电光学装置及其制造方法和电子设备

    公开(公告)号:CN1753067A

    公开(公告)日:2006-03-29

    申请号:CN200510106339.0

    申请日:2005-09-23

    Abstract: 本发明提供一种避免信号延迟造成的显示质量的降低的电光学装置。该电光学装置包括:接受驱动电流的供给,实现发光的电光学元件(21);驱动电路(20),其通过供给恒定值的驱动电流,并且可变地设定上述驱动电流的供给期间,从而进行灰度控制,以驱动上述电光学元件;多根信号线(Yn1,Yn2,Xm),其从外部向上述驱动电路供给信号,上述信号线每一条设定由通过该信号线而产生的电阻成分和电容成分确定的时间常数,以便使通过该信号线供给的上述信号的延迟在10%以内。

    电光学装置及其制造方法和电子设备

    公开(公告)号:CN100392714C

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200510106339.0

    申请日:2005-09-23

    Abstract: 本发明提供一种避免信号延迟造成的显示质量的降低的电光学装置。该电光学装置包括:接受驱动电流的供给,实现发光的电光学元件(21);驱动电路(20),其通过供给恒定值的驱动电流,并且可变地设定上述驱动电流的供给期间,从而进行灰度控制,以驱动上述电光学元件;多根信号线(Yn1,Yn2,Xm),其从外部向上述驱动电路供给信号,上述信号线每一条设定由通过该信号线而产生的电阻成分和电容成分确定的时间常数,以便使通过该信号线供给的上述信号的延迟在10%以内。

    有机场致发光装置及电子设备

    公开(公告)号:CN101038931B

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:CN200710085591.7

    申请日:2007-03-12

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3265 H01L27/3276

    Abstract: 本发明提供一种有机EL装置。本发明的有机EL装置包括:至少在一面具有导电性的基板(10);形成在上述基板的一面上的绝缘膜(50);分别包括源极与上述基板连接的p沟道型晶体管(58、62、64、66),并形成于上述绝缘膜上的多个驱动电路;对应于上述驱动电路每一个而形成于上述基板上,且一个端子与上述晶体管连接,另一个端子与公共接地连接的多个有机场致发光元件(82、88、90)。另外,在形成具有导电性的基板的像素的区域的外周部设置电源供给用的焊盘。本发明的有机EL装置可以使有机EL元件的发光亮度的面内分布更均匀。

    电容检测装置及其驱动方法、指纹传感器和生物识别装置

    公开(公告)号:CN1266450C

    公开(公告)日:2006-07-26

    申请号:CN200410035307.1

    申请日:2004-04-15

    Inventor: 原弘幸

    CPC classification number: G01D5/2405 G01D5/24 G06K9/0002

    Abstract: 本发明提供一种检测精度高的指纹传感器。为了解决相关的问题,本发明的指纹传感器包括:将静电电容检测电路配置成矩阵形状的矩阵部,该静电电容检测电路输出与和指纹间形成的静电电容相对应的检测信号;以及放大电路,其用于放大该检测信号。放大电路具有作为用于将检测信号输出到静电电容检测电路的信号源的功能。检测信号被构成为使得从放大电路经由静电电容检测电路而传送到低电位电源线上。

    电容检测装置及其驱动方法、指纹传感器和生物识别装置

    公开(公告)号:CN1538142A

    公开(公告)日:2004-10-20

    申请号:CN200410035307.1

    申请日:2004-04-15

    Inventor: 原弘幸

    CPC classification number: G01D5/2405 G01D5/24 G06K9/0002

    Abstract: 本发明提供一种检测精度高的指纹传感器。为了解决相关的问题,本发明的指纹传感器包括:将静电电容检测电路配置成矩阵形状的矩阵部,该静电电容检测电路输出与和指纹间形成的静电电容相对应的检测信号;以及放大电路,其用于放大该检测信号。放大电路具有作为用于将检测信号输出到静电电容检测电路的信号源的功能。检测信号被构成为使得从放大电路经由静电电容检测电路而传送到低电位电源线上。

    半导体装置及其制造方法、电光学装置、电子机器

    公开(公告)号:CN1447421A

    公开(公告)日:2003-10-08

    申请号:CN03107529.0

    申请日:2003-03-26

    Inventor: 原弘幸 井上聪

    CPC classification number: H01L27/1281 H01L27/3244 H01L29/66757 H01L29/78675

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法是:在玻璃基板(10)上形成由多个的像素电路排列而成的薄膜电路的情况下,首先,在玻璃基板(10)上,以成为多个像素电路的排列间隔(P1)的自然数倍(在本图为1倍)的间隔,形成应成为半导体膜结晶化时的起点的多个的凹部(112)。然后,在形成了凹部(112)的基板(10)上形成非结晶的硅膜,通过对该硅膜进行热处理,使其结晶化,在以凹部(112)大致作为中心的范围内形成基本单结晶的硅膜。利用以各个的凹部(112)为大致中心而形成的各个基本单结晶的硅膜形成像素电路。从而,能够提高构成半导体装置的半导体元件的特性,并抑制其特性的不一致性。

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