公开(公告)号：CN103988305A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280060455.1

申请日：2012-11-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 奥山正树 ,  佐藤久克

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/744

Abstract: 本发明提供一种从以静电等为主要原因的浪涌电流中对电路进行保护的结构。本发明的半导体装置的特征在于：第一杂质扩散区域被设置于半导体基板内，第二杂质扩散区域被设置于第一杂质扩散区域内，第三杂质扩散区域被设置于第二杂质扩散区域中，第四杂质扩散区域的第一部分以与第三杂质扩散区域分离的方式而被设置于第二杂质扩散区域内，第四杂质扩散区域的第二部分被设置于第一杂质扩散区域的第三部分的半导体基板的表面侧，第一接点被设置为，与第二部分相接，第一接点与第三部分在俯视观察时重叠，第一电源与第三杂质扩散区域连接。