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公开(公告)号：CN1499456A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310102382.0
申请日：2003-10-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器。此外，构成上述存储电容器的电介质膜，由含有不同的材料的多个层构成，同时，其中的一层含有由介电系数比别的层高的材料构成的层。
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公开(公告)号：CN1881056A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610091891.1
申请日：2006-06-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 仓科久树
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , G02F1/1333 , H01L21/00
Abstract: 本发明的电光装置，通过在形成保持电容(70)之后进行TFT(30)的氢化处理，抑制TFT(30)的元件特性的降低。保持电容(70)，为了不阻碍在TFT(30)中实施的氢化处理而形成得避开TFT(30)。更具体地，上部电容电极(300)具有：将为了在设置于各像素部的多个保持电容(70)间共用那样地沿着扫描线(3a)延伸的上部电容电极(300)，在TFT(30)之上开缺口的缺口部(301)。此外，下部电容电极(71)也在像素部相互分离使得不重叠到TFT(30)具备的半导体层之上。
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公开(公告)号：CN1366652A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01801011.3
申请日：2001-04-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 仓科久树
CPC classification number: G09G3/3225 , G02F1/1345 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2320/0214 , G09G2320/0233
Abstract: 一种电光装置,在TFT阵列基板(10)上备有:像素电极(9a)、对像素电极进行开关控制的TFT(30)、以及连接在该TFT上的扫描线(3a)及数据线(6a)。在扫描线上通过层间绝缘膜层叠电容电极(302)及电容线(300),在平面图上看在重叠在扫描线上的区域中构筑蓄积电容(70)。因此,能谋求与提高像素孔径率的同时增大蓄积电容,减少互相干扰并降低成本,进行高品位的图像显示。
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公开(公告)号：CN1291273C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200310103081.X
申请日：2003-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136227
Abstract: 一种电光装置，在基板上具备：沿第一方向延伸的数据线；沿着与上述数据线交叉的第二方向延伸的扫描线；被配置为与上述数据线及上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管；电气连接到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容；被配置在上述数据线和上述像素电极之间的屏蔽层；作为上述像素电极的基底配置的层间绝缘膜；以及在上述层间绝缘膜上形成的用于电气连接上述薄膜晶体管和上述像素电极之间的接触孔。并且，在上述接触孔内部的全部区域中具备有填充材料。
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公开(公告)号：CN1267782C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN01801011.3
申请日：2001-04-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 仓科久树
CPC classification number: G09G3/3225 , G02F1/1345 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2320/0214 , G09G2320/0233
Abstract: 一种电光装置，在TFT阵列基板(10)上备有：像素电极(9a)、对像素电极进行开关控制的TFT(30)、以及连接在该TFT上的扫描线(3a)及数据线(6a)。在扫描线上通过层间绝缘膜层叠电容电极(302)及电容线(300)，在平面图上看在重叠在扫描线上的区域中构筑蓄积电容(70)。因此，能谋求与提高像素孔径率的同时增大蓄积电容，减少互相干扰并降低成本，进行高品位的图像显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1242372C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200310102382.0
申请日：2003-10-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器。此外，构成上述存储电容器的电介质膜，由含有不同的材料的多个层构成，同时，其中的一层含有由介电系数比别的层高的材料构成的层。
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公开(公告)号：CN1530701A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410004691.9
申请日：2004-03-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 仓科久树
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136209 , G02F1/136213
Abstract: 本发明的特征在于：具有分别形成成膜图案的多个成膜层、分别在上述多个成膜层之间形成的层间膜、在上述层间膜中平坦化的层间膜之下的成膜层上形成的多个层间膜下侧布线图案、为了将上述多个层间膜下侧布线图案与上述平坦化的层间膜的上层的成膜图案之间连接而在上述平坦化的层间膜上形成的多个接触孔、以及在上述多个接触孔的下方的多个位置分别在上述多个层间膜下侧布线图案的下层的1个或1个以上的成膜层上形成的控制上述多个层间膜下侧布线图案的表面的位置的1个或1个以上的虚设图案。
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公开(公告)号：CN1257428C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200310113771.3
申请日：2003-11-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , H01L27/3297
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线；在与上述数据线交叉的第2方向上延伸的扫描线；被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管；在从上述数据线算起的下层上形成，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器；在从上述数据线算起的上层上形成的屏蔽层；把上述存储电容器的像素电位侧电容器电极和上述像素电极间电连起来，与上述数据线在同一层上形成的第1中继层；把上述存储电容器的固定电位侧电容器电极和上述屏蔽层间电连起来，与上述数据线在同一层上形成的第2中继层。此外，在上述数据线、上述第1中继层、上述第2中继层中，含有氮化膜。
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公开(公告)号：CN1499278A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103082.4
申请日：2003-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/167
Abstract: 一种电光装置，其具备：在基板上沿第1方向延伸的数据线；沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样设置的像素电极和薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管的半导体层更上层并且比上述像素电极更下层形成的、与像素电位电连接的存储电容；以及被配置在上述数据线和上述像素电极之间的上侧遮光膜；其中，上述上侧遮光膜规定像素开口区域的至少角部；上述扫描线和上述数据线以及上述存储电容被形成于遮光区域。
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公开(公告)号：CN100533237C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610091891.1
申请日：2006-06-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 仓科久树
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , G02F1/1333 , H01L21/00
Abstract: 本发明的电光装置，通过在形成保持电容(70)之后进行TFT(30)的氢化处理，抑制TFT(30)的元件特性的降低。保持电容(70)，为了不阻碍在TFT(30)中实施的氢化处理而形成得避开TFT(30)。更具体地，上部电容电极(300)具有：将为了在设置于各像素部的多个保持电容(70)间共用那样地沿着扫描线(3a)延伸的上部电容电极(300)，在TFT(30)之上开缺口的缺口部(301)。此外，下部电容电极(71)也在像素部相互分离使得不重叠到TFT(30)具备的半导体层之上。
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