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公开(公告)号：CN104244485A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410238832.7
申请日：2014-05-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3206 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L27/3279 , H01L51/5253 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。电光装置具有第一像素、第二像素。第一像素、第二像素包含反射层、绝缘层、功能层、以及对置电极。绝缘层包含第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层。在第二绝缘层设置第一开口。在第一开口中将第一像素电极设置在第一绝缘层上。在第三绝缘层设置有第二开口。在第二开口中将第二像素电极设置在第二绝缘层上。本发明能够按照每个像素取出所希望的共振波长的光，并具有优良的光学特性。
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公开(公告)号：CN100505532C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510132693.0
申请日：2005-12-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供表面声波装置的制造方法及表面声波装置。在半导体基板上具备IC区域与表面声波元件区域并构成为一个芯片的表面声波装置中，能够确保形成表面声波元件部分的平坦性，得到特性良好的表面声波装置的制造方法及表面声波装置。该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。
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公开(公告)号：CN104244485B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201410238832.7
申请日：2014-05-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3206 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L27/3279 , H01L51/5253 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。电光装置具有第一像素、第二像素。第一像素、第二像素包含反射层、绝缘层、功能层、以及对置电极。绝缘层包含第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层。在第二绝缘层设置第一开口。在第一开口中将第一像素电极设置在第一绝缘层上。在第三绝缘层设置有第二开口。在第二开口中将第二像素电极设置在第二绝缘层上。本发明能够按照每个像素取出所希望的共振波长的光，并具有优良的光学特性。
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公开(公告)号：CN1794573A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510135036.1
申请日：2005-12-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 表面声波器件和表面声波器件的制造方法。本发明的课题是提供一种表面声波器件和表面声波器件的制造方法，在半导体基板上具有IC区域和表面声波元件区域并构成为一个芯片，能够确保形成表面声波元件的部分的平坦度，获得良好的特性。表面声波器件(1)在半导体基板上具有IC区域和表面声波元件区域并构成为一个芯片，在表面声波元件区域的半导体基板(30)上及元件绝缘膜(32)上而且形成有表面声波元件(24)的区域的下方，形成与IDT电极(22)的电极指(21)大致平行而且是相同间距P的线状的层厚度调整膜(32、35)。
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公开(公告)号：CN109087933B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810776022.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10K59/123 , H10K59/121 , H10K59/124 , H10K59/131 , H10K59/80
Abstract: 本发明提供一种电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。电光装置具有第一像素、第二像素。第一像素、第二像素包含反射层、绝缘层、功能层、以及对置电极。绝缘层包含第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层。在第二绝缘层设置第一开口。在第一开口中将第一像素电极设置在第一绝缘层上。在第三绝缘层设置有第二开口。在第二开口中将第二像素电极设置在第二绝缘层上。本发明能够按照每个像素取出所希望的共振波长的光，并具有优良的光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426400B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201310174257.4
申请日：2013-05-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L33/405 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种光电装置及电子设备，该光电装置具备：反射层；发光元件，其具备形成于阳极与阴极之间的发光层；以及驱动晶体管，其对流向上述发光元件的电流进行控制。在与上述反射层相同的层上，以与上述反射层具有间隙的方式形成有从上述驱动晶体管向上述阳极的电流路径中所包含的中继电极。将电连接上述中继电极与上述阳极的接触电极作为对射入上述间隙的光进行遮挡的遮光层而形成。
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公开(公告)号：CN104078422A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410117756.4
申请日：2014-03-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/5036 , H01L51/5218 , H01L51/5256 , H01L51/5262 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2227/323 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层之上形成第三绝缘层的工序；通过对第三绝缘层进行蚀刻，从而去除第一像素区域的第三绝缘层的工序；在以连续覆盖第一反射膜以及第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后，通过对前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而在第一像素与第二像素中具有分别不同的膜厚，并且，形成具有作为平坦面的第一面的第二绝缘层的工序；在第二绝缘层的第一面之上形成第一像素电极以及第二像素电极的像素电极形成工序，其中，第一绝缘层与第三绝缘层相比，通过蚀刻而被去除的速度较慢。
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公开(公告)号：CN103988305A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280060455.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L27/0255 , H01L27/0259 , H01L29/0684 , H01L29/36 , H01L29/45 , H01L29/744
Abstract: 本发明提供一种从以静电等为主要原因的浪涌电流中对电路进行保护的结构。本发明的半导体装置的特征在于：第一杂质扩散区域被设置于半导体基板内，第二杂质扩散区域被设置于第一杂质扩散区域内，第三杂质扩散区域被设置于第二杂质扩散区域中，第四杂质扩散区域的第一部分以与第三杂质扩散区域分离的方式而被设置于第二杂质扩散区域内，第四杂质扩散区域的第二部分被设置于第一杂质扩散区域的第三部分的半导体基板的表面侧，第一接点被设置为，与第二部分相接，第一接点与第三部分在俯视观察时重叠，第一电源与第三杂质扩散区域连接。
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公开(公告)号：CN1805275A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510132693.0
申请日：2005-12-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供表面声波装置的制造方法及表面声波装置。在半导体基板上具备IC区域与表面声波元件区域并构成为一个芯片的表面声波装置中，能够确保形成表面声波元件部分的平坦性，得到特性良好的表面声波装置的制造方法及表面声波装置。该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。
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公开(公告)号：CN1783711A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510125795.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段，表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30)，在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10)，并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状，在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71～74)，在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90)，在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。
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