公开(公告)号：CN101364598B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810145714.6

申请日：2008-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其包括在半导体基板上形成的第一组晶体管、第二组晶体管和电阻器，所述第二组晶体管中每个晶体管的工作电压低于所述第一组晶体管中每个晶体管的工作电压，其中，所述第一组晶体管具有经过第一栅绝缘膜由硅系材料层在所述半导体基板上形成的第一栅电极；所述第二组晶体管具有经过第二栅绝缘膜将金属系栅材料填充在所述半导体基板上的层间绝缘膜中的栅形成用沟槽内而形成的第二栅电极；并且，所述电阻器具有电阻器本体和在所述电阻器本体上形成的电阻器保护层，所述电阻器本体利用所述硅系材料层并经过绝缘膜形成在所述半导体基板上。由此，可以设置能够高精度地设定其电阻值的电阻器。

公开(公告)号：CN101661946B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910169271.9

申请日：2009-08-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  中泽正志

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14603

Abstract: 本发明提供了固体摄像器件和固体摄像器件的制造方法，所述固体摄像器件包括：半导体层；电荷累积区域，其被形成在所述半导体层内部并用作光电二极管的一部分；以及反射面，其被布置在所述电荷累积区域内部或者下方，并且被形成为用于反射已经透过所述电荷累积区域的光，使该光射向所述电荷累积区域的中央部。在本发明的固体摄像器件中，已经透过所述电荷累积区域的光(例如红光)能够被所述反射面反射并射向所述电荷累积区域的中央部，从而聚集在所述电荷累积区域的中央部上。因此，能够提高灵敏度。

公开(公告)号：CN102184932A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110121438.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/361

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。

公开(公告)号：CN101471368B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810187316.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335 ,  H04N5/359 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。

公开(公告)号：CN101661946A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910169271.9

申请日：2009-08-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  中泽正志

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14603

Abstract: 本发明提供了固体摄像器件和固体摄像器件的制造方法，所述固体摄像器件包括：半导体层；电荷累积区域，其被形成在所述半导体层内部并用作光电二极管的一部分；以及反射面，其被布置在所述电荷累积区域内部或者下方，并且被形成为用于反射已经透过所述电荷累积区域的光，使该光射向所述电荷累积区域的中央部。在本发明的固体摄像器件中，已经透过所述电荷累积区域的光(例如红光)能够被所述反射面反射并射向所述电荷累积区域的中央部，从而聚集在所述电荷累积区域的中央部上。因此，能够提高灵敏度。

公开(公告)号：CN102184932B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201110121438.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/361

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。

公开(公告)号：CN103700681A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310737987.0

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/148 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置（1）包括对入射光进行光电转换的光接收部分（12）。该固态成像装置（1）具有形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上以降低界面态的膜（21），以及形成在形成为降低界面态的膜（21）上且具有固定负电荷的膜（22）。空穴积聚层（23）形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上。

公开(公告)号：CN101409301B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200810161899.X

申请日：2008-10-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 押山到 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  山口哲司 ,  大岸裕子 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明公开了一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置及其制造方法和成像装置，该固态成像装置包括：形成在所述感光部的光接收面上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的具有负电荷的层；以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。利用本发明的固态成像装置，因为暗电流能够被抑制，所以成像图像中的噪声能够被减小。结果，具有能够获得高质量图像的优势。

公开(公告)号：CN102280463A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110226438.8

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN103700680B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310734014.1

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置（1）包括对入射光进行光电转换的光接收部分（12）。该固态成像装置（1）具有形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上以降低界面态的膜（21），以及形成在形成为降低界面态的膜（21）上且具有固定负电荷的膜（22）。空穴积聚层（23）形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上。