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公开(公告)号：CN110730720A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880036110.X
申请日：2018-04-17
Applicant: 索尼公司
IPC: B41J2/475 , B41J2/47 , G11B7/0045 , G11B7/135
Abstract: 根据本公开内容的实施方式的光学装置是执行针对可逆记录介质执行信息的写入和擦除中的一者或两者的装置。这种光学装置包括：在近红外区域(700nm至2500nm)中具有不同发射波长的多个激光元件；对从多个激光元件输出的激光束进行合成的光学系统；以及在可逆记录介质上对由通过光学系统进行合成而获得的合成光束进行扫描的扫描器部。
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公开(公告)号：CN101923889B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010201355.9
申请日：2010-06-09
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3277 , H01L43/08 , Y10S977/933 , Y10S977/935
Abstract: 本发明公开了存储装置和存储器。存储装置包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；第一中间层和第二中间层，被设置为夹置存储层并且均由绝缘体形成；第一固定磁性层，被设置在第一中间层的与存储层相对的侧上；第二固定磁性层，被设置在第二中间层的与存储层相对的侧上；以及非磁性导体层，被设置在第一中间层或者第二中间层和存储层之间，存储装置被配置为，在堆叠方向上向其注入自旋极化电子以改变存储层的磁化方向，从而将信息存储在存储层中。
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公开(公告)号：CN101930988A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010207322.5
申请日：2010-06-18
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/005 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C17/16 , G11C29/50 , G11C2029/4402 , Y10S977/935
Abstract: 一种存储器，包括多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，该隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够被反转；隧道阻挡层，包括绝缘材料；以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向。该存储器还包括：随机存取存储区，其中，使用存储设备的磁化自由层的磁化方向来记录信息；以及只读存储区，其中，根据存储设备的隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。
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公开(公告)号：CN109789714B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201780059046.2
申请日：2017-09-13
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开的记录设备设置有：写入单元，将根据时间并且被可见地记录在记录介质中的细目表信息从第一细目表信息重写成第二细目表信息；和生成单元，基于时间生成第二细目表信息。
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公开(公告)号：CN109922966B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201780069104.X
申请日：2017-09-14
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本公开的绘图装置设置有：照射单元，在第一时段中，将第一光照射到通过使用预定光可视地记录图像的记录对象的第一记录区域，并且在第一时段之后的第二时段中，将作为预定光的第二光照射到第二记录区域，该第二记录区域与第一记录区域相同或包含在第一记录区域中；和控制单元，控制发光单元的操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109789714A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780059046.2
申请日：2017-09-13
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开的记录设备设置有：写入单元，将根据时间并且被可见地记录在记录介质中的细目表信息从第一细目表信息重写成第二细目表信息；和生成单元，基于时间生成第二细目表信息。
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公开(公告)号：CN101937686B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010219837.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
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公开(公告)号：CN102054524A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010518624.4
申请日：2010-10-20
Applicant: 索尼公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种信息存储元件及其驱动方法，信息存储元件包括：字电极，包括连续形成并且导电的第一磁性材料；非磁性膜，与字电极的第一磁性材料接触地形成；第二磁性材料，经由非磁性膜连接至第一磁性材料；磁化设定机构，设置在字电极的两个端部的至少一个端部附近并且设定字电极的端部的磁化方向；矫顽力减小机构，减小第二磁性材料的矫顽力；以及导电性位电极，形成以兼作第二磁性材料或者与第二磁性材料平行地形成，连续形成位电极以与字电极交叉。
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公开(公告)号：CN101937686A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219837.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
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公开(公告)号：CN109937432B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201780067555.X
申请日：2017-08-29
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开的实施方式的请求处理设备包括选择单元和输出单元。从活动期间通过拍摄获得的拍摄数据的多个实例中，所述选择单元选择与活动之前或活动期间已经接受的请求相匹配的拍摄数据的一个或多个实例。所述输出单元输出用所述选择单元选择的拍摄数据的一个或多个实例。
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