公开(公告)号：CN101136496A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148347.0

申请日：2007-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 竹内安正 ,  近藤繁雄 ,  安食嘉晴

IPC: H01M10/36 ,  H01M10/38

CPC classification number: H01M4/139 ,  B32B37/10 ,  B32B2457/10 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0414 ,  H01M4/13 ,  H01M4/70 ,  H01M4/78 ,  H01M10/0427 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M2010/0495 ,  H01M2220/30 ,  H01M2300/0071 ,  H01M2300/0091 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明提供一种二次电池，所述二次电池可以避免电池容量在经过充电－放电循环后降低并且可以具有高性能。所述二次电池包含第一电极层；第二电极层；和安置在第一和第二电极层之间的电解质层，所述电解质层包含电解质颗粒，其中第一和第二电极层中的至少一个包含具有其上形成多个凹部的主表面的基底构件和至少填充在所述凹部中的电极材料，所述主表面面向所述电解质层。

公开(公告)号：CN101136495A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148339.6

申请日：2007-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 近藤繁雄 ,  竹内安正

IPC: H01M10/36

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/13 ,  H01M4/485 ,  H01M4/54 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/28 ,  H01M10/4235 ,  H01M2300/0065 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/124

Abstract: 本发明提供一种二次电池，所述二次电池可以避免电池容量在经过充电－放电循环后降低并且可以具有高性能。所述二次电池包含：层压体，所述层压体具有一对电极和安置在所述一对电极之间的电解质层，所述电解质层包含电解质颗粒，所述层压体具有端面部分；和限制器，所述限制器被安置成至少覆盖所述层压体的所述端面部分以限制所述电解质层在其平面方向上的膨胀。

公开(公告)号：CN101136498A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148358.9

申请日：2007-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 近藤繁雄 ,  竹内安正

IPC: H01M10/38 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M10/44 ,  Y02E60/12 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/4911 ,  Y10T29/49112 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供一种二次电池，所述二次电池可以避免电池容量在经过充电－放电循环后降低并且可以显示高性能。一种用于制造二次电池的方法，所述二次电池包含层压体，所述层压体具有一对电极和安置在该对电极之间的电解质层，所述层压体具有端面部分；和限制器，所述限制器被安置成至少覆盖所述层压体的所述端面部分以限制所述电解质层在其平面方向上的膨胀，所述方法包括：制备模具、所述一对电极和用于形成所述电解质层的电解质颗粒；通过在所述模具中压制所述电极和所述电解质颗粒将所述一对电极和所述电解质层接合在一起以形成所述层压体；和安置所述限制器使其至少覆盖从所述模具中取出的所述层压体的所述端面部分。

公开(公告)号：CN1289614C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03136784.4

申请日：2003-04-18

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  夏普公司 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 横山泰明 ,  松木安生 ,  迫野郁夫 ,  小林和树 ,  竹内安正

IPC: C09D5/24

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C23C18/08 ,  H01L21/288 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/105 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造能够方便、经济地适用于不同电子元件的布线或电极的导电膜形成用组合物，一种用这种组合物制膜的方法、一种用此方法制成的导电膜，和包含这种膜的布线或电极。包括一种胺化合物与铝氢化合物的络合物和一种有机溶剂的导电膜形成用组合物，被涂敷在基底上，然后对它进行热处理和/或光辐射，从而形成一种导电膜如电极或布线。

公开(公告)号：CN1543293A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410038785.8

申请日：2004-03-26

Applicant: JSR株式会社 ,  夏普株式会社 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 横山泰明 ,  米仓勇 ,  佐藤崇 ,  若崎环树 ,  竹内安正 ,  远藤昌之

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/02 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/14 ,  Y10T428/24917

Abstract: 提供了一种通过用包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(B)钛化合物的组合物或包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(C)金属颗粒的组合物涂覆基材并且随后使得到的涂覆薄膜受热和/或光处理，形成接线或电极的方法。通过这种方法，可以形成使用导电薄膜成形组合物的薄膜，采用该薄膜可以容易和便宜地形成接线和电极，该接线和电极可合适地用于电子器件。

公开(公告)号：CN1461779A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03136784.4

申请日：2003-04-18

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  夏普公司 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 横山泰明 ,  松木安生 ,  迫野郁夫 ,  小林和树 ,  竹内安正

IPC: C09D5/24

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C23C18/08 ,  H01L21/288 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/105 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造能够方便、经济地适用于不同电子元件的布线或电极的导电膜形成用组合物，一种用这种组合物制膜的方法、一种用此方法制成的导电膜，和包含这种膜的布线或电极。包括一种胺化合物与铝氢化合物的络合物和一种有机溶剂的导电膜形成用组合物，被涂敷在基底上，然后对它进行热处理和/或光辐射，从而形成一种导电膜如电极或布线。

公开(公告)号：CN101425604A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810212543.4

申请日：2008-09-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 近藤繁雄 ,  竹内安正 ,  筱原祐治 ,  川濑健夫

IPC: H01M10/36

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M6/18 ,  Y02E60/12 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供了一种传导锂离子的固体电解质材料，该材料含有硫化物－基锂离子导体和α－氧化铝。这种固体电解质材料显示了优良的锂离子传导率。此外，还提供了安置有这种固体电解质材料的电池器件。另外，还提供了安置有这种电池器件的全固体锂离子二次电池。

公开(公告)号：CN1297576A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800438.2

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: C23C18/06 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  C23C18/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/6675 ,  H01L51/0005 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。

公开(公告)号：CN101136495B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710148339.6

申请日：2007-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 近藤繁雄 ,  竹内安正

IPC: H01M10/36

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/13 ,  H01M4/485 ,  H01M4/54 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/28 ,  H01M10/4235 ,  H01M2300/0065 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/124

Abstract: 本发明提供一种二次电池，所述二次电池可以避免电池容量在经过充电-放电循环后降低并且可以具有高性能。所述二次电池包含：层压体，所述层压体具有一对电极和安置在所述一对电极之间的电解质层，所述电解质层包含电解质颗粒，所述层压体具有端面部分；和限制器，所述限制器被安置成至少覆盖所述层压体的所述端面部分以限制所述电解质层在其平面方向上的膨胀。

公开(公告)号：CN1199241C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。