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公开(公告)号：CN113812000A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080034647.X
申请日：2020-06-26
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 中泽圭一 , 财津光一郎 , 藤井宣年 , 樋浦洋平 , 森茂贵 , 冈本晋太郎 , 大岛启示 , 万田周治 , 山元纯平 , 柚贺优衣 , 三宅慎一 , 神户智树 , 绪方亮 , 宫路达贵 , 中川进次 , 山下浩史 , 浜本宁 , 君塚直彦
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本发明的固态成像装置包括：第一半导体层，其针对每个像素包括光电转换部和电荷累积部，在电荷累积部中累积有由光电转换部产生的信号电荷；像素分离部，其设置在第一半导体层中，并且将多个像素彼此分隔；第二半导体层，其设置有像素晶体管并且层叠在第一半导体层上，像素晶体管读出电荷累积部的信号电荷；和第一共享连接部，其设置在第二半导体层和第一半导体层之间，并且被设置成跨越像素分离部并且连接到多个电荷累积部。
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公开(公告)号：CN113795922A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080034002.6
申请日：2020-06-25
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L25/065
Abstract: 根据本公开实施方案的成像装置包括：第一基板，其包括执行光电转换的传感器像素；第二基板，其包括基于从所述传感器像素输出的电荷而输出像素信号的像素电路；和第三基板，其包括对所述像素信号进行信号处理的处理电路，第一基板、第二基板和第三基板按该顺序层叠，并且在设有所述像素电路的场效应晶体管的至少一个或多个半导体层中，在第一基板侧的区域中的导电型杂质的浓度高于在第三基板侧的区域中的导电型杂质的浓度。
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公开(公告)号：CN113906564A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080033096.5
申请日：2020-06-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 根据本公开一个实施方案的成像装置包括：第一半导体基板(100)，其设置有光电转换元件、临时保持从所述光电转换元件输出的电荷的浮动扩散部以及将从所述光电转换元件输出的电荷传输到所述浮动扩散部的传输晶体管；第二半导体基板(200)，其经由第一层间绝缘膜设置在第一半导体基板(100)上，并且设有读出在所述浮动扩散部中保持的电荷并输出像素信号的读出电路单元。
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公开(公告)号：CN113812001A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080034725.6
申请日：2020-06-18
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 冈本晋太郎
IPC: H01L27/146 , H01L27/32
Abstract: 根据本公开的半导体装置包括层叠的多个基板(100A、200A)；形成在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中的半导体元件(TR、AMP)；和保护层元件(TF、TS)，其在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中形成为具有PN结，并且保护所述半导体元件(TR、AMP)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112740398B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201980057269.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: MOS电容器的电容量增加。半导体元件包括第一半导体区域、绝缘膜、栅电极和第二半导体区域。第一半导体区域布置在半导体基板上，并且在表面上具有凹部。绝缘膜布置成与第一半导体区域的表面相邻。栅电极布置成与绝缘膜相邻，并且与第一半导体区域构成MOS电容器。第二半导体区域在半导体基板上布置成与第一半导体区域相邻，以与第一半导体区域相同的导电类型形成，并且当MOS电容器被充电和放电时向第一半导体区域提供载流子。
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公开(公告)号：CN113826208A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080035657.5
申请日：2020-06-25
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/247 , H04N13/243
Abstract: 根据本发明实施例的第一摄像装置包括第一基板、第二基板和贯通配线。所述第一基板包括：设置在第一半导体基板中的用于构成传感器像素的光电转换部和第一晶体管。所述第二基板层叠在所述第一基板上，且包括：设置在具有与所述第一基板相对着的一个表面的第二半导体基板中的用于构成所述传感器像素的第二晶体管及在层叠方向上贯穿所述第二半导体基板的开口。所述第二基板具有用于调整所述第二晶体管的阈值电压的调整部，所述调整部形成在所述开口的位于所述第二晶体管的栅极附近的侧面上和/或所述第二半导体基板的所述一个表面的与所述第一晶体管相对着的区域上。所述贯通配线设置在所述开口内，用于将所述第一基板和所述第二基板电气连接。
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公开(公告)号：CN113330564A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202080010005.6
申请日：2020-02-07
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/04 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/06 , H01L27/146 , H01L29/78 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开涉及能够改善栅极电容型的电压依赖性的半导体装置、固态摄像装置以及半导体装置的制造方法。提供了一种半导体装置，所述半导体装置具有层叠结构，在所述层叠结构中，层叠有形成在半导体层的表面上并且通过所述半导体层与金属反应形成的化合物层、与所述化合物层接触的绝缘膜层以及形成在所述绝缘膜层上的电极层。例如，本技术能够应用于固态摄像装置中包括的AD转换部。
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公开(公告)号：CN119487864A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380045705.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 冈本晋太郎
IPC: H04N25/772 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10F39/18 , H04N25/78
Abstract: [问题]为了提供一种降低噪声的比较器、光检测元件和电子设备。[解决方案]该比较器用于将信号与参考信号进行比较以输出比较结果，并且该比较器包括输出信号与参考信号之间的差动电压的差动电路和电连接至该差动电路的有源负载电路。差动电路包括设置在基板的表面上的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管具有在与基板的表面大致垂直的方向上延伸的沟道区域。
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公开(公告)号：CN112740398A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980057269.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/146
Abstract: MOS电容器的电容量增加。半导体元件包括第一半导体区域、绝缘膜、栅电极和第二半导体区域。第一半导体区域布置在半导体基板上，并且在表面上具有凹部。绝缘膜布置成与第一半导体区域的表面相邻。栅电极布置成与绝缘膜相邻，并且与第一半导体区域构成MOS电容器。第二半导体区域在半导体基板上布置成与第一半导体区域相邻，以与第一半导体区域相同的导电类型形成，并且当MOS电容器被充电和放电时向第一半导体区域提供载流子。
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