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公开(公告)号：CN118160095A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071799.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H04N25/62 , H04N25/76
Abstract: 根据本公开实施方案的成像装置包括：包括像素区域的第一基板，所述像素区域包括执行光电转换的多个传感器像素；层叠在所述第一基板上并且包括多个读出电路的第二基板，所述多个读出电路分别针对每一个或多个所述传感器像素设置并且基于从所述传感器像素输出的电荷输出像素信号；多个第一接合电极，所述多个第一接合电极设置在所述第一基板的与所述第二基板的接合面上并且连接到所述一个或多个传感器像素中的每个传感器像素，所述多个第一接合电极均具有在彼此大致正交的第一方向和第二方向中的所述第一方向上具有纵向方向的平面形状；以及多个第二接合电极，所述多个第二接合电极设置在所述第二基板的与所述第一基板的接合面上、连接到所述多个读出电路中的相应一个读出电路并且连接到所述多个第一接合电极中的相应一个第一接合电极，所述多个第二接合电极均具有在彼此大致正交的所述第一方向和所述第二方向中的所述第二方向上具有纵向方向的平面形状。
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公开(公告)号：CN117546294A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280043918.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明抑制了电荷传输效率的降低。根据实施方案的成像装置包括以二维格子图案排列的多个像素(2)，其中各个像素包括：对入射光进行光电转换的光电转换单元(PD)、传输累积在光电转换单元中的电荷的栅电极(108)以及从光电转换单元传输的电荷流入其中的扩散区域(FD)，并且光电转换单元、栅电极和扩散区域沿着半导体基板的基板厚度方向布置在半导体基板中。
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公开(公告)号：CN113940058A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080042325.X
申请日：2020-06-23
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 山下浩史
IPC: H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N9/07 , H01L27/146
Abstract: 本发明设置有：第二基板，其包括基于从所述传感器像素输出的电荷而输出像素信号的像素电路；以及第三基板，其包括对所述像素信号进行信号处理的处理电路。所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板依次堆叠。包括所述像素电路的半导体层由绝缘层分割。在所述传感器像素的与光轴方向垂直的平面上的至少一个方向上，所述绝缘层以使得所述半导体层的连续区域的中心位置或分割所述半导体层的区域的中心位置对应于所述传感器像素的光学中心的位置的方式分割所述半导体层。
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公开(公告)号：CN113348535A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202080010658.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/00 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/146 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/78 , H04N5/3745
Abstract: 根据本公开的实施例的摄像元件包括第一半导体基板和隔着绝缘层层叠在所述第一半导体基板上的第二半导体基板。所述第一半导体基板包括光电转换部和保持从所述光电转换部传输的电荷的电荷保持部。所述第二半导体基板包括产生与保持在所述电荷保持部中的电荷电平相对应的电压信号的放大晶体管。所述放大晶体管包括在与所述第二半导体基板的前表面相交的平面中的沟道区、源极区和漏极区，并且包括隔着栅极绝缘膜与沟道区相对并电耦合到所述电荷保持部的栅极电极。
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公开(公告)号：CN118866923A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410942558.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/77 , H04N25/70
Abstract: 为了提高有源元件的布置自由度，一种光检测装置包括以二维形式设置的多个像素，各像素含有由元件分离区域划分的五个半导体区域。另一种光检测装置包括：以二维形式设置的多个像素；和各像素中的由元件分离区域划分出的五个半导体区域。五个半导体区域包括：分别设置有第一、第二传输晶体管的第一、第二半导体区域；设置有除第一和第二传输晶体管以外的第一像素晶体管的第三半导体区域；设置有除第一和第二传输晶体管以外的第二像素晶体管的第四半导体区域；以及p型半导体区域。一种电子设备包括：上述任一种光检测装置；使来自被摄体的成像光在光检测装置的摄像面上成像的光学透镜；以及对从光检测装置输出的信号执行信号处理的信号处理电路。
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公开(公告)号：CN118805258A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380024923.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 山下浩史
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 提供了一种包括多个像素的摄像装置，所述多个像素中的每个像素包括：光电转换部(101)，其位于由像素分离部(120)划分的像素区域中，并产生与入射光相对应的电荷；浮动扩散部(103)，其保持由光电转换部产生的电荷；以及传输晶体管，其将电荷从光电转换部传输到浮动扩散部。传输晶体管具有栅电极(102a)，该栅电极沿着第一半导体基板的厚度方向从第一半导体基板的第二面(11b)延伸到像素分离部中，所述第二面位于作为第一半导体基板(11)的光入射面的第一面(11a)的相反侧。
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公开(公告)号：CN117121206A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280024070.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 为了提高有源元件的布置自由度，光检测装置包括：半导体层，其具有在厚度方向上位于彼此的相对侧上的第一表面和第二表面；以及光电转换单元，其设置于所述半导体层中且由在所述半导体层的厚度方向上延伸的第一分离区域划分出。所述光电转换单元包括：第一和第二光电转换区域，它们二者以在平面图中彼此相邻的方式设置于所述半导体层中，并且各自都具有光电转换部和传输晶体管；第二分离区域，其在平面图中被布置于第一与第二光电转换区域之间，且在所述半导体层的厚度方向上延伸；以及元件形成区域，其以由第三分离区域划分出的方式设置于所述半导体层的第一表面侧处，其设置有像素晶体管，并且在平面图中延伸得遍及于第一和第二光电转换区域上。
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公开(公告)号：CN110892710B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201880047158.0
申请日：2018-06-27
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 山下浩史
IPC: H04N5/3745 , H04N5/369 , H01L27/146 , H03F3/45
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，其设有具有多个像素的摄像单元，其中，各像素包括：转换元件，将入射光转换成光电子；浮动扩散层，电连接到所述转换元件并将所述光电子转换为电压信号；差分放大电路，用于放大所述浮动扩散层的电位，电连接到所述浮动扩散层，并且包括被输入所述浮动扩散层的电位的放大晶体管；反馈晶体管，电连接到所述放大晶体管并初始化所述差分放大电路；钳位电容，串联连接在所述浮动扩散层和所述放大晶体管之间；和复位晶体管，并联连接在所述浮动扩散层和所述钳位电容之间，并初始化所述浮动扩散层的电位。
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公开(公告)号：CN111492484A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081214.2
申请日：2018-12-27
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H04N5/369
Abstract: 本公开一个实施方案的成像元件通过依次层叠第一基板、第二基板和第三基板构成。包括执行光电转换的传感器像素的第一基板和包括读出电路的第二基板通过设置在层间绝缘膜内的第一贯通配线彼此电气连接。第二基板和包括逻辑电路的第三基板通过焊盘电极之间的接合或贯通半导体基板的第二贯通配线彼此电气连接。
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公开(公告)号：CN110892710A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880047158.0
申请日：2018-06-27
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 山下浩史
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，其设有具有多个像素的摄像单元，其中，各像素包括：转换元件，将入射光转换成光电子；浮动扩散层，电连接到所述转换元件并将所述光电子转换为电压信号；差分放大电路，用于放大所述浮动扩散层的电位，电连接到所述浮动扩散层，并且包括被输入所述浮动扩散层的电位的放大晶体管；反馈晶体管，电连接到所述放大晶体管并初始化所述差分放大电路；钳位电容，串联连接在所述浮动扩散层和所述放大晶体管之间；和复位晶体管，并联连接在所述浮动扩散层和所述钳位电容之间，并初始化所述浮动扩散层的电位。
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