公开(公告)号：CN100481321C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610138910.1

申请日：2006-09-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 安藤崇志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明旨在使用铪原材料、硅原材料和氧化剂通过原子层沉积方法沉积硅酸铪膜，由此改善漏电流特性和台阶覆盖性能。本发明中公开了一种具有沟槽电容器的半导体器件的制造方法，该沟槽电容器包括：形成于沟槽内表面上的第一电极、形成于第一电极的表面上的电容器绝缘膜、以及形成于电容器绝缘膜的表面上的第二电极。该方法包括步骤：使用铪原材料、硅原材料和氧化剂，通过原子层沉积方法沉积形式为硅酸铪膜的电容器绝缘膜。

公开(公告)号：CN103050501B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210551421.4

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224 ,  H04N5/374 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN102184932A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110121438.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/361

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。

公开(公告)号：CN101471368B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810187316.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335 ,  H04N5/359 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。

公开(公告)号：CN103700680B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310734014.1

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置（1）包括对入射光进行光电转换的光接收部分（12）。该固态成像装置（1）具有形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上以降低界面态的膜（21），以及形成在形成为降低界面态的膜（21）上且具有固定负电荷的膜（22）。空穴积聚层（23）形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上。

公开(公告)号：CN103700680A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310734014.1

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置（1）包括对入射光进行光电转换的光接收部分（12）。该固态成像装置（1）具有形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上以降低界面态的膜（21），以及形成在形成为降低界面态的膜（21）上且具有固定负电荷的膜（22）。空穴积聚层（23）形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上。

公开(公告)号：CN101669205B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200780052901.3

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/148 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少的固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN102254926A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110226436.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN101471368A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810187316.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。

公开(公告)号：CN1937173A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610138910.1

申请日：2006-09-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 安藤崇志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明旨在使用铪原材料、硅原材料和氧化剂通过原子层沉积方法沉积硅酸铪膜，由此改善漏电流特性和台阶覆盖性能。本发明中公开了一种具有沟槽电容器的半导体器件的制造方法，该沟槽电容器包括：形成于沟槽内表面上的第一电极、形成于第一电极的表面上的电容器绝缘膜、以及形成于电容器绝缘膜的表面上的第二电极。该方法包括步骤：使用铪原材料、硅原材料和氧化剂，通过原子层沉积方法沉积形式为硅酸铪膜的电容器绝缘膜。