公开(公告)号：CN1499468A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310103008.2

申请日：2003-10-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 壹岐拓则 ,  恒川吉文 ,  林朋彦

IPC: G09G3/30 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136213

Abstract: 电光装置，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层。把构成上述存储电容器的电介质膜挟持起来构成的上部电极和下部电极，归因于含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层上的第1部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层上的第2部分，其剖面形状含有凸形形状。

公开(公告)号：CN1262977C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200310103360.6

申请日：2003-10-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 河田英德 ,  恒川吉文 ,  林朋彦

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136286

Abstract: 一种电光装置，包括：在基板上沿第一方向延伸的数据线；沿与上述数据线相交叉的第二方向延伸的扫描线；像素电极和薄膜晶体管，配置成与上述数据线和上述扫描线的交叉区域相对应；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的蓄积电容器。而且，上述薄膜晶体管具有包含沿纵向延伸的沟道区域和从该沟道区域进一步沿纵向延伸的沟道相邻区域的半导体层，上述扫描线在上述沟道区域的侧边具有遮光部。

公开(公告)号：CN1267775C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200310103008.2

申请日：2003-10-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 壹岐拓则 ,  恒川吉文 ,  林朋彦

IPC: G02F1/1333 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/136213

Abstract: 电光装置，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层。把构成上述存储电容器的电介质膜挟持起来构成的上部电极和下部电极，归因于含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层上的第1部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层上的第2部分，其剖面形状含有凸形形状。

公开(公告)号：CN1499459A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310103360.6

申请日：2003-10-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 河田英德 ,  恒川吉文 ,  林朋彦

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136286

Abstract: 一种电光装置，包括：在基板上沿第一方向延伸的数据线；沿与上述数据线相交叉的第二方向延伸的扫描线；像素电极和薄膜晶体管，配置成与上述数据线和上述扫描线的交叉区域相对应；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的蓄积电容器。而且，上述薄膜晶体管具有包含沿纵向延伸的沟道区域和从该沟道区域进一步沿纵向延伸的沟道相邻区域的半导体层，上述扫描线在上述沟道区域的侧边具有遮光部。

公开(公告)号：CN1287214C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200310103082.4

申请日：2003-10-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 恒川吉文 ,  仓科久树 ,  清水雄一

IPC: G02F1/1362 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/167

Abstract: 一种电光装置，其具备：在基板上沿第1方向延伸的数据线；沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样设置的像素电极和薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管的半导体层更上层并且比上述像素电极更下层形成的、与像素电位电连接的存储电容；以及被配置在上述数据线和上述像素电极之间的上侧遮光膜；其中，上述上侧遮光膜规定像素开口区域的至少角部；上述扫描线和上述数据线以及上述存储电容被形成于遮光区域。

公开(公告)号：CN1499278A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310103082.4

申请日：2003-10-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 恒川吉文 ,  仓科久树 ,  清水雄一

IPC: G02F1/1362 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/167

Abstract: 一种电光装置，其具备：在基板上沿第1方向延伸的数据线；沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样设置的像素电极和薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管的半导体层更上层并且比上述像素电极更下层形成的、与像素电位电连接的存储电容；以及被配置在上述数据线和上述像素电极之间的上侧遮光膜；其中，上述上侧遮光膜规定像素开口区域的至少角部；上述扫描线和上述数据线以及上述存储电容被形成于遮光区域。