公开(公告)号：CN103943624A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410017862.5

申请日：2014-01-15

Applicant: 索尼公司

Inventor： 神田泰夫 ,  甘利浩一 ,  时任俊作 ,  鸟毛裕二 ,  有马孝之

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/525 ,  G11C17/18

CPC classification number: G11C17/165 ,  G11C17/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明期望提供一种能够提高所存信息的可靠性的存储元件、半导体器件和写入方法。所述存储元件包括：电熔丝，其设置为插在第一输入节点与第二输入节点之间；以及反熔丝，其设置为插在所述第二输入节点与第三输入节点之间。所述第三输入节点所构成的节点上所施加的电压与施加至所述第一输入节点上的电压可以单独地施加。

公开(公告)号：CN102693957A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210072170.1

申请日：2012-03-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 神田泰夫 ,  甘利浩一 ,  时任俊作 ,  鸟毛裕二 ,  有马孝之

IPC: H01L23/525 ,  G11C17/16

CPC classification number: H01L23/5256 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了电熔丝、半导体装置以及电熔丝的信息写入方法。所述电熔丝包括：丝状体，所述丝状体具有第一导电层和在所述第一导电层上形成的第二导电层，其中在所述丝状体中通过改变所述第一导电层的状态与所述第二导电层的状态的组合产生至少三种可辨别的电阻状态。所述半导体装置包括上述电熔丝、写入部、读取部、阈值信号生成部和辨别部。所述电熔丝的信息写入方法包括以下步骤：首先，对上述电熔丝设定用于产生预定的电阻状态的烧熔条件；然后，在设定的所述烧熔条件下使电流流过所述丝状体，从而在所述丝状体中产生预定的电阻状态。根据本发明，能够以节省空间的方式有效地增大安装在例如半导体集成电路等的芯片上的电熔丝的容量。

公开(公告)号：CN107197628B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201580060567.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 横山孝司 ,  时任俊作 ,  长谷川宏 ,  山岸肇

IPC: H01L21/8244 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

Abstract: 半导体器件包括触发器电路、控制线、第一P型晶体管、第一非易失性存储元件、第二P型晶体管和第一非易失性存储元件。触发器电路具有依次连接有第一反相器电路、包括第一节点第一连接线、第二反相器电路和包括第二节点的第二连接线的环形结构。第一P型晶体管和第一非易失性存储元件在第一节点与控制线之间串联地连接。第二P型晶体管和第一非易失性存储元件在第二节点与控制线之间串联地连接。非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的钉扎层、隧道势垒层和自由层的磁隧道结元件。

公开(公告)号：CN102347310A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110206194.7

申请日：2011-07-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 神田泰夫 ,  甘利浩一 ,  时任俊作 ,  鸟毛裕二 ,  有马孝之 ,  国广恭史

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  G11C17/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和该半导体器件的驱动方法。所述半导体器件具有电熔断器元件，所述电熔断器元件包括：第一细丝、连接着所述第一细丝的第二细丝以及串联读出部，所述串联读出部连接着所述第一细丝的一端，所述一端与所述第一细丝连接着所述第二细丝的另一端相反，所述串联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的串联电阻。本发明能够使用现有的工序而不需要任何额外的加工步骤，提供含有可靠的多值化电熔断器元件的半导体器件。

公开(公告)号：CN107197628A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201580060567.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 横山孝司 ,  时任俊作 ,  长谷川宏 ,  山岸肇

IPC: H01L21/8244 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C11/1697 ,  G11C14/0081 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

Abstract: 半导体器件包括触发器电路、控制线、第一P型晶体管、第一非易失性存储元件、第二P型晶体管和第一非易失性存储元件。触发器电路具有依次连接有第一反相器电路、包括第一节点第一连接线、第二反相器电路和包括第二节点的第二连接线的环形结构。第一P型晶体管和第一非易失性存储元件在第一节点与控制线之间串联地连接。第二P型晶体管和第一非易失性存储元件在第二节点与控制线之间串联地连接。非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的钉扎层、隧道势垒层和自由层的磁隧道结元件。