振动器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113328720B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202110214678.X

    申请日:2021-02-26

    Abstract: 提供一种振动器件,能够抑制电路特性的下降。振动器件具有:振动片;半导体基板,其具有第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面,所述振动片配置于所述第1面;分数N‑PLL电路,其配置于所述第2面;布线,其配置于所述第1面,将所述振动片与所述分数N‑PLL电路电连接;输出端子,其配置在所述半导体基板的所述第2面侧,与所述分数N‑PLL电路电连接,输出来自所述分数N‑PLL电路的信号,在沿着所述半导体基板的厚度方向的俯视中,所述输出端子不与所述布线重叠。

    振动器件、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN111865259A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010330386.8

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本发明涉及振动器件、电子设备以及移动体。振动器件具有:基座基板,其由硅构成,具有第1面以及与所述第1面相反的一侧的第2面;盖体,其与所述基座基板接合;振动元件,其配置于所述基座基板的所述第1面,并被收纳于所述基座基板与所述盖体之间;以及热敏电阻元件,其配置于所述基座基板。

    机器人
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108115652A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201711062306.X

    申请日:2017-11-02

    Inventor: 竹内淳一

    Abstract: 本发明提供一种机器人,能够缓和与被接触物接触时的冲击并抑制机器人的内部温度的上升。机器人具备:可动部,具有第一内部空间;缓冲部,配置在所述可动部的外侧,并具有第二内部空间;以及状态切换部,能够对从流体供给源向所述第一内部空间供给流体的第一状态和从所述流体供给源向所述第二内部空间供给流体的第二状态之间进行切换。另外,所述状态切换部具备:第一流路,将来自所述流体供给源的所述流体向所述第一内部空间供给;第二流路,将来自所述流体供给源的所述流体向所述第二内部空间供给;以及阀,能够对所述第一流路及所述第二流路各自的开闭程度进行调节。

    振动器件、振动模块以及电子设备

    公开(公告)号:CN111510104B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202010076812.X

    申请日:2020-01-23

    Inventor: 竹内淳一

    Abstract: 本发明涉及振动器件、振动模块以及电子设备,能够降低基座基板的内部应力。振动器件具有基座、安装在基座上的振动元件以及以在与基座之间收纳振动元件的方式与基座接合的盖体,基座具有:半导体基板,其具有接合有盖体的第1面和与第1面处于正反关系的第2面;第1绝缘层,其配置在第1面上;第1内部端子、第2内部端子,它们配置在第1绝缘层上,并与振动元件电连接;第2绝缘层,其配置在第2面上;以及第1外部端子、第2外部端子,它们配置在第2绝缘层上,并与第1内部端子、第2内部端子电连接,第2绝缘层具有:第1外部端子区域,其配置有第1外部端子;以及第2外部端子区域,其与第1外部端子区域分离,并配置有第2外部端子。

    振动器件
    7.
    发明公开
    振动器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115483886A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202210596852.6

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明提供一种振动器件,具有优异的振荡特性。振动器件具有:振动元件;基座,其具有处于正反关系的第一面和第二面,所述振动元件配置在该基座的所述第一面侧;集成电路,其配置于所述基座;盖,其具有与所述振动元件对置的内表面和与所述内表面处于正反关系的外表面,该盖以收纳所述振动元件的方式与所述基座接合;以及放射层,其配置于所述盖的所述内表面,具有比所述盖的放射率高的放射率。

    振动器件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113328720A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202110214678.X

    申请日:2021-02-26

    Abstract: 提供一种振动器件,能够抑制电路特性的下降。振动器件具有:振动片;半导体基板,其具有第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面,所述振动片配置于所述第1面;分数N‑PLL电路,其配置于所述第2面;布线,其配置于所述第1面,将所述振动片与所述分数N‑PLL电路电连接;输出端子,其配置在所述半导体基板的所述第2面侧,与所述分数N‑PLL电路电连接,输出来自所述分数N‑PLL电路的信号,在沿着所述半导体基板的厚度方向的俯视中,所述输出端子不与所述布线重叠。

    贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件

    公开(公告)号:CN102653389B

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201210050323.2

    申请日:2012-02-29

    CPC classification number: B81C1/00087

    Abstract: 本发明提供一种贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件。在该贯通孔形成方法中,具备对于具有第一基板面、以及作为所述第一基板面的背面的第二基板面的基板,在所述第一基板面上形成多个小孔的工序;对所述小孔与相邻的其它所述小孔之间的隔壁、以及所述小孔的底部进行热氧化而形成热氧化膜的工序;以及将所述热氧化膜除去的工序。

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