公开(公告)号：CN104520974B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201380042206.4

申请日：2013-08-06

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 麻生隆浩 ,  利根川亨 ,  上田洸造 ,  薮口博秀

IPC: H01L21/304 ,  C09J5/00 ,  C09J11/06 ,  C09J157/00

CPC classification number: B32B37/1207 ,  B32B37/12 ,  B32B37/30 ,  B32B43/006 ,  B32B2037/1253 ,  B32B2307/20 ,  B32B2310/0806 ,  B32B2457/14 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种晶片的处理方法，其是在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分；胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。

公开(公告)号：CN104541356B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201380041694.7

申请日：2013-08-05

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 利根川亨 ,  麻生隆浩 ,  上田洸造 ,  薮口博秀

IPC: H01L21/02 ,  C09J11/02 ,  C09J201/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/683

CPC classification number: C30B33/00 ,  C09J5/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C30B29/06 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明的目的在于，提供在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，该处理方法实现了更高的生产效率。本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，该工序是借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分和通过照射紫外线而产生气体的气体发生剂；晶片处理工序，该工序是对固定于所述支承板的晶片实施处理的工序；以及支承板剥离工序，该工序是对所述处理后的晶片照射紫外线而由所述气体发生剂产生气体，从而将支承板从晶片上剥离的工序，其中，在所述支承板剥离工序中，使用照射强度为100mW/cm2以上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方式进行照射。

公开(公告)号：CN104520974A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380042206.4

申请日：2013-08-06

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 麻生隆浩 ,  利根川亨 ,  上田洸造 ,  薮口博秀

IPC: H01L21/304 ,  C09J5/00 ,  C09J11/06 ,  C09J157/00

CPC classification number: B32B37/1207 ,  B32B37/12 ,  B32B37/30 ,  B32B43/006 ,  B32B2037/1253 ,  B32B2307/20 ,  B32B2310/0806 ,  B32B2457/14 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种晶片的处理方法，其是在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分；胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。

公开(公告)号：CN117133700A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310595994.5

申请日：2023-05-24

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 潘梓妍 ,  上田洸造 ,  薮口博秀 ,  浅野元彦

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种临时固定带，其适合用于具有激光剥离工序的半导体器件的制造方法，能够降低激光对半导体器件的损伤，能够容易地剥离。另外，提供一种半导体器件的制造方法，其具有激光剥离工序，能够降低激光对半导体器件的损伤，能够容易地剥离临时固定带。一种临时固定带，其至少具有基材和层叠于上述基材的一个面的第1粘合剂层，对于将上述临时固定带的上述第1粘合剂层侧贴附于玻璃而成的层叠体，以照射能量2000mJ/cm2以下从上述玻璃的背面照射波长360nm以下的激光后，当在上述临时固定带的上述基材被固定的状态下，沿相对于上述玻璃的上述背面垂直方向施加40N的力时，上述第1粘合剂层与上述基材的界面发生剥离。

公开(公告)号：CN104541356A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380041694.7

申请日：2013-08-05

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 利根川亨 ,  麻生隆浩 ,  上田洸造 ,  薮口博秀

IPC: H01L21/02 ,  C09J7/02 ,  C09J11/02 ,  C09J201/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/683

CPC classification number: C30B33/00 ,  C09J5/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C30B29/06 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明的目的在于，提供在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，该处理方法实现了更高的生产效率。本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，该工序是借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分和通过照射紫外线而产生气体的气体发生剂；晶片处理工序，该工序是对固定于所述支承板的晶片实施处理的工序；以及支承板剥离工序，该工序是对所述处理后的晶片照射紫外线而由所述气体发生剂产生气体，从而将支承板从晶片上剥离的工序，其中，在所述支承板剥离工序中，使用照射强度为100mW/cm2以上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方式进行照射。