2-约10，Rb是氢原子或酸-或碱-不稳定保护性基团；r是0-4的整数。这些含氟聚合物的吸光系数在157纳米波长小于4.0μm-1。这些聚合物可用于微刻用的光刻胶组合物中。它们在这种短波长具有高透明性并且还具有其它关键性能，包括良好的抗等离子腐蚀性和粘结性能。
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公开(公告)号：CN1589287A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02822847.2
申请日：2002-11-15
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
IPC: C08F210/02 , C08F10/00
CPC classification number: C08F210/02 , C08F4/65908 , C08F4/65912 , C08F4/65916 , C08F10/00 , C08F10/02 , C08F110/02 , C08F210/16 , C08F4/619 , C08F2500/03 , C08F2500/10 , C08F230/08 , C08F2500/04 , C08F2500/12 , C08F210/06 , C08F4/7006
Abstract: 通过在聚合反应中加入硅化合物，该硅化合物中在硅原子上键合有至少一个族15或者16元素的原子，改进了使用族8、9或者10过渡金属与二齿配位体的配合物作为部分聚合催化剂的烯烃聚合反应。该聚合反应通常具有提高的聚合物产率和/或该聚合催化剂具有较长的半寿期。
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公开(公告)号：CN1444606A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN01813360.6
申请日：2001-05-31
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
IPC: C08F4/70 , C08F4/80 , C08F4/642 , C08F110/02 , C08F210/02 , C07F15/04 , C07F7/00
CPC classification number: C08F10/00 , B01J31/1805 , B01J31/2282 , B01J2231/122 , B01J2531/847 , C07F9/46 , C07F9/5004 , C07F9/5009 , C07F15/0066 , C07F15/04 , C07F15/045 , C08F4/619 , C08F110/02 , C08F210/02 , C08F2500/04 , C08F2500/10 , C08F2500/20 , C08F220/10 , C08F2500/03 , C08F220/12 , C08F4/6028 , C08F4/64065 , C08F4/7031 , C08F4/7029 , C08F4/7019 , C08F4/7022 , C08F4/7014 , C08F4/7008 , C08F4/7006 , C08F4/40
Abstract: 所选择的单阴离子膦配位体的过渡金属配合物，还包括选择的族15或16(IUPAC)元素，并与族3到11(IUPAC)过渡金属或镧系金属配位，是诸如乙烯和α－烯烃的烯烃的(共)聚合反应，以及这种烯烃与含有极性基团的烯烃的共聚反应的聚合反应催化剂。中性和单阴离子二齿配位体的这些和其他镍配合物在较高乙烯压力和惊人的高温下与乙烯和极性共聚单体，特别是丙烯酸酯共聚反应，得到良好的极性共聚单体掺入和良好的聚合物产率。这些共聚物通常具有独特的结构并在本文中描述。
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公开(公告)号：CN1243519A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN98801832.2
申请日：1998-01-13
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
IPC: C08F10/00 , C08F4/70 , C08F4/82 , C07F15/04 , C07D207/335 , C07C225/14 , C07C229/30 , C07C237/16 , C07C327/44
CPC classification number: C07D207/335 , C07C225/22 , C07C251/86 , C07F15/04 , C08F10/00 , C08F12/04 , C08F110/02 , C08F110/14 , C08F210/02 , C08F210/16 , C08F2410/03 , C08F4/80 , C08F2500/04 , C08F2500/03 , C08F210/14 , C08F210/06 , C08F4/7006 , C08F4/7022 , C08F4/7004 , C08F4/7021 , C08F4/7019
Abstract: 用某些单阴离子配位体的镍(Ⅱ)配合物使经选择的烯烃如乙烯和α－烯烃聚合。这类聚烯烃可用于多种用途,例如模塑树脂、薄膜、纤维及其它。也公开了许多新的镍化合物及其前驱体,以及新的配位体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101835624B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880112842.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/38214 , B41M5/392 , H05K3/046 , H05K3/182 , H05K3/207 , H05K9/0094 , H05K2201/0209 , H05K2203/0528 , H05K2203/107 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明公开了用于制备具有高导电性的金属图案的方法，所述方法包括通过热成像法提供包含在底部基板上图案化的催化剂层的图案化基板，随后通过镀覆提供金属图案。所提供的金属图案适用于电气器件，包括电磁干扰屏蔽罩和触摸板传感器。
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公开(公告)号：CN101010351B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200580029780.1
申请日：2005-07-08
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: B01J31/184 , B01J2231/12 , B01J2231/20 , B01J2531/0258 , B01J2531/842 , B01J2531/845 , B01J2540/225 , C07D221/06 , C07D221/08 , C07F15/025 , C07F15/045 , C08F10/00 , C08F110/02 , C08F2500/20 , C08F2500/04 , C08F4/7042
Abstract: 本发明公开了某些新的三环配体的新的铁和钴络合物为烯烃(特别是乙烯)聚合和/或低聚催化剂，所述三环配体包含“吡啶”环且被两个亚氨基取代。依照配体的确切结构和聚合方法条件可以生成α-烯烃至高聚合物的产物。所述聚合物特别是聚乙烯用作薄膜及成型树脂是有效的。
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公开(公告)号：CN101836514A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112847.1
申请日：2008-10-23
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/392 , H05K3/046 , H05K3/182 , H05K3/185 , H05K2203/0528 , H05K2203/107 , H05K2203/1105
Abstract: 本发明公开了用于制备具有高导电性的金属图案的负像法，所述方法包括提供图案化基板，其通过热成像法随后镀覆以提供金属图案，所述基板包含在底部基板上图案化催化剂层。所提供的金属图案适于电气器件，包括电磁干扰屏蔽装置和触摸板传感器。
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公开(公告)号：CN101490863A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026822.5
申请日：2007-07-16
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
Inventor： R·K·贝利 , G·B·布兰歇特 , J·W·卡特伦 , R·J·彻斯特菲尔德 , 高峰 , H·D·格利克斯曼 , M·B·戈德芬格 , G·D·贾科克斯 , L·K·约翰逊 , R·L·克伊塞延 , I·马拉乔维奇 , 孟鸿 , J·S·梅斯 , G·努涅斯 , G·奥奈尔 , K·G·沙普 , N·G·塔西
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0013 , H01L51/0035 , H01L51/0052 , H01L51/0068 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/102
Abstract: 本发明涉及包括新型介电层和新型电极的薄膜晶体管，所述新型电极包括可通过干热转移法提供的金属组合物。
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公开(公告)号：CN101490625A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027359.6
申请日：2007-07-16
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
Inventor： G·D·安德鲁斯 , R·K·贝利 , G·B·布兰歇特 , J·W·卡特伦 , 高峰 , G·D·贾科克斯 , L·K·约翰逊 , R·L·科伊泽延 , J·S·梅斯 , F·S·普伦西普 , R·S·施菲诺 , R·M·约汉南
Abstract: 本发明提供改善成像热转印接收体上热转印图案的方法，其中成像热转印接收体包含具有一个或多个热转印层的暴露部分和非暴露部分的表面，所述方法包括：a)使所述表面与粘结层接触，持续接触时间段，得到叠层；b)使所述粘结层由叠层分离，得到处理的热转印接收体，所述处理的热转印接收体具有基本不含所述一个或多个热转印层的非暴露部分的表面。本方法可用于制造电子器件，包括薄膜晶体管、电路、电磁干扰屏蔽、触摸垫传感器及其它电子器件。
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