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公开(公告)号：CN1499458A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103087.7
申请日：2003-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层，构成上述存储电容器的一对电极的一方，由含有低电阻膜的多层膜构成。
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公开(公告)号：CN1242372C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200310102382.0
申请日：2003-10-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器。此外，构成上述存储电容器的电介质膜，由含有不同的材料的多个层构成，同时，其中的一层含有由介电系数比别的层高的材料构成的层。
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公开(公告)号：CN1504973A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310115728.0
申请日：2003-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 高原研一
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , G02F2001/133357
Abstract: 本发明的液晶装置用电光装置包括：在基板之上设置的TFT；设置在该TFT之上，通过接触孔与中继电极连接的像素电极；在该像素电极上，自该像素电极的间隙至边缘部分地设置的、覆盖该像素电极边缘部分的端面的保护用绝缘膜；以及被涂布在含有该保护用绝缘膜的一面上并且被施以摩擦处理的取向膜。可以防止在该像素电极的边缘附近或接触孔附近，取向膜材料渣滓发生或积存。由此，可降低亮度不均或显示不均。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1499456A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310102382.0
申请日：2003-10-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器。此外，构成上述存储电容器的电介质膜，由含有不同的材料的多个层构成，同时，其中的一层含有由介电系数比别的层高的材料构成的层。
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公开(公告)号：CN1226708C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200310103087.7
申请日：2003-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层，构成上述存储电容器的一对电极的一方，由含有低电阻膜的多层膜构成。
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公开(公告)号：CN1503041A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310113771.3
申请日：2003-11-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , H01L27/3297
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线；在与上述数据线交叉的第2方向上延伸的扫描线；被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管；在从上述数据线算起的下层上形成，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器；在从上述数据线算起的上层上形成的电容器线；把上述存储电容器的像素电位侧电容器电极和上述像素电极间电连起来，与上述数据线在同一层上形成的第1中继层；把上述存储电容器的固定电位侧电容器电极和上述电容器线间电连起来，与上述数据线在同一层上形成的第2中继层。此外，在上述数据线、上述第1中继层、上述第2中继层中，含有氮化膜。
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公开(公告)号：CN1257428C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200310113771.3
申请日：2003-11-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , H01L27/3297
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线；在与上述数据线交叉的第2方向上延伸的扫描线；被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管；在从上述数据线算起的下层上形成，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器；在从上述数据线算起的上层上形成的屏蔽层；把上述存储电容器的像素电位侧电容器电极和上述像素电极间电连起来，与上述数据线在同一层上形成的第1中继层；把上述存储电容器的固定电位侧电容器电极和上述屏蔽层间电连起来，与上述数据线在同一层上形成的第2中继层。此外，在上述数据线、上述第1中继层、上述第2中继层中，含有氮化膜。
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公开(公告)号：CN1215450C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200310115728.0
申请日：2003-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 高原研一
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , G02F2001/133357
Abstract: 本发明的液晶装置用电光装置包括：在基板之上设置的TFT；设置在该TFT之上，通过接触孔与中继电极连接的像素电极；在该像素电极上，自该像素电极的间隙至边缘部分地设置的、覆盖该像素电极边缘部分的端面的保护用绝缘膜；以及被涂布在含有该保护用绝缘膜的一面上并且被施以摩擦处理的取向膜。可以防止在该像素电极的边缘附近或接触孔附近，取向膜材料渣滓发生或积存。由此，可降低亮度不均或显示不均。
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