温度测量装置以及温度测量方法

    公开(公告)号:CN104083151A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410315783.2

    申请日:2011-04-01

    Inventor: 后藤健次

    CPC classification number: G01K3/00 G01K1/20 G01K7/42 G01K7/427 G01K13/002

    Abstract: 本发明提供温度测量装置以及温度测量方法,该温度测量装置包括:测量第1表面温度的第1表面温度测量单元;测量第1参照温度的第1参照温度测量单元;测量第1外气温度的第1外气温度测量单元;测量第2表面温度的第2表面温度测量单元;测量第2参照温度的第2参照温度测量单元;测量第2外气温度的第2外气温度测量单元;以及使用第1表面温度、第1参照温度、第2表面温度、第2参照温度、第1外气温度以及第2外气温度的值,运算出外气的外气温度的外气温度运算单元。

    电子体温计和体温测量方法

    公开(公告)号:CN102106724B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201010606079.4

    申请日:2010-12-24

    Inventor: 后藤健次

    Abstract: 本发明提供能够测量准确的深部体温的电子体温计和体温测量方法。电子体温计(2)具有:第1体表温度测量部(20A);第1参照温度测量部(24A);第2体表温度测量部(20B);第2参照温度测量部(24B);第3温度测量部(20C、20D、20E),其对与第1体表温度和第2体表温度的测量位置不同的第3温度进行测量;温度校正部(40),其使用第3温度,对第1体表温度、第1参照温度、第2体表温度和第2参照温度进行校正;以及深部体温运算部(42),其使用由温度校正部(40)校正后的第1体表温度、第1参照温度、第2体表温度和第2参照温度,运算被测量对象的深部体温。

    光学测定装置和光学测定方法

    公开(公告)号:CN103226094A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310018020.7

    申请日:2013-01-17

    CPC classification number: G01B11/26 G01J4/00 G01N21/21 G01N33/025 G01N33/143

    Abstract: 光学测定装置和光学测定方法。在第1光学测定装置(1A)中,从光源(10)射出的光在偏振光部(20)中被设为线偏振光,并入射到被检体(A)。透过被检体(A)的透射光被正交分离部(30)正交分离,被正交分离部(30)正交分离的光被两个受光部(40(40A、40B))接收。然后,通过控制部(100)判定透射光的光量,使用由透射光量判定部判定的光量对受光部(40)接收的受光电平之差进行归一化,然后,通过旋光角计算部(150)计算旋光角。

    温度测量装置以及温度测量方法

    公开(公告)号:CN102247127A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110082539.2

    申请日:2011-04-01

    Inventor: 后藤健次

    CPC classification number: G01K3/00 G01K1/20 G01K7/42 G01K7/427 G01K13/002

    Abstract: 本发明提供温度测量装置以及温度测量方法,该温度测量装置包括:测量第1表面温度的第1表面温度测量部;测量第1参照温度的第1参照温度测量部;测量第1外气温度的第1外气温度测量部;测量第2表面温度的第2表面温度测量部;测量第2参照温度的第2参照温度测量部;测量第2外气温度的第2外气温度测量部;使用第1表面温度、第1参照温度、第2表面温度以及第2参照温度的值,运算出被测量对象的深部温度的深部温度运算部;以及使用第1表面温度、第1参照温度、第2表面温度、第2参照温度、第1外气温度以及第2外气温度的值,运算出外气的外气温度的外气温度运算部。

    电子体温计和体温测量方法

    公开(公告)号:CN102106724A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN201010606079.4

    申请日:2010-12-24

    Inventor: 后藤健次

    Abstract: 本发明提供能够测量准确的深部体温的电子体温计和体温测量方法。电子体温计(2)具有:第1体表温度测量部(20A);第1参照温度测量部(24A);第2体表温度测量部(20B);第2参照温度测量部(24B);第3温度测量部(20C、20D、20E),其对与第1体表温度和第2体表温度的测量位置不同的第3温度进行测量;温度校正部(40),其使用第3温度,对第1体表温度、第1参照温度、第2体表温度和第2参照温度进行校正;以及深部体温运算部(42),其使用由温度校正部(40)校正后的第1体表温度、第1参照温度、第2体表温度和第2参照温度,运算被测量对象的深部体温。

    温度测量装置以及温度测量方法

    公开(公告)号:CN102247127B

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201110082539.2

    申请日:2011-04-01

    Inventor: 后藤健次

    CPC classification number: G01K3/00 G01K1/20 G01K7/42 G01K7/427 G01K13/002

    Abstract: 本发明提供温度测量装置以及温度测量方法,该温度测量装置包括:测量第1表面温度的第1表面温度测量部;测量第1参照温度的第1参照温度测量部;测量第1外气温度的第1外气温度测量部;测量第2表面温度的第2表面温度测量部;测量第2参照温度的第2参照温度测量部;测量第2外气温度的第2外气温度测量部;使用第1表面温度、第1参照温度、第2表面温度以及第2参照温度的值,运算出被测量对象的深部温度的深部温度运算部;以及使用第1表面温度、第1参照温度、第2表面温度、第2参照温度、第1外气温度以及第2外气温度的值,运算出外气的外气温度的外气温度运算部。

    表面声波元件、表面声波元件的制造方法

    公开(公告)号:CN1783711A

    公开(公告)日:2006-06-07

    申请号:CN200510125795.X

    申请日:2005-12-01

    Abstract: 表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段,表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30),在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10),并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状,在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71~74),在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90),在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。

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