公开(公告)号：CN113812000A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034647.X

申请日：2020-06-26

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 中泽圭一 ,  财津光一郎 ,  藤井宣年 ,  樋浦洋平 ,  森茂贵 ,  冈本晋太郎 ,  大岛启示 ,  万田周治 ,  山元纯平 ,  柚贺优衣 ,  三宅慎一 ,  神户智树 ,  绪方亮 ,  宫路达贵 ,  中川进次 ,  山下浩史 ,  浜本宁 ,  君塚直彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 根据本发明的固态成像装置包括：第一半导体层，其针对每个像素包括光电转换部和电荷累积部，在电荷累积部中累积有由光电转换部产生的信号电荷；像素分离部，其设置在第一半导体层中，并且将多个像素彼此分隔；第二半导体层，其设置有像素晶体管并且层叠在第一半导体层上，像素晶体管读出电荷累积部的信号电荷；和第一共享连接部，其设置在第二半导体层和第一半导体层之间，并且被设置成跨越像素分离部并且连接到多个电荷累积部。