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公开(公告)号:CN102646687B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201210033147.1
申请日:2012-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14645
Abstract: 本发明提供一种具有可降低漏电流(暗电流)的光电转换部的光电转换装置以及使用该光电转换装置的电子设备。本适用例的光电转换装置,其特征在于,具备:在基板上形成的电路部,与电路部电气连接的第1电极(21),与第1电极(21)相对配置的具有透光性的第2电极(22),在第1电极(21)和第2电极(22)之间配置的光电转换部(26);光电转换部(26)由光吸收层(23)、非晶质的氧化物半导体层(24)和窗层(25)层叠而成,所述光吸收层(23)是由黄铜矿型的p型化合物半导体膜构成,所述窗层(25)由n型半导体膜构成。
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公开(公告)号:CN103681957A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310421599.1
申请日:2013-09-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/186 , A61B5/1455 , A61B5/4845 , H01L27/1446 , H01L27/14678 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0248 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , H01L31/09 , H01L31/109 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , H01L31/022408
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备。上述光电转换元件具备:基板;具有设置在基板上的第一导电膜及第二导电膜的第一电极膜;覆盖第一电极膜而设置的金属化合物膜;与金属化合物膜连接设置的半导体膜;与半导体膜连接设置的第二电极膜;以及设置成包覆基板、第一电极膜、半导体膜及金属化合物膜的绝缘膜,上述光电转换元件的制造方法包括:形成与基板连接的第一导电膜以及与第一导电膜连接的第二导电膜的第一电极膜形成工序;在第一电极膜形成工序之后,通过湿蚀刻法将第二导电膜形成为规定的形状的第一图案化工序;以及在第一图案化工序之后,形成覆盖第一电极膜的金属化合物膜的金属化合物膜形成工序。
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公开(公告)号:CN101419369B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200810170289.6
申请日:2008-10-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 服部恭典
IPC: G02F1/1362 , H01L51/50
CPC classification number: G02F1/133382 , G09G3/3258 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G3/3685 , G09G2300/0426 , G09G2320/041 , G09G2330/06
Abstract: 一种电光学装置(100),利用由金属膜构成的电阻线(105),作为用于对像素区域(10b)的温度进行检测的温度检测元件。因此,可以减小温度检测元件占有的面积,并且即使电阻线(105)跨像素区域(10b)的全周的1/2以上延伸,对设置其他布线也没有障碍。此外,由于电阻线(105)跨像素区域(10b)的全周的1/2以上延伸,所以能正确检测像素区域(10b)的温度。从而,可提供即使温度检测元件或温度检测用布线占有的面积窄时,也能可靠地监视像素区域全体的温度的电光学装置。
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公开(公告)号:CN102646687A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210033147.1
申请日:2012-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14645
Abstract: 本发明提供一种具有可降低漏电流(暗电流)的光电转换部的光电转换装置以及使用该光电转换装置的电子设备。本适用例的光电转换装置,其特征在于,具备:在基板上形成的电路部,与电路部电气连接的第1电极(21),与第1电极(21)相对配置的具有透光性的第2电极(22),在第1电极(21)和第2电极(22)之间配置的光电转换部(26);光电转换部(26)由光吸收层(23)、非晶质的氧化物半导体层(24)和窗层(25)层叠而成,所述光吸收层(23)是由黄铜矿型的p型化合物半导体膜构成,所述窗层(25)由n型半导体膜构成。
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公开(公告)号:CN101587256A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200910203459.0
申请日:2009-05-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 服部恭典
IPC: G02F1/133 , G06F3/042 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/13338
Abstract: 本发明涉及电光学装置及电子设备。例如在具有触摸面板功能的液晶装置中,能够准确检测出手指等指示机构。光传感器部(150)具备能够检测红外光的受光元件(192)、蓄积电容(152)、复位TFT(163)、信号放大用TFT(154)及输出控制用TFT(155)而构成。并且,光传感器部(150)具备能够检测可视光的受光元件部(191)。能够根据输出电流准确地检测出对显示面进行指示的手指等指示机构的位置,所述输出电流是根据入射到液晶装置(1)的显示面的可视光及红外光分别从受光元件部(191)及受光元件(192)输出的电流。
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公开(公告)号:CN101419369A
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200810170289.6
申请日:2008-10-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 服部恭典
IPC: G02F1/1362 , H01L51/50
CPC classification number: G02F1/133382 , G09G3/3258 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G3/3685 , G09G2300/0426 , G09G2320/041 , G09G2330/06
Abstract: 一种电光学装置(100),利用由金属膜构成的电阻线(105),作为用于对像素区域(10b)的温度进行检测的温度检测元件。因此,可以减小温度检测元件占有的面积,并且即使电阻线(105)跨像素区域(10b)的全周的1/2以上延伸,对设置其他布线也没有障碍。此外,由于电阻线(105)跨像素区域(10b)的全周的1/2以上延伸,所以能正确检测像素区域(10b)的温度。从而,可提供即使温度检测元件或温度检测用布线占有的面积窄时,也能可靠地监视像素区域全体的温度的电光学装置。
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