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公开(公告)号：CN1499468A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103008.2
申请日：2003-10-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/30 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136213
Abstract: 电光装置，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层。把构成上述存储电容器的电介质膜挟持起来构成的上部电极和下部电极，归因于含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层上的第1部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层上的第2部分，其剖面形状含有凸形形状。
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公开(公告)号：CN1262977C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310103360.6
申请日：2003-10-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136286
Abstract: 一种电光装置，包括：在基板上沿第一方向延伸的数据线；沿与上述数据线相交叉的第二方向延伸的扫描线；像素电极和薄膜晶体管，配置成与上述数据线和上述扫描线的交叉区域相对应；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的蓄积电容器。而且，上述薄膜晶体管具有包含沿纵向延伸的沟道区域和从该沟道区域进一步沿纵向延伸的沟道相邻区域的半导体层，上述扫描线在上述沟道区域的侧边具有遮光部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1259724C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03153680.8
申请日：2003-08-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , G02F1/136 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/1255 , H01L29/78666 , H01L29/78675
Abstract: 在基板上，具备包含半导体层的TFT；与上述半导体层的一部分电气连接的第1电极；与第1电极相对配置的第2电极；由包含被配置在第1电极以及第2电极之间的氮化膜的电介质膜构成的，被形成在上述TFT上的电容器。上述氮化膜，平面地看，具有可以面对上述半导体层的开口部。相对半导体层的氢化，通过使用该开口部，可以有效地进行。
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公开(公告)号：CN1267775C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310103008.2
申请日：2003-10-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1333 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136213
Abstract: 电光装置，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层。把构成上述存储电容器的电介质膜挟持起来构成的上部电极和下部电极，归因于含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层上的第1部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层上的第2部分，其剖面形状含有凸形形状。
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公开(公告)号：CN1499459A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103360.6
申请日：2003-10-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136286
Abstract: 一种电光装置，包括：在基板上沿第一方向延伸的数据线；沿与上述数据线相交叉的第二方向延伸的扫描线；像素电极和薄膜晶体管，配置成与上述数据线和上述扫描线的交叉区域相对应；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的蓄积电容器。而且，上述薄膜晶体管具有包含沿纵向延伸的沟道区域和从该沟道区域进一步沿纵向延伸的沟道相邻区域的半导体层，上述扫描线在上述沟道区域的侧边具有遮光部。
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公开(公告)号：CN1484316A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03153680.8
申请日：2003-08-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , G02F1/136 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/1255 , H01L29/78666 , H01L29/78675
Abstract: 在基板上，具备包含半导体层的TFT；与上述半导体层的一部分电气连接的第1电极；与第1电极相对配置的第2电极；由包含被配置在第1电极以及第2电极之间的氮化膜的电介质膜构成的，被形成在上述TFT上的电容器。上述氮化膜，平面地看，具有可以面对上述半导体层的开口部。相对半导体层的氢化，通过使用该开口部，可以有效地进行。
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公开(公告)号：CN1447153A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107455.3
申请日：2003-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G09G2320/0238 , H01L27/1214 , H01L27/1218
Abstract: 本发明具备在基板上形成的像素电极以及开关元件；在上述开关元件的上方而且上述像素电极的下方形成的层间绝缘膜；形成在该层间绝缘膜上，把上述开关元件与上述像素电极进行电连接，而且在其内部充填由导电性材料构成的充填材料的接触孔，由此，通过消除由形成在基板上的叠层构造物中的接触孔引起的漏光，能够显示高品质的图像。
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